[發(fā)明專利]一種用于優(yōu)先透醇滲透汽化復合膜的制備方法

無效

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• 申請日: 2012-06-21
• 公開（公告）號: CN102784568A
• 公開（公告）日: 2012-11-21
• 發(fā)明（設計）人: 張國俊;李杰;紀樹蘭;王乃鑫
• 申請（專利權）人: 北京工業(yè)大學
• 主分類號: B01D71/68
• 分類號: B01D71/68;B01D67/00;B01D69/12
• 代理公司: 北京思海天達知識產(chǎn)權代理有限公司 11203
• 代理人: 張慧

1.一種用于優(yōu)先透醇滲透汽化復合膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

A、制備復合膜：將聚合物、交聯(lián)劑和催化劑分別溶解在溶劑中，經(jīng)攪拌、脫泡，配成制膜液；將該復合液在基膜上涂膜形成分離層，進行高溫硫化，溫度50-150℃，時間3-12h；

B、輻射改性：將步驟A得到的膜在紫外-臭氧環(huán)境中處理1~180分鐘，或用氧等離子體處理5~120秒；

C、組裝低表面能物質：將步驟B處理后的膜置于含有水蒸氣的低表面能物質氣氛中，或通過涂膜法將低表面能物質涂覆于膜表面，自組裝形成優(yōu)先透醇膜，涂膜液中含有水使低表面能物質水解；所述的低表面能物質為硅烷，硅烷為M-SiCl₃、M-SiCl₂(OR)、M-SiCl(OR)₂或M-Si(OR)₃，M為HS(CH₂)_x或F(CF₂)_y(CH₂)_z，其中，18≥x≥0；18≥y≥1，18≥z≥0，R為直鏈或支鏈的C_1-24烴基。

2.按照權利要求1的方法，其特征在于，步驟A所述的聚合物為聚二甲基硅氧烷、聚三甲基-1-丙炔或聚乙烯基三甲基硅烷，交聯(lián)劑為正硅酸乙酯、正硅酸丙酯、硅酸丁酯、二乙氧基硅烷或二甲基硅烷，催化劑為二月桂酸二丁基錫、單丁基氧化錫、二丁基氧化錫、三丙基氧化錫或二丙基氧化錫，溶劑為正庚烷或環(huán)己烷。

3.按照權利要求1的方法，其特征在于，聚合物為聚二甲基硅氧烷，質量濃度為0.1%-25%；交聯(lián)劑為正硅酸乙酯，質量濃度為1%-3%；催化劑為二月桂酸二丁基錫，質量濃度0.01%-0.05%。

4.按照權利要求1的方法，其特征在于，所述的涂膜方法采用刮膜、噴涂、浸漬涂膜、流動涂膜或旋轉涂膜。

5.按照權利要求1的方法，其特征在于，所述的基膜為微濾膜、超濾膜或納濾膜；基膜的組件形式為管式膜、中空纖維膜、平板膜或卷式膜；基膜材料為有機聚合物膜或無機膜。

6.按照權利要求4的方法，其特征在于，有機聚合物膜為聚砜、聚丙烯腈、聚碳酸酯、聚乙烯、聚乙烯醇、聚羥基甲撐、交聯(lián)聚甲基丙烯酸酯、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚六氟丙烯或殼聚糖；無機膜為氧化鋯或氧化鋁。

7.按照權利要求1的方法，其特征在于，基膜的膜孔徑為1納米到100微米之間。

8.按照權利要求1的方法，其特征在于，步驟C涂膜時采用的溶劑為乙醇、甲醇、丙酮、甲苯、乙酸乙酯、二氯甲烷、己烷、四氫呋喃、二甲基甲酰胺或二甲基砜，并加入硅烷有機物1～3倍摩爾量的水。

9.按照權利要求1的方法，其特征在于，低表面能物質的質量濃度為0.5％～4％。

10.按照權利要求1的方法，其特征在于，所述的紫外光波長為185nm和254nm，或365nm；所述的氧等離子體處理運行功率為1-100W。