[發(fā)明專利]化學(xué)氣相沉積方法及利用其制造發(fā)光器件的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210210547.5
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN102888594A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金范埈;金起成;金榮善;高德吉;林珍永;鄭義俊
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/52;H01L33/00;H01L33/06
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星

1.一種化學(xué)氣相沉積方法，所述化學(xué)氣相沉積方法包括下述步驟：

在第一工藝溫度下在安裝在附屬盤上的基底上形成第一半導(dǎo)體層；以及

在第二工藝溫度下在第一半導(dǎo)體層上形成第二半導(dǎo)體層，

其中，形成第一半導(dǎo)體層的步驟和形成第二半導(dǎo)體層的步驟執(zhí)行至少一次。

2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積方法，所述化學(xué)氣相沉積方法還包括通過流動到基座的第一流動氣體控制第一工藝溫度以及通過流動到基座的第二流動氣體控制第二工藝溫度。

3.如權(quán)利要求2所述的化學(xué)氣相沉積方法，其中，第一流動氣體的導(dǎo)熱性與第二流動氣體的導(dǎo)熱性不同。

4.如權(quán)利要求2所述的化學(xué)氣相沉積方法，其中，第一流動氣體和第二流動氣體中的每種流動氣體包括從由Ar、H₂、N₂、He、O₂、CO₂和NH₃組成的組中選擇的至少一種。

5.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積方法，其中，第一工藝溫度與第二工藝溫度之間的差為50℃至150℃。

6.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積方法，所述化學(xué)氣相沉積方法還包括在第三工藝溫度下在第二半導(dǎo)體層上形成第三半導(dǎo)體層。

7.如權(quán)利要求6所述的化學(xué)氣相沉積方法，所述化學(xué)氣相沉積方法還包括通過流動到基座的第三流動氣體來控制第三工藝溫度。

8.一種利用化學(xué)氣相沉積方法制造發(fā)光器件的方法，該方法包括下述步驟：

在第一工藝溫度下在安裝在附屬盤上的基底上形成量子勢阱層；以及

在第二工藝溫度下在量子勢阱層上形成量子勢壘層，

其中，形成量子勢阱層的步驟和形成量子勢壘層的步驟執(zhí)行至少一次。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，所述方法還包括分別利用流動到基座的第一流動氣體控制第一工藝溫度以及利用流動到基座的第二流動氣體控制第二工藝溫度。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，第一流動氣體的導(dǎo)熱性與第二流動氣體的導(dǎo)熱性不同。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，第一流動氣體的導(dǎo)熱性低于第二流動氣體的導(dǎo)熱性。

12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，第一流動氣體和第二流動氣體中的每種流動氣體包括從由Ar、H₂、N₂、He、O₂、CO₂和NH₃組成的組中選擇的至少一種。

13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，第一流動氣體是Ar，第二流動氣體是H₂。

14.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，第一流動氣體是N₂，第二流動氣體是H₂。

15.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，第一工藝溫度為900℃至1200℃。

16.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，第二工藝溫度為900℃至1200℃。

17.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，第一工藝溫度與第二工藝溫度之間的差為50℃至150℃。

18.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，量子勢阱層和量子勢壘層中的每個包括從由GaN、AlGaN、InGaN和AlGaInN組成的組中選擇的至少一種。

19.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，量子勢阱層包括In_xGa_1-xN，其中，0≤x≤1。

20.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，量子勢壘層包括In_xGa_1-xN，其中，0≤x≤0.4。