[發明專利]半導體裝置以及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201210211291.X
• 申請日: 2012-06-21
• 公開（公告）號: CN103367337A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 渡邊弘道;岡謙治
• 申請（專利權）人: 富士通天株式會社
• 主分類號: H01L23/66
• 分類號: H01L23/66;H01L21/60
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 樊建中

技術領域

本發明涉及一種半導體裝置以及半導體裝置的制造方法。

背景技術

一直以來，當制造毫米波雷達等時，使用高頻模塊作為電子部件。高頻模塊具有MMIC(單片微波集成電路：Monolithic?Microwave?Integrated?Circuit)等芯片以及用于配置和連接上述芯片的電路基板。圖7為在現有技術中引線連接了電路基板101和MMIC芯片102的半導體裝置100的剖視圖。如圖7所示，在以往的高頻模塊中，在電路基板101的平面部上形成了凹部(cavity)，在其內部配置了MMIC芯片(斜線部)102。由于凹部的深度與MMIC的芯片高度大致相同，因此，基板101的接合面和芯片102的接合面成為大致相同的高度。由此，在基板101和芯片102之間能夠較短地布線引線W101和W102。由于引線的長度對信號的傳輸速度或傳輸損耗產生影響，因此，為了提高傳輸性能，很重要的一點就是縮短電子部件的引線長度。

但是，為了形成凹部，需要在基板表面設置如芯片的表面積那么大的開口部，并且進行與芯片的高度相同的挖掘的工序。另外，在能夠形成凹部的電路基板的制造中，大多會使用陶瓷，在這種情況下，制造成本會增加。特別是在樹脂基板的情況下，由于需要很高的加工精確度，因此，會在基板的加工中耗費很多時間，該時間從反映到制造成本中的結果來看，成為導致高頻模塊、甚至是毫米波雷達的競爭力下降的主要原因。如上所述，為了縮短引線長度而將MMIC芯片配置在凹部內會伴隨著很大的成本。

為了避免上述成本的增加，存在以下的方法，即，在基板上粘接MMIC芯片，用引線將該芯片和基板上的傳輸線路連接。利用該方法的話，雖然加工成本降低，但引線長度增大，其結果是可能阻礙高性能化。因此，為了縮短引線長度，通常在從芯片側向基板上的傳輸線路側布線的引線接合工序中，進行逆向(從線路側到芯片側的方向)的布線。這種接合方法被稱為逆向接合(reverse?bonding)，一直以來主要用于使封裝的高度變薄。

(現有技術文獻)

(專利文獻)

專利文獻1：特開2007-184385號公報

(發明概要)

(發明要解決的技術問題)

但是，在上述接合技術中存在例如如下所示的問題。即，在逆向接合中，并不是基板上的線路側而是芯片側成為第二接合，因此，通過縮短引線長度而提高了傳輸性能，但另一方面，有時會產生因接合導致的芯片損壞或因探針痕導致的接合性降低的問題。作為解決這一問題的技術，雖然BSOB(球打線：Bond?Stitch?On?Ball)很有效，但在BSOB的執行工序中需要新的加工時間。另外，還存在隨著加工時間的增加而使生產節拍(tact)(每個產品的制造時間)增長的問題。

發明內容

本發明所公開的技術就是鑒于上述問題而實現的，其目的是提供一種能夠抑制成本并提高傳輸性能的半導體裝置以及半導體裝置的制造方法。

(解決技術問題的手段)

為了解決上述課題并達到目的，本申請所公開的半導體裝置在一個實施方式中具有基板、芯片、傳輸線路、第一引線以及第二引線。上述芯片設置在基板上。上述傳輸線路形成在上述基板上且與上述芯片電連接。上述第一引線是一端與上述芯片的端子進行接合之后，另一端與上述傳輸線路的端子進行了接合的引線。上述第二引線是一端與上述傳輸線路的端子進行接合之后，另一端與上述芯片的端子進行了接合的引線。

(發明效果)

根據本申請公開的半導體裝置的一個實施方式，能夠抑制成本并提高傳輸性能。

附圖說明

圖1是設置有混合了通常接合與逆向接合的接收用MMIC芯片的基板表面的局部放大圖。

圖2是設置有混合了通常接合與逆向接合的發送用MMIC芯片的基板表面的局部放大圖。

圖3是通過通常接合進行了引線連接的半導體裝置的局部剖視圖。

圖4是通過逆向接合進行了引線連接的半導體裝置的局部剖視圖。

圖5表示在基板上具有抗蝕劑的半導體裝置通過通常接合進行引線連接的情況。

圖6表示在基板上沒有抗蝕劑的半導體裝置通過逆向接合進行引線連接的情況。

圖7是在現有技術中引線連接了MMIC芯片和電路基板的半導體裝置的剖視圖。

圖中：

10????半導體裝置

11????電路基板

12????MMIC芯片

12a???芯片焊盤

13a～13l、13p～13u??傳輸線路(通常接合)