[發(fā)明專利]一種Al4SiC4材料的合成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210211513.8 | 申請日: | 2012-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN102730690A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 阮國智;張智慧;尹明強;徐海森;徐國綱 | 申請(專利權)人: | 山東科技大學 |
| 主分類號: | C01B33/00 | 分類號: | C01B33/00;C01B31/30 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 266590 山東省青島經(jīng)*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 al sub sic 材料 合成 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明屬于陶瓷材料領域。具體涉及一種耐火材料用Al4SiC4材料及其合成方法。
背景技術
Al4SiC4具有高熔點、高化學穩(wěn)定性、高強度、低熱膨脹系數(shù)以及非常優(yōu)異的高溫強度、抗氧化和抗水化性能,是一種待開發(fā)的、很有前途的高溫結構和高性能耐火材料。目前國內外合成Al4SiC4材料主要是以金屬(Al+Si)、氧化物(Al2O3+SiO2)和碳粉為原料(Itatani.K,Takahashi.F,et?al,Densification?and?micro-structural?developments?during?the?sintering?of?aluminum?silicon?carbide.Journal?of?Material?Science,2002,37:335-342.),或以碳化物(Al4C3+SiC)為原料(Roger?Wills,Steve?Goodrich,The?Oxidation?of?Aluminum?Silicon?Carbide.Ceramic?Engineering?and?Science?Proceedings,2005,26(3):181~188)在惰性氣體或真空的氣氛中經(jīng)高溫加熱合成。由于需要控制氣氛,且合成溫度高,制造工藝復雜,造成合成的Al4SiC4材料價格高,無法大規(guī)模工業(yè)應用。
中國專利申請?zhí)?01010143590.5(CN102211937A)公開了一種鋁硅碳超細粉體的制備方法。該方法包括下述步驟:1)稱量下述質量百分比的原料:高嶺石20~30%,Al2O3原料40~50%和炭原料20~30%,將所述原料攪拌混合,得混合料;2)將所述混合料在真空或氬氣氣氛中,于1600-1700℃加熱并保溫8-10小時,冷卻后,除去產(chǎn)物表面的雜質層,即得到鋁硅碳超細粉體。該方法也需要在惰性氣體或真空的氣氛中經(jīng)高溫加熱合成,所以仍然沒解決制造工藝復雜、制造的材料成本高的技術問題。
發(fā)明內容
為了克服現(xiàn)有合成Al4SiC4材料技術成本高、工藝復雜的缺陷,本發(fā)明提供一種Al4SiC4材料的制備方法。該方法以Al粉、SiC粉和碳粉為原料,在埋碳氣氛下,利用普通電爐,采用液態(tài)熔鋁燒結法制備Al4SiC4材料,具有成本低、工藝簡單的特點,利于工業(yè)生產(chǎn)和應用。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明Al4SiC4材料的合成方法,是將工業(yè)純的Al粉、SiC粉和碳粉按照重量百分比(55~65)%∶(20~25)%∶(15~25)%的比例混合,經(jīng)壓制成型、干燥后,在埋碳氣氛下采用液態(tài)熔鋁燒結法進行燒制、保溫和冷卻,即得到Al4SiC4材料。
所述Al粉、碳化硅粉及碳粉的粒度優(yōu)選小于0.088mm,所述的碳粉優(yōu)選為為石墨或炭黑。
本發(fā)明更詳細的合成工藝為:按重量百分含量將工業(yè)用的45~65%的Al粉、20~35%的SiC粉、15~30%碳粉在行星球磨中加無水乙醇混合均勻后,80~120℃下烘干,將烘干的混合料在200~300MPa壓力下成型,然后將試樣埋在裝有金屬鋁粉且不帶蓋的石墨坩堝中,金屬鋁粉的量應裝滿石墨坩堝且保證能將試樣完全埋住,再將石墨坩堝埋在裝有焦炭粉的剛玉匣缽中,焦炭粉應將剛玉匣缽裝滿并將石墨坩堝完全埋住,并用剛玉蓋板將匣缽蓋住,再將剛玉匣缽放入電爐內,于1500~1700℃加熱并保溫2~7小時,冷卻后,從石墨坩堝中取出試樣并除去表面的雜質層,即得到Al4SiC4材料。
為了便于成型,在烘干的混合料中加入占烘干后混合料重量0-5%的結合劑。比如0-5%的酚醛樹脂。
本發(fā)明的化學反應式為4Al(l)+3C(S)+SiC(S)→Al4SiC4
本發(fā)明的優(yōu)點是:
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