[發(fā)明專利]一種改進(jìn)的晶體硅太陽電池二次印刷方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210218822.8 | 申請日: | 2012-06-29 |
| 公開(公告)號: | CN102729666A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃國保 | 申請(專利權(quán))人: | 陜西眾森電能科技有限公司 |
| 主分類號: | B41M1/12 | 分類號: | B41M1/12;B41M1/26;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 710065 陜西省西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 改進(jìn) 晶體 太陽電池 二次 印刷 方法 | ||
【技術(shù)領(lǐng)域】
本發(fā)明涉及一種專門適用于將紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射能轉(zhuǎn)換為電能的方法。
【背景技術(shù)】
晶體硅太陽電池是目前主流的太陽電池,絲網(wǎng)印刷是主流的電極生產(chǎn)工藝,其中二次印刷工藝是較為先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù),其生產(chǎn)過程依次是:絲網(wǎng)印刷背面(銀鋁漿)主柵、烘干;印刷鋁背場(鋁漿)、烘干;一次印刷正面電極(含玻璃料的銀漿)、烘干;二次印刷正面電極(不含玻璃料的銀漿)、烘干、燒結(jié)完成。其中二次印刷是在一次印刷的細(xì)柵線上重疊再一次細(xì)柵線,起到加厚柵線,消除斷柵,減小串聯(lián)電阻的作用,可以有效提高電池效率,但是,由于二次印刷要疊加在一次印刷的柵線上,而柵線寬度只有80微米左右,印刷的對位精度要求極高,因而相關(guān)二次印刷設(shè)備極貴,大大限制了該技術(shù)的推廣應(yīng)用。
隨著太陽電池的不斷降價,電池成本中銀漿的比重越來越高,已經(jīng)達(dá)到15%以上,成為降低成本的障礙,降低銀漿的用量是一種有效的方法。
【發(fā)明內(nèi)容】
本發(fā)明旨在提供能在低成本下獲得高轉(zhuǎn)換效率太陽能電池的一種改進(jìn)的晶體硅太陽電池二次印刷方法。
本發(fā)明所述的方法中,用焊錫膏漿料替代了銀漿料,一方面可減少銀漿料的用量,另一方面,焊錫膏漿料在熱熔過程中因表面張力的作用具有很好的自對準(zhǔn)效應(yīng),即使印刷錯位,只要焊錫膏漿料沒有完全偏離銀漿細(xì)柵,熔化的焊錫膏會自動對準(zhǔn)細(xì)柵。如圖1、2所示。圖1、圖2說明焊錫膏熱熔形成的自對準(zhǔn)效應(yīng),由于錫與硅片完全不侵潤,錫與銀完全侵潤,熔化的焊錫膏在表面張力的作用下自動爬到銀漿上,形成準(zhǔn)半圓形截面的電極柵線。
自對準(zhǔn)效應(yīng)可以把二次印刷所要求的對位精度從5-10微米降低到50-80微米,因而可以大大降低設(shè)備的成本,同時由于二次對位精度要求降低,一次印刷的線寬可以進(jìn)一步減小,進(jìn)一步減少遮光面積,提高電池轉(zhuǎn)換效率;減少銀漿料的用量,降低電池成本。
因此本發(fā)明可以加厚柵線,消除斷柵,減小串聯(lián)電阻,縮小遮光面積,增大短路電流,從而提高太陽電池轉(zhuǎn)換效率,同時,用廉價的焊錫膏漿料替代了銀漿料,既降低了設(shè)備要求,又減少了銀漿料的用量,從而降低太陽電池生產(chǎn)成本。
【附圖說明】
圖1為本發(fā)明所述硅片在熱熔前的印刷效果示意圖;
圖2為本發(fā)明所述硅片在熱熔后的印刷效果示意圖;
圖中,1、硅片;2、燒結(jié)后的銀漿;3、熱熔前的錫漿;4、熱熔后的錫漿-焊錫。
【具體實(shí)施方式】
實(shí)施例一
步驟1:硅片在絲網(wǎng)印刷機(jī)的工作臺上定位。
步驟2:用銀-鋁漿料在硅片背面上印刷主柵,然后在200-400℃下烘干。
步驟3:換網(wǎng)板和刮刀或整個印刷頭,在硅片上印刷用鋁漿料在硅片背面印刷鋁背場,然后在200-400℃下烘干。
步驟4:硅片翻面定位后換網(wǎng)板及刮刀或整個印刷頭,用含玻璃料的銀漿料在硅片上一次絲網(wǎng)印刷正面電極,其中銀漿料細(xì)柵為20微米。然后在200-400℃下烘干,接著在800-950℃下燒結(jié)。
步驟5:換網(wǎng)板和刮刀或整個印刷頭,用焊錫膏漿料在硅片上二次絲網(wǎng)印刷正面電極,其中焊錫膏漿料細(xì)柵為35微米。
步驟6:將硅片放入熱熔爐中進(jìn)行熱風(fēng)熱熔,熱熔溫度為150-350℃。
實(shí)施例二
步驟1:硅片在絲網(wǎng)印刷機(jī)的工作臺上定位。
步驟2:用銀-鋁漿料在硅片背面上印刷主柵,然后在200-400℃下烘干。
步驟3:換網(wǎng)板和刮刀或整個印刷頭,在硅片上印刷用鋁漿料在硅片背面印刷鋁背場,然后在200-400℃下烘干。
步驟4:硅片翻面定位后換網(wǎng)板及刮刀或整個印刷頭,用含玻璃料的銀漿料在硅片上一次絲網(wǎng)印刷正面電極,其中銀漿料細(xì)柵為20微米。然后在200-400℃下烘干,接著在800-950℃下燒結(jié)。
步驟5:換網(wǎng)板和刮刀或整個印刷頭,用焊錫膏漿料在硅片上二次絲網(wǎng)印刷正面電極,其中焊錫膏漿料細(xì)柵為70微米。
步驟6:將硅片放入熱熔爐中進(jìn)行熱風(fēng)熱熔,熱熔溫度為150-350℃。
實(shí)施例三
步驟1:硅片在絲網(wǎng)印刷機(jī)的工作臺上定位。
步驟2:用銀-鋁漿料在硅片背面上印刷主柵,然后在200-400℃下烘干。
步驟3:換網(wǎng)板和刮刀或整個印刷頭,在硅片上印刷用鋁漿料在硅片背面印刷鋁背場,然后在200-400℃下烘干。
步驟4:硅片翻面定位后換網(wǎng)板及刮刀或整個印刷頭,用含玻璃料的銀漿料在硅片上一次絲網(wǎng)印刷正面電極,其中銀漿料細(xì)柵為80微米。然后在200-400℃下烘干,接著在800-950℃下燒結(jié)。
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