[發(fā)明專利]一種改進的晶體硅太陽電池二次印刷方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210218822.8 | 申請日： | 2012-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN102729666A | 公開（公告）日： | 2012-10-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 黃國保 | 申請（專利權）人： | 陜西眾森電能科技有限公司 |
| 主分類號： | B41M1/12 | 分類號： | B41M1/12;B41M1/26;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 710065 陜西省西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改進 晶體 太陽電池 二次 印刷 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改進的晶體硅太陽電池二次印刷方法，其特征在于二次絲網印刷硅片正面電極的漿料為焊錫膏。
2.如權利要求1所述的晶體硅太陽電池二次印刷方法，其特征在于一次絲網印刷硅片正面電極時細柵寬度為20-80微米。
3.如權利要求1或2所述的晶體硅太陽電池二次印刷方法，其特征在于二次絲網印刷硅片正面電極時細柵寬度比一次絲網印刷硅片正面電極時細柵寬度大5-50微米。
4.如權利要求1所述的晶體硅太陽電池二次印刷方法，其特征在于依次包括以下步驟：
(1)絲網印刷硅片背面主柵，烘干；
(2)絲網印刷硅片背面鋁背場，烘干；
(3)翻面
(4)一次絲網印刷正面電極，烘干并燒結；
(5)二次絲網印刷正面電極；
(6)熱熔。
5.如權利要求4所述的晶體硅太陽電池二次印刷方法，其特征在于所述的熱熔是紅外熱熔或者熱風熱熔。
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