[發明專利]一種陶瓷白薄膜的制備方法無效
| 申請號: | 201210217360.8 | 申請日: | 2012-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN102703861A | 公開(公告)日: | 2012-10-03 |
| 發明(設計)人: | 張錫濤;王長明;畢英慧 | 申請(專利權)人: | 東莞勁勝精密組件股份有限公司;東莞華清光學科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/08 | 分類號: | C23C14/08;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/35;B05D7/02;B05D3/02 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 羅曉林;李志強 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陶瓷 薄膜 制備 方法 | ||
技術領域
本發明屬于塑膠材料表面處理技術領域,尤其涉及一種鍍覆于塑膠材表面的陶瓷白薄膜的制備方法。
背景技術
隨著電子消費水平的不斷提高,個性化、時尚化的追求,陶瓷外觀材料開始出現在手機等電子消費領域,但是由于陶瓷本身的碎性,直接使用陶瓷作為外觀結構件容易摔壞。因此,在塑膠等表面制備特殊薄膜,使其既能滿足其陶瓷外觀的裝飾效果,又具有堅固性,不易摔壞的優良特性。
發明內容
為了克服上述所指的現有技術中的不足之處,本發明提供一種簡單可靠、操作方便、品質優異的陶瓷白薄膜的制備方法。
本發明是通過以下技術方案實現的:
一種陶瓷白薄膜的制備方法,包括步驟:
步驟1,在白色塑膠基材表面噴涂由UV底漆形成的UV底層,將白色塑膠基材放到涂裝機的自動線上進行自動化噴涂;
步驟2,烘烤及固化,將完成噴涂的白色塑膠基材放入烤箱烘烤,再將完成烘烤的產品過UV爐固化;
步驟3,將UV固化后的白色塑膠基材進行離子轟擊處理;
步驟4,在UV底層外鍍由二氧化硅形成的硬化層,開啟硅靶電源,打開硅靶電源的同時通入氧氣和氬氣;
步驟5,在硬化層外鍍由硅鈦或硅鋯等混合氧化物形成的過渡層,其中,硅鈦或硅鋯質量比為8∶2,打開靶電源的同時通入氧氣和氬氣;
步驟6,在過渡層外鍍由氧化鈦、氧化鋯、五氧化二鉭或五氧化二鈮形成的裝飾層,打開靶電源的同時通入氧氣和氬氣。
所述步驟1中噴涂室溫為10℃-35℃,濕度為30%-80%,UV漆粘度為7.8-8.2秒,噴槍氣壓為2.0-3.5公斤/平方厘米。
所述步驟2中的烤箱溫度為40-50℃,烤箱時間5-10分鐘。
所述步驟3中真空室的真空度為1.5-2.5帕,離子轟擊電源系統電流為5安,脈沖方波的占空比為50%-75%,在頻率40Hz的條件下進行等離子處理時間為10-20分鐘。
所述步驟4中硅靶電源電流為15-25安,氧氣流量為250-400標準毫升/分鐘,氬氣流量為250-350標準毫升/分鐘,硬化層鍍膜時間分別為5-10分鐘,膜層厚度為90-110納米。
所述步驟5中硅靶電源電流為20-30安,鈦靶或鋯靶電流為15-20安,所述氧氣流量為250-400標準毫升/分鐘,氬氣流量為250-350標準毫升/分鐘,過渡層鍍膜時間分別為15-30分鐘,膜層厚度為400-600納米。
所述步驟6中靶電源電流為15-25安,氧氣流量為200-350標準毫升/分鐘,氬氣流量為250-350標準毫升/分鐘,裝飾層的鍍膜時間為20-35分鐘,膜層厚度為400-600納米。
所述白色塑膠基材是指PC、PMMA或PET。
該陶瓷白薄膜的制備方法基于以下條件:UV爐能量為800-1000mj/cm2,配置有離子轟擊電源系統、濺射電源系統、靶材和接入真空室的供氣系統的真空磁控濺射鍍膜機,白色塑膠基材置于真空度為大于1.0×10-2帕的真空室。
與現有技術相比,本發明的陶瓷白薄膜是通過噴涂及真空磁控濺射鍍膜的方法制備,通過對白色塑膠基材進行離子轟擊處理以增強白色塑膠基材的表面活性,依次沉積各層薄膜,在薄膜沉積過程中,通過鍍膜參數的控制,獲得成分均勻的、從里到外成分連續變化的梯度薄膜或者成分交替變化的多層復合薄膜。本發明的復合薄膜及制備方法,對白色塑膠處理以后,可以得到陶瓷白的外觀效果,既堅固又不易摔壞,美觀耐用,極好地滿足了電子消費產品的外觀需求。
具體實施方式
為了便于本領域技術人員的理解,下面對本發明作進一步的描述。
一種陶瓷白薄膜的制備方法,包括步驟:
步驟1,在白色塑膠基材表面噴涂由UV底漆形成的UV底層,在室溫為10℃-35℃、濕度為30%-80%的環境下,將白色塑膠基材放到涂裝機的自動線上進行自動化噴涂;
步驟2,烘烤及固化,將完成噴涂的白色塑膠基材放入烤箱烘烤,烤箱溫度為40-50℃,烤箱時間5-10分鐘,再將完成烘烤的產品過UV爐固化;
步驟3,將UV固化后的白色塑膠基材進行離子轟擊處理;
步驟4,在UV底層外鍍由二氧化硅形成的硬化層,開啟硅靶電源,硅靶電源電流為15-25安,打開硅靶電源的同時通入氧氣和氬氣,氧氣流量為250-400標準毫升/分鐘,氬氣流量為250-350標準毫升/分鐘;
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