[發(fā)明專利]晶化裝置、晶化方法、有機(jī)發(fā)光顯示裝置及制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210210709.5 | 申請(qǐng)日: | 2012-06-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103094081B | 公開(公告)日: | 2017-03-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金成虎;金度嶺;申旼澈;崔珉煥;許宗茂 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/268 | 分類號(hào): | H01L21/268;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11204 | 代理人: | 余朦,姚志遠(yuǎn) |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 化裝 方法 有機(jī) 發(fā)光 顯示裝置 制造 | ||
1.用于對(duì)形成在襯底上的半導(dǎo)體層進(jìn)行晶化的晶化裝置,包括:
激光發(fā)生器,生成激光束;以及
臺(tái),所述襯底安裝在所述臺(tái)上,
其中,所述半導(dǎo)體層被分成多個(gè)晶化區(qū)域和多個(gè)非晶化區(qū)域,所述激光束多次照射在所述晶化區(qū)域上,以使所述晶化區(qū)域晶化,其中,所述激光束多次照射在相同晶化區(qū)域的不同位置上。
2.如權(quán)利要求1所述的晶化裝置,其中所述晶化區(qū)域和所述非晶化區(qū)域被重復(fù)地劃分。
3.如權(quán)利要求1所述的晶化裝置,其中,所述激光束是具有主軸和輔軸的線光束。
4.如權(quán)利要求3所述的晶化裝置,其中,當(dāng)所述激光束在輔軸方向上移動(dòng)時(shí),所述激光束順序地照射在所述晶化區(qū)域上。
5.如權(quán)利要求3所述的晶化裝置,其中,所述晶化區(qū)域并排設(shè)置,所述激光發(fā)生器適于將第一激光束順序地照射到所述晶化區(qū)域上,然后將第二激光束順序地照射到所述晶化區(qū)域上。
6.如權(quán)利要求5所述的晶化裝置,其中,與將被照射到所述晶化區(qū)域上的所述第一激光束相比,所述第二激光束在所述第一激光束的主軸方向上移動(dòng)的更多。
7.如權(quán)利要求1所述的晶化裝置,其中,由所述激光發(fā)生器生成的所述激光束是脈沖激光。
8.用于對(duì)形成在襯底上的半導(dǎo)體層進(jìn)行晶化的晶化裝置,包括:
激光發(fā)生器,生成激光束;以及
臺(tái),所述襯底安裝在所述臺(tái)上,
其中,所述半導(dǎo)體層被分成多個(gè)晶化區(qū)域和多個(gè)非晶化區(qū)域,所述激光束多次照射在所述晶化區(qū)域上,以使所述晶化區(qū)域晶化,其中,多次照射在相同晶化區(qū)域上的激光束具有不同的輪廓。
9.如權(quán)利要求8所述的晶化裝置,其中,所述晶化區(qū)域并排設(shè)置,所述激光發(fā)生器適于將第一激光束順序地照射到所述晶化區(qū)域上,然后將第二激光束順序地照射到所述晶化區(qū)域上。
10.如權(quán)利要求9所述的晶化裝置,其中,所述第一激光束和所述第二激光束具有不同的輪廓。
11.晶化方法,包括:
將襯底安裝在臺(tái)上,其中分為多個(gè)晶化區(qū)域和多個(gè)非晶化區(qū)域的半導(dǎo)體層形成在所述襯底的表面上;以及
將激光束多次照射到所述晶化區(qū)域上;
其中,照射所述激光束的步驟包括:順序地將所述激光束照射到所述晶化區(qū)域上,然后通過改變所述激光束的位置,順序地將所述激光束照射到所述晶化區(qū)域上。
12.如權(quán)利要求11所述的晶化方法,其中,所述晶化區(qū)域和所述非晶化區(qū)域被重復(fù)地劃分。
13.如權(quán)利要求11所述的晶化方法,其中,所述激光束是具有主軸和輔軸的線光束。
14.如權(quán)利要求13所述的晶化方法,其中,當(dāng)所述激光束在所述輔軸方向上移動(dòng)時(shí),所述激光束順序地照射在所述晶化區(qū)域上。
15.如權(quán)利要求13所述的晶化方法,其中,所述晶化區(qū)域并排設(shè)置,照射所述激光束的步驟包括:順序地將第一激光束照射到所述晶化區(qū)域上,然后順序地將第二激光束照射到所述晶化區(qū)域上。
16.如權(quán)利要求15所述的晶化方法,其中,與將被照射到所述晶化區(qū)域的所述第一激光束相比,所述第二激光束在所述第一激光束的主軸方向上移動(dòng)的更多。
17.如權(quán)利要求11所述的晶化方法,其中,所述激光束是脈沖激光。
18.晶化方法,包括:
將襯底安裝在臺(tái)上,其中半導(dǎo)體層被分成多個(gè)晶化區(qū)域和多個(gè)非晶化區(qū)域;以及
將激光束多次照射到所述晶化區(qū)域上;
其中,照射所述激光束的步驟包括:順序地將所述激光束照射到所述晶化區(qū)域上,然后通過改變所述激光束的輪廓,順序地將所述激光束照射到所述晶化區(qū)域上。
19.如權(quán)利要求18所述的晶化方法,其中,所述晶化區(qū)域并排設(shè)置,照射所述激光束的步驟包括:將第一激光束順序地照射到所述晶化區(qū)域上,然后將第二激光束順序地照射到所述晶化區(qū)域上。
20.如權(quán)利要求19所述的晶化方法,其中,所述第一激光束和所述第二激光束具有不同的輪廓。
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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