[發明專利]槽式太陽能集熱管用減反射膜

無效

• 申請號: 201210219513.2
• 申請日: 2012-06-29
• 公開（公告）號: CN102723371A
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發明（設計）人: 葛波
• 申請（專利權）人: 蘇州嘉言能源設備有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216
• 代理公司: 蘇州華博知識產權代理有限公司 32232
• 代理人: 傅靖

技術領域

本發明屬于太陽能發電的技術領域，更具體地說，本發明涉及一種槽式太陽能集熱管用減反射膜。?

背景技術

伴隨著傳統能源的日漸枯竭、環境污染問題的日益加劇，新能源的開發和應用已經成為人類研究的熱點。取之不盡用之不竭、綠色無污染的太陽能是新能源開發利用的重點之一。?

降低成本和提高轉換效率是太陽能電池研究的重點方向。硅太陽能電池由于原料來源廣泛，成本較低，占據太陽能電池市場的主導地位。減少電池受光面上入射陽光的反射是提高太陽能電池的光電轉換效率的手段之一。常用的減反射措施主要有刻蝕硅襯底，在硅襯底表面或電池的受光面沉積二氧化鈦、氮化硅、二氧化硅等減反射膜。

現有技術有研究使用表面的織構化來降低一部分反射，一般是通過腐蝕處理，增加硅片表面的粗糙度，但是反射率的降低并不明顯，特別是對于多晶硅，使用各向異性的酸法制絨，產生的黑線容易破壞PN結，使太陽能電池片的漏電流增大。?

現有技術普遍使用的是在硅片表面覆蓋一層折射率適中的透光介質膜，從而降低硅片表面反射。

現有工藝化的減反射膜一般為一層，也有研究在硅片表面制備兩層折射率不同的減反射膜。納米薄膜材料的減反射膜由于工藝復雜、成本較高且難控制，并不利于大規模生產。同時這種多層減反射膜由于每層的折射率和厚度較難控制，且折射率變化太大，硅片表面對光的反射率降低效果并不理想，同時由于減反射膜的減反射效果與對硅片的表面和體鈍化的效果是相互矛盾，相互制約的，因此此種減反射膜對硅片的表面和體鈍化效果較差，制備的太陽能電池片的性能仍然不能滿足現有技術的發展。?

發明內容

為了解決現有技術問題中存在的上述技術問題，本發明的目的在于提供一種能有效提高硅基太陽能薄膜電池工作效率的槽式太陽能集熱管用減反射膜。?

一種槽式太陽能集熱管用減反射膜，其特征在于所述的減反射膜為SiN_1-X，其中X=0.02-0.10。

其中，所述減反射薄膜的厚度為100-200?nm。

其中，所述透明薄膜采用磁控濺射方法制備，所述磁控濺射方法包括以下步驟：?

利用純硅片作為靶材，利用磁控濺射方法制備薄膜材料：以硅片或石英為襯底，通入純度為99.99％的N₂，襯底溫度為300-500℃，工作氣壓為1～10Pa，之后在還原氣氛下于400-500℃退火處理20-60?min。?

與現有技術相比：本發明的減反射膜對波長為300-900nm的電磁波平均反射率降低到了2.0-3.0%。將本發明所述的透明薄膜沉積在硅太陽電池上表面，能夠降低硅太陽電池的熱化效應，提高電池的光電轉換效率。?

具體實施方式

實施例1?

采用純硅片為靶材，采用中頻反應立式磁控濺射鍍膜設備進行鍍膜。

以硅片為襯底，首先對硅片進行清洗，烘干后裝入鍍膜室中，通入純度為99.99％的N₂，流量為50-150?sccm,電壓為800?V,電流為20?A，襯底溫度為300℃，工作氣壓為10Pa，濺射沉積完成之后在還原氣氛下于500℃退火處理20?min。

實施例2

采用純硅片為靶材，采用中頻反應立式磁控濺射鍍膜設備進行鍍膜。

以硅片為襯底，首先對硅片進行清洗，烘干后裝入鍍膜室中，通入純度為99.99％的N₂，流量為50-100?sccm,電壓為600?V,電流為20?A，襯底溫度為400℃，工作氣壓為5Pa，濺射沉積完成之后在還原氣氛下于300℃退火處理50?min。

實施例3

采用純硅片為靶材，采用中頻反應立式磁控濺射鍍膜設備進行鍍膜。

以硅片為襯底，首先對硅片進行清洗，烘干后裝入鍍膜室中，通入純度為99.99％的N2，流量為50-100?sccm,電壓為600?V,電流為20?A，襯底溫度為500℃，工作氣壓為1?Pa，濺射沉積完成之后在還原氣氛下于400℃退火處理35?min。