[發(fā)明專(zhuān)利]濺射裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210211440.2
• 申請(qǐng)日: 2012-06-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102925867A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許明洙
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/34
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/34;C23C14/54;C23C14/08
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204
• 代理人: 余朦;姚志遠(yuǎn)

1.一種濺射設(shè)備，用于將沉積材料從沉積源沉淀至沉積目標(biāo)，

其中，所述沉積源和所述沉積目標(biāo)之間的濺射壓強(qiáng)為從6.70x10^-2Pa至1.34x10^-1Pa。

2.如權(quán)利要求1所述的濺射設(shè)備，其中，所述濺射設(shè)備配置為在低于150°C的溫度下將所述沉積材料沉積至所述沉積目標(biāo)。

3.如權(quán)利要求1所述的濺射設(shè)備，包括：

背板，與所述沉積目標(biāo)接觸；以及

磁性物質(zhì)，與所述背板接觸，

其中，所述背板位于所述沉積源和所述磁性物質(zhì)之間。

4.如權(quán)利要求3所述的濺射設(shè)備，其中，所述濺射設(shè)備配置為在低于150°C的溫度下將所述沉積材料沉積至所述沉積目標(biāo)。

5.如權(quán)利要求3所述的濺射設(shè)備，其中，位于所述沉積源的表面處并與所述磁性物質(zhì)對(duì)應(yīng)的磁通量密度為從1.17x10³高斯至1.70x10³高斯。

6.如權(quán)利要求5所述的濺射設(shè)備，其中，所述濺射設(shè)備配置為在低于150°C的溫度下將所述沉積材料沉積至所述沉積目標(biāo)。

7.如權(quán)利要求3所述的濺射設(shè)備，其中，所述磁性物質(zhì)包括多個(gè)磁性物質(zhì)，以及

其中，所述濺射設(shè)備還包括用于冷卻水的冷卻通道，所述冷卻通道位于所述多個(gè)磁性物質(zhì)中的相鄰磁性物質(zhì)之間。

8.如權(quán)利要求7所述的濺射設(shè)備，其中，所述濺射設(shè)備配置為在低于150°C的溫度下將所述沉積材料沉積至所述沉積目標(biāo)。

9.如權(quán)利要求1所述的濺射設(shè)備，其中，所述沉積材料包括金屬氧化物。

10.如權(quán)利要求9所述的濺射設(shè)備，其中，所述濺射設(shè)備配置為在低于150°C的溫度下將所述沉積材料沉積至所述沉積目標(biāo)。

11.如權(quán)利要求9所述的濺射設(shè)備，其中，所述金屬氧化物包括選自由ITO、錫氧化物和鋅氧化物構(gòu)成的組中的至少一種。

12.如權(quán)利要求11所述的濺射設(shè)備，其中，所述濺射設(shè)備配置為在低于150°C的溫度下將所述沉積材料沉積至所述沉積目標(biāo)。

13.如權(quán)利要求1所述的濺射設(shè)備，其中，所述沉積源與所述沉積目標(biāo)間隔10cm。

14.如權(quán)利要求13所述的濺射設(shè)備，其中，所述濺射設(shè)備配置為在低于150°C的溫度下將所述沉積材料沉積至所述沉積目標(biāo)。

15.如權(quán)利要求1所述的濺射設(shè)備，其中，所述濺射設(shè)備配置為在所述沉積源與所述沉積目標(biāo)之間產(chǎn)生6.70x10^-2Pa的濺射壓強(qiáng)。

16.如權(quán)利要求15所述的濺射設(shè)備，其中，所述濺射設(shè)備配置為在低于150°C的溫度下將所述沉積材料沉積至所述沉積目標(biāo)。