[發明專利]具有減小尺寸的堆疊晶片水平封裝

無效

• 申請號: 201210210493.2
• 申請日: 2008-12-31
• 公開（公告）號: CN102709271A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 金鐘薰;徐敏碩;梁勝宅;李升鉉;姜泰敏
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L25/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種堆疊晶片水平封裝，包括：

絕緣構件，包括具有穿通部分的芯片區域以及鄰接該芯片區域布置于兩側的外圍區域；

第一半導體芯片，結合到該絕緣構件的該穿通部分，并具有在第一半導體芯片表面上形成的第一結合墊；

第二半導體芯片，布置在該第一半導體芯片的表面以及該絕緣構件上方，并具有電連接到連接電極的第二結合墊，該連接電極貫穿該絕緣構件的外圍區域的一部分；以及

重新分配結構，電連接到該第一結合墊和該連接電極。

2.如權利要求1所述的堆疊晶片水平封裝，其中該重新分配包括：

第一絕緣層圖案，覆蓋該第一半導體芯片和該絕緣構件，并具有用于露出該第一結合墊和該連接電極的第一開口；

第一重新分配，布置于該第一絕緣層圖案上方并通過該第一絕緣層圖案的相應第一開口與該第一結合墊電連接；

第二重新分配，布置于該第一絕緣層圖案上方并通過該第一絕緣層圖案的相應第一開口與該連接電極電連接；以及

第二絕緣層圖案，布置于該第一絕緣層圖案和該第一和第二重新分配上方，并具有用于露出第一和第二重新分配的一部分的第二開口。

3.如權利要求1所述的堆疊晶片水平封裝，其中該第一和第二半導體芯片是相互不同類型的半導體芯片。

4.如權利要求1所述的堆疊晶片水平封裝，其中該第二半導體芯片的尺寸大于該第一半導體芯片的尺寸，且當該第一和第二半導體芯片結合時，該第二半導體芯片長度可沿任一方向延伸超過該第一半導體芯片的長度。

5.如權利要求4所述的堆疊晶片水平封裝，其中該第一和第二重新分配相互電連接。