[發明專利]反應腔室以及薄膜沉積設備

有效

• 申請號: 201210210297.5
• 申請日: 2012-06-25
• 公開（公告）號: CN103510050A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 葉華;劉菲菲
• 申請（專利權）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22;C23C14/08
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種反應腔室，包括腔室本體和用于承載被加工工件的托盤，在所述腔室本體內設置有用于承載所述托盤的承載部件，其特征在于，所述托盤采用具有導磁性的材料制作；并且，

在所述托盤的下方設置有感應線圈，所述感應線圈呈漏斗狀，并且所述感應線圈包括以螺旋方式繞制而成的多匝線圈，所述感應線圈的軸線與所述托盤的軸線重合；

所述感應線圈與交流電源連接，借助所述感應線圈產生的交變磁場在所述托盤內產生渦電流來加熱所述托盤，進而加熱被加工工件。

2.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述感應線圈與所述托盤下表面之間的距離自所述感應線圈的中心向所述感應線圈的邊緣逐漸減小。

3.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述感應線圈與所述托盤下表面之間的距離自所述感應線圈的中心向所述感應線圈的邊緣逐漸增大。

4.根據權利要求1或2所述的反應腔室，其特征在于，在所述托盤的徑向方向上，相鄰匝數的兩匝線圈之間的間距自所述感應線圈的中心向所述感應線圈的邊緣逐漸減小。

5.根據權利要求1或2所述的反應腔室，其特征在于，在所述托盤的徑向方向上，相鄰匝數的兩匝線圈之間的間距自所述感應線圈的中心向所述感應線圈的邊緣逐漸增大。

6.根據權利要求1或2所述的反應腔室，其特征在于，所述感應線圈包括由金屬絲繞制而成的多匝線圈，并且在所述金屬絲的外表面設置有絕緣層，用以使相鄰的兩匝線圈之間電絕緣。

7.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，在所述托盤的徑向方向上，相鄰的兩匝線圈之間的間距相等。

8.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述承載部件為支撐針，所述支撐針的數量為三個以上，所述托盤由所述支撐針的頂端承載。

9.根據權利要求8所述的反應腔室，其特征在于，所述反應腔室還包括提升裝置，所述提升裝置設置在所述腔室本體內且位于所述支撐針和所述感應線圈的下方，所述提升裝置包括連桿和第一驅動源，

所述連桿分別與所述支撐針和所述感應線圈固定連接；

所述第一驅動源與所述連桿連接，在所述第一驅動源的驅動下，所述連桿帶動所述支撐針和所述感應線圈作往復運動。

10.根據權利要求9所述的反應腔室，其特征在于，所述第一驅動源包括氣缸、電機或液壓裝置。

11.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述承載部件為采用絕緣材料制作的托架，所述托盤放置于所述托架的上表面，并且，所述感應線圈設置于所述托架的內部。

12.根據權利要求11所述的反應腔室，其特征在于，所述反應腔室還包括頂針裝置，所述頂針裝置設置在所述腔室本體內且位于所述托架的下方，所述頂針裝置包括頂針和第二驅動源，

所述第二驅動源與頂針連接，在所述托架上且與所述頂針相對應的位置處設置有貫穿所述托架厚度的通孔，在所述第二驅動源的驅動下，所述頂針穿過所述通孔，以使其頂端高出或低于所述托架的上表面。

13.根據權利要求12所述的反應腔室，其特征在于，所述第二驅動源包括氣缸、電機或液壓裝置。

14.根據權利要求11所述的反應腔室，其特征在于，所述絕緣材料包括陶瓷或石英。

15.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述交流電源的頻率范圍在15～30KHz。

16.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述導磁材料包括石墨、碳化硅或具有導磁性的金屬。

17.根據權利要求1所述的反應腔室，其特征在于，所述反應腔室還包括加熱部件和石英窗，其中，

所述石英窗設置在所述腔室本體的內部，并將所述腔室本體分隔為上子腔室和下子腔室，所述承載部件設置在所述下子腔室內；

所述加熱部件設置在所述上子腔室內的頂部，用以密封下子腔室并透過所述石英窗向所述承載部件輻射熱量。

18.一種薄膜沉積設備，其包括反應腔室，其特征在于，所述反應腔室采用權利要求1-17中任意一項所述的反應腔室。

19.根據權利要求18所述的薄膜沉積設備，其特征在于，所述薄膜沉積設備為摻錫氧化銦物理氣相沉積設備。