[發明專利]頭孢拉定分子印跡膜的制備方法和用途

有效

• 申請號: 201210211450.6
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN102731817A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 沈生榮;于海寧;曾思敏
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C08J9/26
• 分類號: C08J9/26;C08J7/16;C08L33/20;B01D71/78;B01D67/00;G01N21/64
• 代理公司: 杭州中成專利事務所有限公司 33212
• 代理人: 金祺

技術領域

本發明涉及一種頭孢拉定分子印跡膜的制備及其用途。

背景技術

頭孢拉定（Cephrading,?Velosef）又稱先鋒霉素Ⅵ、頭孢菌素Ⅵ等，是第一代半合成頭孢菌素，抗菌范圍廣，口服吸收好，血藥濃度較高，特點是耐β內酰胺酶，對耐藥性金黃色葡萄球菌及其他多種對光譜抗生素耐藥的桿菌等有迅速而可靠地殺菌作用。主要以原形經尿排泄，尿中濃度較高。臨床主要用于呼吸道、泌尿道、皮膚和軟組織等的感染。中國藥典2005版采用HPLC測定頭孢拉定膠囊含量，而目前文獻報道的測定方法有分光光度法、化學發光法、高效毛細管電泳法、旋光法及紫外分光光度法等。但分光光度法靈敏度不高，化學發光法通常需要在酸性或堿性條件下水解使其產生化學發光反應，而毛細管電泳法及高效液相色譜法需要昂貴的儀器和經過專業訓練的操作人員，所用時間也較長。頭孢拉定為我國臨床醫療的常備藥品，因其用量大，排泄量也較大，不易降解，易在環境中積累，造成抗生素污染。因此，建立一種測試費用低、操作簡便、靈敏度高的測試方法，將對藥物的代謝研究和質量控制提供有效手段。

分子印跡技術（Molecular?Imprinting?technique,?MIT）是指為獲得在空間和結合位點上與某一分子（模板分子）完全匹配的聚合物的制備技術，具有很高的特異性和選擇性。現有的分子印跡聚合物都需經干燥、研磨、破碎、篩分等過程，這些過程很容易破壞聚合物的結合位點，操作費時費力，易造成聚合物粒子形態不規整。將分子印跡技術與膜分離領域結合制成的分子印跡膜，兼具分子印跡和膜技術的特點，不需要研磨等制備過程，且克服了膜技術中無法實現特定物質選擇性分離的缺點，實現了特異地將目標分子從混合物中分離純化的目的。

目前，頭孢拉定分子印跡膜的制備并利用其進行頭孢拉定分析檢測的方法未見報道。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種對頭孢拉定分子有特異性吸附作用的分子印跡膜的制備方法，并利用該分子印跡膜進行頭孢拉定濃度的檢測。

為了解決上述技術問題，本發明提供一種頭孢拉定分子印跡膜的制備方法，包括以下步驟：

1）、采用相轉化法制備聚丙烯腈基膜：

聚丙烯腈干燥處理后與氯化鋰按照4~6：1的重量比一同加入N-甲基吡咯烷酮中，于55~65℃攪拌（例如為磁力攪拌），待聚丙烯腈與氯化鋰充分溶解后，得溶液；每1g氯化鋰配用25~28ml的?N-甲基吡咯烷酮，

溶液經過濾脫泡后于55~65℃靜置1.5~2.5h；然后進行刮膜，得聚丙烯腈基膜；所得的聚丙烯腈基膜放入去離子水中浸泡30~40h；?

2）、頭孢拉定分子印跡膜的制備：

以頭孢拉定作為模板分子，以甲基丙烯酸（MAA）作為功能單體，以乙二醇二甲基丙烯酸酯(EGDMA)作為交聯劑；以偶氮二異丁腈(AIBN)作為引發劑；

在0.5?mmol的頭孢拉定中滴加90~110μl的四丁基氫氧化銨后再加入4.5~5.5ml的甲醇，待頭孢拉定完全溶解后，再加入1~2?g的無水硫酸鎂攪拌1.5~2.5h；過濾，得濾液；

注：無水硫酸鎂的作用是去除頭孢拉定中的結晶水；

在濾液中加入甲基丙烯酸（MAA）、乙二醇二甲基丙烯酸酯(EGDMA)和偶氮二異丁腈(AIBN)，均勻攪拌后（攪拌至偶氮二異丁腈溶解后），得膜液；用于制備濾液的頭孢拉定：甲基丙烯酸（MAA）：乙二醇二甲基丙烯酸酯(EGDMA)=?1:2~6：18~22的摩爾比；每份由0.5?mmol頭孢拉定制備而得的濾液配用35~45?mg的偶氮二異丁腈(AIBN)；

將步驟1）所得浸泡后的聚丙烯腈基膜自然干燥后，得干燥后基膜；將膜液通氮氣脫氧（8~12min），得脫氧后膜液；將干燥后基膜先放入脫氧后膜液中浸泡1.5~2.5h，然后，再真空密封后于55~65?℃聚合45~50h；將經上述聚合處理后所得的膜用甲醇和乙酸的混合液洗脫至洗脫液檢測不出模板分子為止，得頭孢拉定分子印跡膜；

甲醇和乙酸的混合液中，甲醇的體積濃度為88~92%。

備注說明：每4.8~5.2g?聚丙烯腈制備而得的聚丙烯腈基膜配用由0.5?mmol頭孢拉定制成的膜液。

所得的頭孢拉定分子印跡膜可放在甲醇中保存，使用前取出干燥（即，使甲醇被揮發）。

作為本發明的頭孢拉定分子印跡膜的制備方法的改進：刮膜時，控制膜的厚度為100~200μm；從而減少膜的溶脹帶來的影響。