[發(fā)明專利]晶化裝置、晶化方法、有機(jī)發(fā)光顯示裝置及制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210210709.5
• 申請(qǐng)日: 2012-06-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103094081B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金成虎;金度嶺;申旼澈;崔珉煥;許宗茂
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/268
• 分類號(hào): H01L21/268;H01L51/56
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11204
• 代理人: 余朦,姚志遠(yuǎn)

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用?

本申請(qǐng)要求2011年11月7日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2011-0115374號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的權(quán)益，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用并入本文中。?

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及晶化裝置、晶化方法和有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造方法。?

背景技術(shù)

有源矩陣（AM）型有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括在每個(gè)像素中的像素驅(qū)動(dòng)電路，像素驅(qū)動(dòng)電路包括由硅形成的薄膜晶體管（TFT）。形成TFT的硅包括非晶硅或多晶硅。?

像素驅(qū)動(dòng)電路中使用的非晶硅TFT（a-Si?TFT）具有形成源極、漏極和溝道的半導(dǎo)體有源層由非晶硅形成的結(jié)構(gòu)，因此該非晶硅TFT具有等于或小于1cm²/Vs的較低電子遷移率。相應(yīng)地，最近，多晶硅TFT（poly-Si?TFT）已經(jīng)替代了非晶硅TFT。多晶硅TFT具有比非晶硅TFT更高的電子遷移率，并且相對(duì)于照射的光具有極佳的穩(wěn)定性。因此，多晶硅TFT非常適于用作AM型有機(jī)發(fā)光顯示裝置的驅(qū)動(dòng)和/或切換TFT的有源層。?

可以通過(guò)多種方法中的一種來(lái)制造多晶硅TFT，該多種方法可以大致分為直接沉積多晶硅的方法以及沉積并晶化多晶硅的方法。

直接沉積多晶硅的方法的示例包括化學(xué)氣相淀積（CVD）、光化學(xué)氣相沉積（photo?CVD）、氫基（HR）化學(xué)氣相沉積（hydrogen?radical?CVD）、電子回旋共振（ECR）化學(xué)氣相沉積（electron?cyclotron?resonance?CVD）、等離子體增強(qiáng)（PE）化學(xué)氣相沉積（plasma?enhanced?CVD）、低壓（LP）化學(xué)氣相沉積（low?pressure?CVD）等。?

沉積并晶化多晶硅的方法的示例包括固相晶化法（SPC）、準(zhǔn)分子激?光晶化法（ELC）、金屬誘導(dǎo)晶化法（MIC）、金屬誘導(dǎo)側(cè)向晶化法（MILC）、連續(xù)側(cè)向結(jié)晶法（SLS）等。?

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施方式的一個(gè)或多個(gè)方面提供了一種晶化裝置和晶化方法，用于選擇性地晶化襯底上的部分區(qū)域，以通過(guò)去除可能在選擇性晶化期間生成的瑕疵來(lái)改進(jìn)可視性，而且提供了一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。?

根據(jù)實(shí)施方式的一個(gè)方面，提供了一種用于對(duì)形成在襯底上的半導(dǎo)體層進(jìn)行晶化的晶化裝置，包括：激光發(fā)生器，生成激光束；以及臺(tái)，所述襯底安裝在所述臺(tái)上，其中，所述半導(dǎo)體層被分成多個(gè)晶化區(qū)域和多個(gè)非晶化區(qū)域，所述激光束多次照射在所述晶化區(qū)域上，以使所述晶化區(qū)域晶化，其中，所述激光束多次照射在相同晶化區(qū)域的不同位置上。?

所述晶化區(qū)域和所述非晶化區(qū)域可被重復(fù)地劃分。?

所述激光束可以是具有主軸和輔軸的線光束。?

當(dāng)所述激光束在輔軸方向上移動(dòng)時(shí)，所述激光束可順序地照射在所述晶化區(qū)域上。

所述晶化區(qū)域可并排設(shè)置，所述激光發(fā)生器可適于將第一激光束順序地照射到所述晶化區(qū)域上，然后將第二激光束順序地照射到所述晶化區(qū)域上。?

與將被照射到所述晶化區(qū)域上的所述第一激光束相比，所述第二激光束可在所述第一激光束的主軸方向上移動(dòng)的更多。?

由所述激光發(fā)生器生成的所述激光束可以是脈沖激光。?

根據(jù)實(shí)施方式的另一方面，提供了一種用于對(duì)形成在襯底上的半導(dǎo)體層進(jìn)行晶化的晶化裝置，包括：激光發(fā)生器，生成激光束；以及臺(tái)，所述襯底安裝在所述臺(tái)上，其中，所述半導(dǎo)體層被分成多個(gè)晶化區(qū)域和多個(gè)非晶化區(qū)域，所述激光束多次照射在所述晶化區(qū)域上，以使所述晶化區(qū)域晶化，其中，多次照射在相同晶化區(qū)域上的激光束具有不同的輪廓。?

所述晶化區(qū)域可并排設(shè)置，所述激光發(fā)生器可適于將第一激光束順序地照射到所述晶化區(qū)域上，然后將第二激光束順序地照射到所述晶化?區(qū)域上。?

所述第一激光束和所述第二激光束可具有不同的輪廓。?

根據(jù)實(shí)施方式的另一方面，提供了一種晶化方法，包括：將襯底安裝在臺(tái)上，其中分為多個(gè)晶化區(qū)域和多個(gè)非晶化區(qū)域的半導(dǎo)體層形成在所述襯底的表面上；以及將激光束多次照射到所述晶化區(qū)域上；其中，照射所述激光束的步驟包括：順序地將所述激光束照射到所述晶化區(qū)域上，然后通過(guò)改變所述激光束的位置，順序地將所述激光束照射到所述晶化區(qū)域上。?

所述晶化區(qū)域和所述非晶化區(qū)域可被重復(fù)地劃分。?

所述激光束可以是具有主軸和輔軸的線光束。?

當(dāng)所述激光束在所述輔軸方向上移動(dòng)時(shí)，所述激光束可順序地照射在所述晶化區(qū)域上。?