[發明專利]用于采用暫時接合制造半導體結構的工藝

有效

• 申請號: 201210209949.3
• 申請日: 2012-06-19
• 公開（公告）號: CN102842538B
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發明（設計）人: 法布里斯·勒泰特;迪迪埃·朗德呂
• 申請（專利權）人: 索泰克公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

本發明提供了一種用于采用暫時接合制造半導體結構的工藝。本發明涉及用于制造半導體結構的工藝，其特征在于包括下述步驟：提供（E1）包括晶種基板（1）和覆蓋晶種基板（1）的弱化的犧牲層（2）的操作基板（1，2）；將操作基板（1，2）與載具基板（3）連接（E2）；可選地對載具基板（3）進行處理（E3）；在犧牲層（2）處分離（E4）操作基板以形成半導體結構；以及移除（E5）晶種基板（1）上存在的犧牲層（2）的任何殘余。

技術領域

本發明涉及一種用于電子、光學或微電子應用的半導體結構的生產。

更準確地，本發明涉及一種用于通過將一個基板暫時接合到另一個基板來制造半導體結構的工藝。

本發明還涉及在這樣的工藝中采用的半導體組裝。

背景技術

在用于制造半導體結構的工藝中，可以轉移例如包括集成電路的層。這樣的轉移特別地允許電路附著在除了用于生產這些電路的基板之外的其它基板，或者允許電路被堆疊以形成“3D”組件。

如果將轉移的薄層的厚度很小（即，低于200μm），則其會在轉移過程中易于破碎或者裂開或者更一般地來說，其可能損壞。

從文獻EP0786801獲知的用于加強將轉移的層或者將被處理的基板的技術方案暫時地將操作基板接合到包括將要轉移的層的基板。因此可以自由地操作將要轉移的層或者將被處理的基板并且可以使其進行其轉移或處理所需要的所有制造步驟。

在文獻EP0786801中，操作基板包括解理區域，其在工藝的結束時允許沿著該解理區域移除該操作基板。

一個問題在于這樣的操作基板消耗材料。此外，不容易回收剩余部分以便于重新使用。這是因為需要實施打磨操作，從而增加了工藝的持續時間和成本。

另一已知的不消耗材料的技術方案借助于粘合劑將操作基板暫時接合到包括將轉移的層的基板。

在該情況下，在轉移或處理期間，與將轉移的層與操作基板的附著相關的力由粘合劑承受。

一旦已經執行了轉移或處理，則可以移除操作基板。

由于使用粘合劑出現了問題。

這是因為如果粘合劑暴露于在基板上執行的處理中或者在使用轉移制造半導體結構的過程中采用的高溫，則粘合劑會變得不穩定。

此外，粘附層不允許用于在其上執行特定處理的基板的足夠穩定的附著。這是當例如通過研磨將基板薄化到低于例如200、50或40微米的厚度閾值時的情況。在該步驟中施加的機械應力導致位于不足夠硬的粘附層上的層中的應變，從而導致基板的非均勻薄化。

此外，一旦已經執行了處理，則借助于化學移除技術（例如，在溶劑中的溶解）完全地移除粘合劑。這樣的移除增加了制造工藝的持續時間和損壞獲得的半導體結構的風險。

發明內容

本發明允許減少上述缺陷。

因此，根據第一方面，本發明涉及一種用于制造半導體結構的工藝，其特征在于包括下述步驟：

-提供操作基板，該操作基板包括晶種基板和覆蓋晶種基板的弱化的犧牲層；

-將操作基板與載具基板連接；

-可選地對載具基板進行處理；

-在犧牲層分離操作基板以形成半導體結構；以及

-移除晶種基板上存在的犧牲層的任何殘余。

借助于本發明的工藝，一方面，可以從寬范圍的材料中選擇操作基板的晶種基板的材料，并且另一方面，可以以特別容易的方式回收該基板的剩余部分以便于以相同的方式重新使用。