[發(fā)明專利]化學(xué)氣相沉積方法及利用其制造發(fā)光器件的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210210547.5
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN102888594A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金范埈;金起成;金榮善;高德吉;林珍永;鄭義俊
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/52;H01L33/00;H01L33/06
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星

本申請要求于2011年7月20日提交到韓國知識產(chǎn)權(quán)局的第10-2011-0072074號韓國專利申請的權(quán)益，該申請的公開通過引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種化學(xué)氣相沉積(CVD)方法及一種利用該CVD方法制造發(fā)光器件的方法，更具體地說，涉及一種交替地噴射不同的流動氣體以改變工藝溫度的CVD方法以及一種利用該CVD方法制造發(fā)光器件(LED)的有源層的方法。

背景技術(shù)

通常，化學(xué)氣相沉積設(shè)備(CVD)設(shè)備是用于利用化學(xué)反應(yīng)在沉積靶上形成薄膜的設(shè)備，沉積靶通常包括諸如半導(dǎo)體晶片的基底。具體地說，CVD設(shè)備將具有高蒸氣壓的反應(yīng)氣體噴射到在真空室中加熱的基底，從而在基底上生長反應(yīng)氣體的薄膜。

近來，隨著半導(dǎo)體器件變得小型化并且開發(fā)了具有高效率和高輸出的發(fā)光器件(LED)，諸如金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)方法的CVD方法被廣泛地應(yīng)用。另外，隨著室和基座的尺寸增加，在多個沉積靶上均勻地生長薄膜以在多個沉積靶上同時引起沉積反應(yīng)已經(jīng)成為核心技術(shù)。這里，沉積靶均放置在附屬盤(satellite?disk)上，附屬盤均被容納在形成在基座中的多個凹部(pocket)中。為了促進(jìn)薄膜在沉積靶上的均勻生長，將基座自身設(shè)計(jì)為旋轉(zhuǎn)的，此外，其上放置有沉積靶的附屬盤被設(shè)計(jì)為旋轉(zhuǎn)的。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的多個方面將在下面的描述中部分地進(jìn)行闡述，并且部分地將通過描述而清楚，或者可通過實(shí)施本實(shí)施例而明了。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，一種化學(xué)氣相沉積(CVD)方法包括：在第一工藝溫度下在安裝在附屬盤上的基底上形成第一半導(dǎo)體層；在第二工藝溫度下在第一半導(dǎo)體層上形成第二半導(dǎo)體層，其中，形成第一半導(dǎo)體層的步驟和形成第二半導(dǎo)體層的步驟執(zhí)行至少一次。

可分別利用第一流動氣體和第二流動氣體來控制第一工藝溫度和第二工藝溫度。

第一流動氣體的導(dǎo)熱性可以與第二流動氣體的導(dǎo)熱性不同。

第一流動氣體和第二流動氣體中的每個可包括從由Ar、H₂、N₂、He、O₂、CO₂和NH₃組成的組中選擇的至少一種。

第一工藝溫度與第二工藝溫度之間的差可為大約50℃至大約150℃。

CVD方法還可包括在第三工藝溫度下在第二半導(dǎo)體層上形成第三半導(dǎo)體層。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種利用化學(xué)氣相沉積(CVD)方法制造發(fā)光器件(LED)的方法包括：在第一工藝溫度下在安裝在附屬盤上的基底上形成量子勢阱層；在第二工藝溫度下在量子勢阱層上形成量子勢壘層，其中，形成量子勢阱層的步驟和形成量子勢壘層的步驟執(zhí)行至少一次。

可分別利用第一流動氣體和第二流動氣體來控制第一工藝溫度和第二工藝溫度。

第一流動氣體的導(dǎo)熱性可與第二流動氣體的導(dǎo)熱性不同。

第一流動氣體的導(dǎo)熱性可低于第二流動氣體的導(dǎo)熱性。

第一流動氣體和第二流動氣體中的每個可包括從由Ar、H₂、N₂、He、O₂、CO₂和NH₃組成的組中選擇的至少一種。

第一工藝溫度可為大約900℃至大約1200℃。

第二工藝溫度可為大約900℃至大約1200℃。

第一工藝溫度與第二工藝溫度之間的差可為大約50℃至大約150℃。

第一流動氣體可以包括Ar，第二流動氣體可以包括H₂。

第一流動氣體可以包括N₂，第二流動氣體可以包括H₂。

量子勢阱層和量子勢壘層中的每個可包括從由GaN、AlGaN、InGaN和AlGaInN組成的組中選擇的至少一種。

量子勢阱層可包括In_xGa_1-xN(0≤x≤1)。

量子勢壘層可包括In_xGa_1-xN(0≤x≤0.4)。

附圖說明

通過下面結(jié)合附圖進(jìn)行的對實(shí)施例的描述，這些和/或其它方面將變得清楚且更容易理解，在附圖中：

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在化學(xué)氣相沉積(CVD)中使用的化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備的示意性剖視圖；