[發明專利]SRAM存儲單元、形成存儲單元的電路及形成方法

有效

• 申請號: 201210214726.6
• 申請日: 2012-06-26
• 公開（公告）號: CN103514943B
• 公開（公告）日: 2017-02-22
• 發明（設計）人: 甘正浩;馮軍宏
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413;H01L27/11
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種SRAM存儲單元，其特征在于，包括：

第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第一傳輸晶體管以及第二傳輸晶體管；

第一PMOS晶體管的柵極、第一NMOS晶體管的柵極、第二PMOS晶體管的漏極、第二NMOS晶體管的漏極、第二傳輸晶體管的源極電連接，形成第二存儲節點；第二PMOS晶體管的柵極、第二NMOS晶體管的柵極、第一PMOS晶體管的漏極、第一NMOS晶體管的漏極、第一傳輸晶體管的源極電連接，形成第一存儲節點；

第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管的柵極與字線電連接；第一傳輸晶體管的漏極與第一位線電連接，第二傳輸晶體管的漏極與第二位線電連接；第一PMOS晶體管的源極和第二PMOS晶體管的源極與第一電壓端電連接；第一NMOS晶體管的源極和第二NMOS晶體管的源極與第二電壓端電連接；

其中，所述第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管靠近源極的柵介質層具有缺陷，所述缺陷通過熱載流子注入形成。

2.如權利要求1所述的SRAM存儲單元，其特征在于，所述第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管為NMOS晶體管。

3.如權利要求1所述的SRAM存儲單元，其特征在于，所述第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管為PMOS晶體管。

4.如權利要求1所述的SRAM存儲單元，其特征在于，所述第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管的結構相同，所述第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的結構相同，所述第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管的結構相同。

5.一種形成SRAM存儲單元的電路，其特征在于，包括：

第一電可編程熔絲、第二電可編程熔絲、第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第一傳輸晶體管以及第二傳輸晶體管；

第一PMOS晶體管的柵極、第一NMOS晶體管的柵極、第二PMOS晶體管的漏極、第二NMOS晶體管的漏極、第二傳輸晶體管的源極電連接，形成第二存儲節點；第二PMOS晶體管的柵極、第二NMOS晶體管的柵極、第一PMOS晶體管的漏極、第一NMOS晶體管的漏極、第一傳輸晶體管的源極電連接，形成第一存儲節點；

第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管的柵極與字線電連接；第一傳輸晶體管的漏極與第一位線電連接，第二傳輸晶體管的漏極與第二位線電連接；第一PMOS晶體管的源極和第二PMOS晶體管的源極與第一電壓端電連接；第一NMOS晶體管的源極和第二NMOS晶體管的源極與第二電壓端電連接；

所述第一電可編程熔絲的一端與第一存儲節點電連接，所述第一電可編程熔絲的另一端與第三電壓端電連接；所述第二電可編程熔絲的一端與第二存儲節點電連接，所述第二電可編程熔絲的另一端與第三電壓端電連接。

6.如權利要求5所述的形成SRAM存儲單元的電路，其特征在于，所述電可編程熔絲的結構包括：半導體襯底，位于半導體襯底表面的絕緣層，位于所述絕緣層表面的多晶硅層，位于所述多晶硅層表面的金屬硅化物層，位于所述金屬硅化物層一端的第一金屬互連結構和位于所述金屬硅化物層另一端的第二金屬互連結構，其中，所述多晶硅層和金屬硅化物層的俯視形狀為杠鈴狀。

7.如權利要求5所述的形成SRAM存儲單元的電路，其特征在于，所述第一PMOS晶體管和第二PMOS晶體管的結構相同，所述第一NMOS晶體管和第二NMOS晶體管的結構相同，第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管的結構相同，第一電可編程熔絲和第二電可編程熔絲的結構相同。

8.如權利要求5所述的形成SRAM存儲單元的電路，其特征在于，所述第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管為NMOS晶體管。

9.如權利要求5所述的形成SRAM存儲單元的電路，其特征在于，所述第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管為PMOS晶體管。