[發明專利]一種含復合DBR的Ge基GaAs薄膜單結太陽能電池及其制備方法有效
| 申請號: | 201210218156.8 | 申請日: | 2012-06-28 |
| 公開(公告)號: | CN103515462A | 公開(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發明(設計)人: | 夏偉;于軍;吳德華;蘇來發;張新 | 申請(專利權)人: | 山東浪潮華光光電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0352 | 分類號: | H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司: | 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219 | 代理人: | 呂利敏 |
| 地址: | 261061 *** | 國省代碼: | 山東;37 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 復合 dbr ge gaas 薄膜 太陽能電池 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種利用復合DBR的Ge基GaAs薄膜單結太陽能電池的制備方法,屬于光電子技術領域。
背景技術
太陽電池的發展,最早可追溯自1954年由Bell實驗室的發明,當時的目的是希望能提供偏遠地區供電系統的能源,那時太陽電池的效率只有6%。接著從1957年蘇聯發射第一顆人造衛星開始,一直到1969年美國太空人登陸月球,太陽電池的應用得以充分發揮。雖然當時太陽電池的造價昂貴,但其對人類歷史的貢獻卻是具有深遠歷史意義的。近年來全球的通訊市場蓬勃發展,各大通訊計劃不斷提出,例如Motorola公司的銥(Iridiμm)計劃,將使用66顆低軌道的衛星(LEO),Bill?Gates之Teledesic計劃,預計將使用840顆LEO衛星,這些都將促使太陽電池被廣泛地使用在太空中。
人類發展太陽電池的最終目標,就是希望能取代目前傳統的能源。我們都知道太陽的能量是取之不盡用之不竭的,從太陽表面所放射出來的能量,換算成電力約3.8×1023kW;若太陽光經過一億五千萬公里的距離,穿過大氣層到達地球的表面也約有1.8×1014kW,這個值大約為全球平均電力的十萬倍大。若能有效的運用此能源,則不僅能解決消耗性能源的問題,連環保問題也可一并獲得解決。目前太陽電池發展的瓶頸主要有兩項因素:一項為效率,另一項為價格。
太陽電池是一種能量轉換的光電元件,它是經由太陽光照射后,把光的能量轉換成電能,此種光電元件稱為太陽電池(Solar?Cell)。從物理學的角度來看,有人稱之為光伏電池(Photovoltaic,簡稱PV),其中的photo就是光(light),而voltaic就是電力(electricity)。太陽電池的種類繁多,若依材料的種類來區分,可分為單晶硅(single?crystal?silicon)、多晶硅(polycrystal?silicon)、非晶硅(amorphous?silicon,簡稱a-Si)、Ⅲ-Ⅴ族[包括:砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵銦(InGaP)]、Ⅱ-Ⅵ族[包括:碲化鎘(CdTe)、硒化銦銅(CuInSe2)]等。太陽能是人類取之不盡用之不竭的可再生能源。大陽能光電利用是近些年來發展最快,最具活力的研究領域,是其中最受矚目的項目之一。
制作太陽能電池主要是以半導體材料為基礎,其工作原理是利用光電材料吸收光能后發生光電于轉換反應,根據所用材料的不同,太陽能電池可分為:1、硅太陽能電池;2、以無機鹽如砷化鎵III-V化合物、硫化鎘、銅銦硒等多元化合物為材料的電池;3、功能高分子材料制備的大陽能電池;4、納米晶太陽能電池等。
當P型和N型半導體結合在一起時,在兩種半導體的交界面區域里會形成一個特殊的薄層),界面的P型一側帶負電,N型一側帶正電。這是由于P型半導體多空穴,N型半導體多自由電子,出現了濃度差。N區的電子會擴散到P區,P區的空穴會擴散到N區,一旦擴散就形成了一個由N指向P的“內電場”,從而阻止擴散進行。達到平衡后,就形成了這樣一個特殊的薄層形成電勢差,這就是PN結。如圖1所示。
當晶片受光后,PN結中,N型半導體的空穴往P型區移動,而P型區中的電子往N型區移動,從而形成從N型區到P型區的電流。然后在PN結中形成電勢差,這就形成了電源。由于半導體不是電的良導體,電子在通過PN結后如果在半導體中流動,電阻非常大,損耗也就非常大。但如果在上層全部涂上金屬,陽光就不能通過,電流就不能產生,因此一般用金屬網格覆蓋PN結,以增加入射光的面積。
另外硅表面非常光亮,會反射掉大量的太陽光,不能被電池利用。為此,科學家們給它涂上了一層反射系數非常小的保護膜,將反射損失減小到5%甚至更小。一個電池所能提供的電流和電壓畢竟有限,于是人們又將很多電池(通常是36個)并聯或串聯起來使用,形成太陽能光電板。
近年來,隨著空間科學和技術的發展,對空間電源提出了更高的要求。80年代初期,蘇聯、美國、英國、意大利等國開始研究GaAs基系太陽電池。80年代中期,GaAs太陽電池已經用于空間系統,如1986年蘇聯發射的和平號空間站,裝備了10KW的GaAs太陽電池,單位面積比功率達到180W/m2。8年后,電池陣輸出功率總衰退不大于15%。這些年,GaAs基系太陽電池經歷了從LPE(液相外延)到MOVPE(金屬有機物化學氣相沉淀),從同質外延到異質外延,從單結到多結疊層結構發展變化。其效率不斷提高,從最初的16%增加到25%,工業生產規模年產達100KW以上,并在空間系統得到廣泛的應用。更高的效率減小了陣列的大小和重量,增加了火箭的裝載量,減少火箭燃料消耗,因此整個衛星電源系統的費用更低。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于山東浪潮華光光電子股份有限公司,未經山東浪潮華光光電子股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210218156.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





