[發明專利]一種陶瓷白薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 201210217360.8
• 申請日: 2012-06-27
• 公開（公告）號: CN102703861A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 張錫濤;王長明;畢英慧
• 申請（專利權）人: 東莞勁勝精密組件股份有限公司;東莞華清光學科技有限公司
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/35;B05D7/02;B05D3/02
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 羅曉林;李志強

1.一種陶瓷白薄膜的制備方法，其特征在于包括步驟：

步驟1，在白色塑膠基材表面噴涂由UV底漆形成的UV底層，將白色塑膠基材放到涂裝機的自動線上進行自動化噴涂；

步驟2，烘烤及固化，將完成噴涂的白色塑膠基材放入烤箱烘烤，再將完成烘烤的產品過UV爐固化；

步驟3，將UV固化后的白色塑膠基材進行離子轟擊處理；

步驟4，在UV底層外鍍由二氧化硅形成的硬化層，開啟硅靶電源，打開硅靶電源的同時通入氧氣和氬氣；

步驟5，在硬化層外鍍由硅鈦或硅鋯等混合氧化物形成的過渡層，其中，硅鈦或硅鋯質量比為8∶2，打開靶電源的同時通入氧氣和氬氣；

步驟6，在過渡層外鍍由氧化鈦、氧化鋯、五氧化二鉭或五氧化二鈮形成的裝飾層，打開靶電源的同時通入氧氣和氬氣。

2.根據權利要求1所述的陶瓷白薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟1中噴涂室溫為10℃-35℃，濕度為30％-80％，UV漆粘度為7.8-8.2秒，噴槍氣壓為2.0-3.5公斤/平方厘米。

3.根據權利要求2所述的陶瓷白薄膜的制備方法，其特征在于：步驟2中的烤箱溫度為40-50℃，烤箱時間5-10分鐘。

4.根據權利要求3所述的陶瓷白薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟3中真空室的真空度為1.5-2.5帕，離子轟擊電源系統電流為5安，脈沖方波的占空比為50％-75％，在頻率40Hz的條件下進行等離子處理時間為10-20分鐘。

5.根據權利要求4所述的陶瓷白薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟4中硅靶電源電流為15-25安，氧氣流量為250-400標準毫升/分鐘，氬氣流量為250-350標準毫升/分鐘，硬化層鍍膜時間分別為5-10分鐘，膜層厚度為90-110納米。

6.根據權利要求5所述的陶瓷白薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟5中硅靶電源電流為20-30安，鈦靶或鋯靶電流為15-20安，所述氧氣流量為250-400標準毫升/分鐘，氬氣流量為250-350標準毫升/分鐘，過渡層鍍膜時間分別為15-30分鐘，膜層厚度為400-600納米。

7.根據權利要求6所述的陶瓷白薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟6中靶電源電流為15-25安，氧氣流量為200-350標準毫升/分鐘，氬氣流量為250-350標準毫升/分鐘，裝飾層的鍍膜時間為20-35分鐘，膜層厚度為400-600納米。

8.根據權利要求1至7任一項所述的陶瓷白薄膜的制備方法，其特征在于：所述白色塑膠基材是指PC、PMMA或PET。

9.根據權利要求8所述的陶瓷白薄膜的制備方法，其特征在于該陶瓷白薄膜的制備方法基于以下條件：UV爐能量為800-1000mj/cm2，配置有離子轟擊電源系統、濺射電源系統、靶材和接入真空室的供氣系統的真空磁控濺射鍍膜機，白色塑膠基材置于真空度為大于1.0×10^-2帕的真空室。