[發明專利]一種金屬標牌的蝕刻方法

無效

• 申請號: 201210211833.3
• 申請日: 2012-06-26
• 公開（公告）號: CN102747366A
• 公開（公告）日: 2012-10-24
• 發明（設計）人: 張復興
• 申請（專利權）人: 昆山世銘金屬塑料制品有限公司
• 主分類號: C23F1/02
• 分類號: C23F1/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種金屬標牌的蝕刻方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供基板并對所述基板進行表面處理；

涂布感光材料于經過表面處理的所述基板的正面及背面；

曝光經涂布的所述基板的正面及背面；

顯影經曝光的所述基板；

貼覆轉帖膜于經顯影的所述基板的背面；

蝕刻背面貼覆有所述轉帖膜的所述基板的正面；

貼覆所述轉帖膜于經蝕刻的所述基板的正面；

對貼覆有所述轉帖膜的所述基板的背面進行脫膜；

蝕刻經脫膜的所述基板的背面；以及

對貼覆有所述轉帖膜的所述基板的正面進行脫膜。

2.如權利要求1所述的金屬標牌的蝕刻方法，其特征在于，在170～220℃溫度范圍內涂布所述感光材料于所述基板上，并且涂布的速度為1.2～1.5M/min。

3.如權利要求1所述的金屬標牌的蝕刻方法，其特征在于，曝光經涂布的所述基板時的臺面溫度為18～25℃。

4.如權利要求1所述的金屬標牌的蝕刻方法，其特征在于，采用氫氧化鈉溶液或陽圖版顯影液DP-4顯影所述基板，對完成顯影的所述基板進行加熱干燥，干燥溫度為200～220℃。

5.如權利要求4所述的金屬標牌的蝕刻方法，其特征在于，所述陽圖版顯影液DP-4中的DP-4與水的體積比為1∶10～1∶8。

6.如權利要求1所述的金屬標牌的蝕刻方法，其特征在于，所述轉帖膜的耐酸度為8～12％，所述轉帖膜的耐堿度為8～12％，所述轉帖膜的粘度為3～7。

7.如權利要求1至6任一項所述的金屬標牌的蝕刻方法，其特征在于，蝕刻所述基板的正面至所述基板厚度的1/4～3/4。

8.如權利要求7所述的金屬標牌的蝕刻方法，其特征在于，蝕刻背面貼覆有所述轉帖膜的所述基板的正面至所述基板厚度的1/2。

9.如權利要求8所述的金屬標牌的蝕刻方法，其特征在于，蝕刻經脫膜的所述基板的背面至與所述基板的正面貫通。

10.如權利要求9所述的金屬標牌的蝕刻方法，其特征在于，通過氯化鐵溶液進行蝕刻，以質量百分比計算，所述氯化鐵溶液的濃度為32～40％。