[發(fā)明專利]沉積裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210214960.9
• 申請日: 2012-06-26
• 公開（公告）號: CN102719806A
• 公開（公告）日: 2012-10-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李占斌
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/52;C23C16/34;H01L21/318
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種沉積裝置。

背景技術(shù)

現(xiàn)有工藝在沉積氮化硅薄膜時，由于氮化硅(Si₃N₄)薄膜具有高的介電常數(shù)而被作為介電材料廣泛應(yīng)用在半導體制造領(lǐng)域，如制造閃存的工藝里需要形成一層ONO作為浮置柵極(Floating?Gate)和控制柵極(Control?Gate)之間的介電材料，ONO層中O代表二氧化硅薄膜，N代表氮化硅薄膜。

另外，氮化硅薄膜不易被氧分子滲透，利用這一優(yōu)點，以氮化硅作為罩幕層(Masking?Layer)，可以在場氧化層制作過程中，防止晶圓表面的有源區(qū)(Active?Area)被氧化，從而起到保護該有源區(qū)的作用。

目前，業(yè)界大都以二氯二氫硅(DCS，SiH₂Cl₂)和氨氣(NH₃)為反應(yīng)物，通過化學氣相沉積工藝(CVD)沉積氮化硅薄膜，以二氯二氫硅和氨氣為反應(yīng)物的氮化硅薄膜的沉積裝置如圖1所示，包括：第一進氣管101、第二進氣管103、氣體反應(yīng)腔105以及尾氣排出管107；所述第一進氣管101和第二進氣管103均與所述氣體反應(yīng)腔105連接，分別將沉積反應(yīng)所需的二氯二氫硅和氨氣輸送到氣體反應(yīng)腔105內(nèi)以進行化學反應(yīng)，并在晶圓上沉積形成需要的氮化硅薄膜；所述尾氣排出管107與所述氣體反應(yīng)腔105連接，用以將沉積反應(yīng)產(chǎn)生的副產(chǎn)物或未反應(yīng)的氣體排出氣體反應(yīng)腔105。

通過圖1中氮化硅薄膜的沉積裝置形成氮化硅薄膜時，氣體反應(yīng)腔105中的溫度需控制在750攝氏度以上，此時反應(yīng)氣體以及反應(yīng)產(chǎn)生的副產(chǎn)物呈氣態(tài)。然而，當圖1中氮化硅薄膜的沉積裝置處于停機或待機狀態(tài)時，氣體反應(yīng)腔105中的溫度降至600攝氏度以下，氣體反應(yīng)腔105內(nèi)反應(yīng)產(chǎn)生的副產(chǎn)物通過尾氣排出管107排出所述氣體反應(yīng)腔105時，易在尾氣排出管107內(nèi)冷凝，形成顆粒狀物質(zhì)粘附在尾氣排出管107內(nèi)壁上，最終導致尾氣排出管107發(fā)生堵塞，影響氮化硅薄膜的沉積裝置的正常工作時間，降低了氮化硅薄膜的沉積裝置的使用率。

現(xiàn)有工藝中，為了防止尾氣排出管107發(fā)生堵塞，在氮化硅薄膜的沉積裝置處于停機或待機狀態(tài)時，通過在尾氣排出管107表面包裹溫度在150至180攝氏度的加熱帶對尾氣排出管107進行保溫，避免反應(yīng)產(chǎn)生的副產(chǎn)物在尾氣排出管107中凝結(jié)。然而，在氮化硅薄膜的沉積裝置處于停機或待機時，需要持續(xù)不斷地通過加熱帶對所述尾氣排出管107進行保溫，導致氮化硅薄膜的沉積裝置使用成本較高。

更多氮化硅薄膜的沉積裝置的介紹請參考公開號為CN1453833A的中國專利申請。

因此，如何避免氮化硅薄膜的沉積裝置的尾氣排出管發(fā)生堵塞，提高氮化硅薄膜的沉積裝置的正常工作時間和降低使用成本，就成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題之一。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是提供一種沉積裝置，防止沉積裝置的尾氣排出管發(fā)生堵塞，提高沉積裝置的正常工作時間，降低其使用成本。

為解決上述問題，本發(fā)明提供了沉積裝置，包括氣體反應(yīng)腔、尾氣排出管和排堵進氣管，其中，所述尾氣排出管與所述氣體反應(yīng)腔連接，所述排堵進氣管位于所述尾氣排出管的側(cè)壁，且與所述尾氣排出管貫通。

可選的，所述排堵進氣管靠近所述尾氣排出管與氣體反應(yīng)腔連接端。

可選的，所述排堵進氣管與所述尾氣排出管一體成型。

可選的，所述排堵進氣管與所述尾氣排出管的側(cè)壁的連接方式為套接或焊接或螺紋連接。

可選的，所述沉積裝置還包括：氣體流量監(jiān)測器或氣體流量監(jiān)控器，所述氣體流量監(jiān)測器或氣體流量監(jiān)控器的一端與所述排堵進氣管的開口連接。

可選的，所述沉積裝置還包括：氣體流量監(jiān)測器或氣體流量監(jiān)控器，所述氣體流量監(jiān)測器或氣體流量監(jiān)控器的一端與尾氣排出管連接，另一端與排堵進氣管連接。

可選的，所述沉積裝置還包括：開關(guān)部件，所述開關(guān)部件的一端與尾氣排出管連接，另一端與排堵進氣管連接。

可選的，所述沉積裝置還包括：開關(guān)部件，所述開關(guān)部件的一端與排堵進氣管的開口連接。

可選的，所述開關(guān)部件為閥門或插塞。

可選的，所述沉積裝置還包括：第一進氣管和第二進氣管，所述第一進氣管和第二進氣管分別與所述氣體反應(yīng)腔貫通連接。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：