[發明專利]雙界面智能卡芯片工作狀態管理方法和裝置有效
| 申請號： | 201210216937.3 | 申請日： | 2012-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN102799393A | 公開（公告）日： | 2012-11-28 |
| 發明（設計）人： | 張祥杉;李紫金 | 申請（專利權）人： | 大唐微電子技術有限公司 |
| 主分類號： | G06F3/06 | 分類號： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人： | 栗若木;曲鵬 |
| 地址： | 100094*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 界面 智能卡 芯片 工作 狀態 管理 方法 裝置 | ||
1.一種雙界面智能卡芯片工作狀態管理方法，其特征在于，包括：
接收指示信號，所述指示信號指示所述雙界面智能卡芯片的靜態隨機存儲器(SRAM)的工作模式；
所述雙界面智能卡芯片啟動所述指示信號指示的工作模式。
2.根據權利要求1所述的雙界面智能卡芯片工作狀態管理方法，其特征在于，該方法還包括：
設置所述SRAM的工作模式和啟動條件。
3.根據權利要求2所述的雙界面智能卡芯片工作狀態管理方法，其特征在于，所述設置所述SRAM的工作模式和啟動條件包括：
設置與有接觸式接口相匹配的第一工作模式，所述第一工作模式的啟動條件為所述指示信號內攜帶有指示啟動所述第一工作模式的標識信號；
設置與非接觸式接口相匹配的第二工作模式，所述第二工作模式的啟動條件為所述指示信號內攜帶有指示啟動所述第二工作模式的標識信號。
4.根據權利要求3所述的雙界面智能卡芯片工作狀態管理方法，其特征在于，所述設置與有接觸式接口相匹配的第一工作模式具體為：
將所述SRAM設置為高讀寫速度模式，具體為50MHz及以上的讀寫速度模式，在該模式下的平均電流在3mA-4mA內。
5.根據權利要求3所述的雙界面智能卡芯片工作狀態管理方法，其特征在于，所述設置與非接觸式接口相匹配的第二工作模式具體為：
將所述SRAM設置為中低讀寫速度模式，具體為25MHz的讀寫速度模式，在該模式下的平均電流為0.8mA。
6.一種雙界面智能卡芯片工作狀態管理裝置，其特征在于，包括：
信號接收模塊，用于接收指示信號，所述指示信號指示所述雙界面智能卡芯片的SRAM的工作模式；
工作模式啟動模塊，用于所述雙界面智能卡芯片啟動所述指示信號指示的工作模式。
7.根據權利要求6所述的雙界面智能卡芯片工作狀態管理裝置，其特征在于，該裝置還包括：
設置模塊，用于設置所述SRAM的工作模式和啟動條件。
8.根據權利要求7所述的雙界面智能卡芯片工作狀態管理裝置，其特征在于，所述設置模塊包括：
第一設置單元，用于設置與有接觸式接口相匹配的第一工作模式，所述第一工作模式的啟動條件為所述指示信號內攜帶有指示啟動所述第一工作模式的標識信號；
第二設置單元，用于設置與非接觸式接口相匹配的第二工作模式，所述第二工作模式的啟動條件為所述指示信號內攜帶有指示啟動所述第二工作模式的標識信號。
9.根據權利要求8所述的雙界面智能卡芯片狀態管理裝置，其特征在于，所述第一設置單元具體用于將所述SRAM設置為高讀寫速度模式。
10.根據權利要求8所述的雙界面智能卡芯片狀態管理裝置，其特征在于，所述第二設置單元具體用于將所述SRAM設置為中低讀寫速度模式。
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