[發明專利]濺射裝置

在審

• 申請號: 201210211440.2
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN102925867A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 許明洙
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/54;C23C14/08
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;姚志遠

技術領域

本申請所描述技術通常涉及一種濺射裝置。

背景技術

濺射裝置是用于在沉積目標處形成沉積層的裝置。

當將金屬氧化物層作為沉積層沉積時，傳統的濺射設備使用反應濺射法在沉積目標處形式金屬氧化物層。當使用反應濺射法將金屬氧化物層沉積至沉積目標時，沉積源與沉積目標之間的濺射壓強設置為約6.7x10^-1Pa。在這種情況下，從沉積源釋放的顆粒的平均自由程大約是在沉積源和沉積目標之間的5cm，因此大部分顆粒在到達沉積目標之前就互相碰撞，因此動能降低。相應地，在沉積目標處形成的沉積層的密度會惡化或降低。

特別是，當沉積目標是包括有機材料的襯底時，襯底因受熱易損性而不能被加熱到較高溫度，因此當濺射壓強設為約6.7x10^-1Pa時，在包括有機材料的襯底處形成的沉積層的密度會降低或惡化。

在背景技術部分所公開的上述信息，僅僅是為了加強對構成所述技術的背景的理解，因此，其可能包括未成為現有技術的信息，但是這些信息已經被本國的本領域普通技術人員所了解。

發明內容

本發明的實施方式提供了一種濺射設備，其可以改善在沉積目標處形成的沉積層的密度。

本發明實施方式的一個方面提供了一種濺射設備，用于將沉積材料從沉積源沉淀至沉積目標，其中，所述沉積源和所述沉積目標之間的濺射壓強為從6.70x10^-2Pa至1.34x10^-1Pa。

該濺射設備可包括：背板，與所述沉積目標接觸；以及磁性物質，與所述背板接觸，其中，所述背板可位于所述沉積源和所述磁性物質之間。

位于所述沉積源的表面處并與所述磁性物質對應的磁通量密度可以為從1.17x10³高斯至1.70x10³高斯。

所述磁性物質可包括多個磁性物質，并且所述濺射設備還可包括用于冷卻水的冷卻通道，所述冷卻通道可位于所述多個磁性物質中的相鄰磁性物質之間。

所述沉積材料可包括金屬氧化物。

所述金屬氧化物可包括選自由ITO、錫氧化物（SnOx）和鋅氧化物（ZnO）構成的組中的至少一種。

所述沉積源與所述沉積目標可間隔10cm。

所述濺射設備可配置為在所述沉積源與所述沉積目標之間產生6.70x10^-2Pa的濺射壓強。

所述濺射設備可配置為在低于150°C的溫度下將所述沉積材料沉積至所述沉積目標。

根據本發明的示例性實施方式，提供了一種濺射設備，通過該濺射設備，可以改善在沉積目標處形成的沉積層的密度。

附圖簡要說明

圖1示出了根據本發明示例性實施方式的濺射裝置。

圖2和圖3是與根據圖1所示的示例性實施方式的濺射裝置所涉及的實驗數據相對應的圖表。

圖4(a)和4(b)是示出第一比較實施例和圖1所示的示例性實施方式的第一實驗實施例的照片。

圖5(a)和5(b)是示出第二比較實施例和圖1所示的示例性實施方式的第二實驗實施例的照片。

具體實施方式

以下將參照附圖更全面地描述本發明的實施方式，其中，示出了本發明的示例性實施方式。如本領域的技術人員將能實現的，在不脫離本發明的精神和范圍的情況下，可以以各種不同的方式對所述實施方式進行修改。

為了闡明本發明的實施方式,可能省略了與本發明不相關的那些部分。在整個說明書中，相同的參考標記表示相同的元件。

此外，附圖所示的每個部件的尺寸和厚度可能是隨意示出的，以便于理解和說明，但是本發明并不限于此。

此外，除非另有說明，詞語“包括”及其變體“包含”或“包含有”將被理解為包括所述元件，但是不排除其它元件。應當理解，在整個說明書中，當一個元件稱作位于另一元件“之上”時，該一個元件可以直接位于該另一元件之上，或者也可以存在一個或多個插入元件。

在下文中，將參照圖1-圖3描述根據本發明示例性實施方式的濺射裝置。

圖1示出了根據本發明示例性實施方式的濺射裝置。

如圖1所示，根據本示例性實施方式的濺射裝置在沉積目標10上形成沉積層，濺射裝置包括腔100、氣體供應單元200、排氣泵300、沉積源400、背板500、磁性物質600、冷卻通道700、電極800和保持部900。

腔100用于在濺射處理期間生成真空。