[發(fā)明專利]疊層結(jié)構(gòu)與其制造方法、以及包含其的電子裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210213205.9
• 申請(qǐng)日: 2012-06-26
• 公開（公告）號(hào): CN103515415A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃裕銘;李淂裕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 群康科技(深圳)有限公司;奇美電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L23/367;H01L29/786
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種疊層結(jié)構(gòu)與其制造方法、以及包含其的電子裝置，特別是關(guān)于一種具有絕熱或散熱能力的疊層結(jié)構(gòu)與其制造方法、以及包含其的電子裝置。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體、或光電產(chǎn)業(yè)中，常會(huì)對(duì)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)施加一高溫后繼以低溫冷卻的熱處理制程，進(jìn)而使得半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)達(dá)到活化(activation)與退火(annealing)等目的。目前常用的熱處理技術(shù)有：高溫爐管(furnance)、激光退火(laser?annealing)、一般式快速熱處理(Rapid?Thermal?Annealing，RTA)、突發(fā)式高溫快速退火(spike?RTA)、閃光熱退火(Flash?Lamp?Anneal)等。舉例來說，在低溫多晶硅(Low?Temperature?Poly?Silicon)薄膜晶體管的制程中，會(huì)以準(zhǔn)分子激光退火的方式，將非晶硅通道層轉(zhuǎn)換為多晶硅通道層，以增加電子移動(dòng)性(mobility)，得到具有較佳性能的薄膜晶體管。然而，在對(duì)使用軟性基板的可撓曲裝置進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火制程時(shí)，由于準(zhǔn)分子激光退火制程的瞬間加熱溫度可達(dá)1300℃以上，若多晶硅層與軟性基板間的膜層具有較差的絕熱能力，則軟性基板將因高溫而變形或劣化，導(dǎo)致裝置性能下降甚至毀損。

此外，在對(duì)非晶硅層施行準(zhǔn)分子激光退火使其轉(zhuǎn)化成多晶硅層的過程中，若是多晶硅層與基板間的膜層的絕熱能力不足，則經(jīng)激光退火后的非晶硅(液態(tài)硅)的熱量便會(huì)快速地由基板及緩沖層釋放，使得硅管芯成長的時(shí)間受到限制，因此使得多晶硅層具有較小的硅管芯尺寸(grain?size)。然而，多晶硅層中的硅管芯尺寸的大小，將會(huì)直接影響薄膜晶體管的性能。亦即，由較小硅管芯尺寸的硅管芯所構(gòu)成的多晶硅層所制作出的薄膜晶體管陣列，其電子移動(dòng)性將無法提升。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，本發(fā)明提供一種疊層結(jié)構(gòu)，包括：一基板，該基板具有一上表面；一第一緩沖層配置于該基板之上；以及多條第一坑道配置于該緩沖層與該基板之間。

根據(jù)另一實(shí)施例，本發(fā)明還提供上述疊層結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：提供一基板；形成一圖形化光阻層于該基板之上，其中該圖形化光阻層具有多條溝槽貫穿該圖形化光阻層；形成一第一緩沖層于該圖形化光阻層之上，并填入該多條溝槽；以及，移除該圖形化光阻層，形成多條第一坑道配置于該緩沖層與該基板之間。

根據(jù)其他實(shí)施例，本發(fā)明亦提供一種電子裝置，包括上述疊層結(jié)構(gòu)；以及一元件(例如晶體管、或?qū)щ妼?配置于該疊層結(jié)構(gòu)的第一緩沖層之上。

附圖說明

為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作詳細(xì)說明，其中：

圖1a、2、3a為一系列的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，用以說明本發(fā)明一實(shí)施例所述的疊層結(jié)構(gòu)的制造方法。

圖1b為圖1a所示結(jié)構(gòu)的上視圖。

圖3b為圖3a所示結(jié)構(gòu)的上視圖。

圖4及圖5為本發(fā)明其他實(shí)施例所述的疊層結(jié)構(gòu)的上視圖。

圖6至圖8為一系列的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，用以說明本發(fā)明另一實(shí)施例所述的疊層結(jié)構(gòu)的制造方法。

圖9為本發(fā)明其他實(shí)施例所述的電子裝置的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖10及圖11為對(duì)一形成于疊層結(jié)構(gòu)(1)及(2)上的非晶硅層施以準(zhǔn)分子激光退火后，疊層結(jié)構(gòu)(1)及(2)各膜層的溫度與時(shí)間的關(guān)系圖。

主要元件符號(hào)說明：

100~疊層結(jié)構(gòu)；

101~上表面；

102~基板；

103~溝槽；

104~圖形化光阻層；

105~第一坑道；

106~第一緩沖層；

107~第一坑道底部

108~第二緩沖層；

109~第二坑道；

120~元件；

200~電子裝置；

A-A’~切線；

H~高度；

W₁~寬度；以及

W₂~寬度。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明提供一種疊層結(jié)構(gòu)，包含一具有多個(gè)坑道的緩沖層以及一基板。借由調(diào)整該坑道的寬度以及分布，可使該疊層結(jié)構(gòu)具有絕熱或是散熱能力，避免基板應(yīng)熱劣化或是加強(qiáng)后續(xù)形成于該疊層結(jié)構(gòu)的元件的散熱效果。

以下將配合圖示，以說明根據(jù)本發(fā)明所述的疊層結(jié)構(gòu)的制造方法。