[發明專利]雙界面智能卡芯片工作狀態管理方法和裝置

有效

• 申請號: 201210216937.3
• 申請日: 2012-06-27
• 公開（公告）號: CN102799393A
• 公開（公告）日: 2012-11-28
• 發明（設計）人: 張祥杉;李紫金
• 申請（專利權）人: 大唐微電子技術有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 栗若木;曲鵬

技術領域

本發明涉及智能卡領域，尤其涉及一種雙界面智能卡芯片工作狀態管理方法和裝置。

背景技術

在雙界面智能卡芯片中，接觸式接口工作時要求SRAM高速運行，數據讀寫速度快，這樣的靜態隨機存儲器(SRAM)不管是平均電流和峰值電流都非常大；而在非接觸式接口單獨工作時，由于整個芯片的能量都是通過天線耦合過來的，獲得的能量有限，要求SRAM運行時不管是平均電流和峰值電流都不能大，滿足低功耗要求，而對速度的要求偏中。高速度和低功耗兩者之間是一對矛盾，這樣雙界面卡芯片中SRAM高速和低電流不能同時滿足，已有的技術方案就是在兩者之間取折中，讓接觸式接口工作時SRAM運行速度別太快，而非接觸式接口工作時SRAM的電流不能降低到很低的水平。

現有技術的缺點是：若要降低SRAM的平均電流和峰值電流，就要降低SRAM的工作速度；若要提高SRAM的工作速度，則其平均電流和峰值電流也會相應地增大，增加了SRAM上的功耗。兩者相互制約，使得SRAM的工作速度不能夠達到高速，其平均電流和峰值電流也不能夠降低到比較低的水平，從而制約著雙界面智能卡芯片的性能。

發明內容

本發明提供了一種雙界面智能卡芯片工作狀態管理方法和裝置，解決了雙界面智能卡芯片性能受SRAM工作狀態限制的問題。

一種雙界面智能卡芯片工作狀態管理方法，包括：

接收指示信號，所述指示信號指示所述雙界面智能卡芯片的SRAM的工作模式；

所述雙界面智能卡芯片啟動所述指示信號指示的工作模式。

優選的，上述雙界面智能卡芯片工作狀態管理方法還包括：

設置所述SRAM的工作模式和啟動條件。

優選的，所述設置所述SRAM的工作模式和啟動條件包括：

設置與有接觸式接口相匹配的第一工作模式，所述第一工作模式的啟動條件為所述指示信號內攜帶有指示啟動所述第一工作模式的標識信號；

設置與非接觸式接口相匹配的第二工作模式，所述第二工作模式的啟動條件為所述指示信號內攜帶有指示啟動所述第二工作模式的標識信號。

優選的，所述設置與有接觸式接口相匹配的第一工作模式具體為：

將所述SRAM設置為高讀寫速度模式，具體為50MHz及以上的讀寫速度模式，在該模式下的平均電流在3mA-4mA內。

優選，所述設置與非接觸式接口相匹配的第二工作模式具體為：

將所述SRAM設置為中低讀寫速度模式，具體為25MHz的讀寫速度模式，在該模式下的平均電流為0.8mA。

本發明還提供了一種雙界面智能卡芯片工作狀態管理裝置，包括：

信號接收模塊，用于接收指示信號，所述指示信號指示所述雙界面智能卡芯片的SRAM的工作模式；

工作模式啟動模塊，用于所述雙界面智能卡芯片啟動所述指示信號指示的工作模式。

優選的，上述雙界面智能卡芯片工作狀態管理裝置還包括：

設置模塊，用于設置所述SRAM的工作模式和啟動條件。

優選的，所述設置模塊包括：

第一設置單元，用于設置與有接觸式接口相匹配的第一工作模式，所述第一工作模式的啟動條件為所述指示信號內攜帶有指示啟動所述第一工作模式的標識信號；

第二設置單元，用于設置與非接觸式接口相匹配的第二工作模式，所述第二工作模式的啟動條件為所述指示信號內攜帶有指示啟動所述第二工作模式的標識信號。

優選的，所述第一設置單元具體用于將所述SRAM設置為高讀寫速度模式。

優選的，所述第二設置單元具體用于將所述SRAM設置為中低讀寫速度模式。

本發明提供了一種雙界面智能卡芯片工作狀態管理方法和裝置，接收指示信號，所述指示信號指示所述雙界面智能卡芯片的SRAM的工作模式，所述雙界面智能卡芯片啟動所述指示信號指示的工作模式，為雙界面智能卡的SRAM設置了多種適應不同接口的工作模式，實現了對SRAM工作模式的切換控制，解決了雙界面智能卡芯片受SRAM工作狀態限制的問題。

附圖說明

圖1為本發明的實施例一提供的一種雙界面智能卡芯片工作狀態管理方法的流程圖；

圖2為本發明的實施例二提供的一種雙界面智能卡芯片工作狀態管理裝置的結構示意圖；

圖3為本發明的實施例二提供的又一種雙界面智能卡芯片工作狀態管理裝置的結構示意圖；

圖4為圖3中設置模塊203的結構示意圖。

具體實施方式