[發明專利]用于采用暫時接合制造半導體結構的工藝

有效

• 申請號: 201210209949.3
• 申請日: 2012-06-19
• 公開（公告）號: CN102842538B
• 公開（公告）日: 2018-08-21
• 發明（設計）人: 法布里斯·勒泰特;迪迪埃·朗德呂
• 申請（專利權）人: 索泰克公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

1.一種用于制造半導體結構的工藝，其特征在于包括下述步驟：

-提供(E1)操作基板(1，2)，所述操作基板包括晶種基板(1)和覆蓋所述晶種基板(1)的弱化的犧牲層(2)；

-將所述操作基板(1，2)與載具基板(3)連接(E2)；

-在所述載具基板(3)保持與所述弱化的犧牲層(2)連接的同時，對所述載具基板(3)進行處理(E3)；

-在處理所述載具基板(3)之后，在所述載具基板(3)保持與所述弱化的犧牲層(2)連接的同時，將所述載具基板(3)與主基板(4)連接；

-在將所述載具基板(3)與所述主基板(4)連接之后，在所述犧牲層(2)處分離(E4)所述操作基板以形成所述半導體結構；以及

-移除(E5)所述晶種基板(1)上存在的所述犧牲層(2)的任何殘余，

其中，所述操作基板(1，2)包括布置在所述晶種基板(1)和所述犧牲層(2)之間的中間層(20)以便于促進形成所述犧牲層(2)的材料到所述晶種基板(1)的粘附。

2.如權利要求1所述的工藝，其中，通過將原子物質引入到所述操作基板(1，2)的所述犧牲層(2)中來對所述犧牲層(2)進行弱化。

3.如權利要求1和2中的任一項所述的工藝，其中，所述晶種基板(1)具有處于所述載具基板(3)的熱膨脹系數CTE2附近的熱膨脹系數CTE1，使得(CTE1-CTE2)/CTE1<50％。

4.如前述權利要求1所述的工藝，其中，所述犧牲層(2)具有弱區域(2”’)并且限定位于所述操作基板(1，2)的表面和所述弱區域(2”’)之間的層(2”)。

5.如前述權利要求1所述的工藝，其中，所述晶種基板(1)被選擇為具有處于所述主基板(4)的熱膨脹系數CTE2附近的熱膨脹系數CTE1。

6.如前述權利要求1所述的工藝，其中，所述載具基板(3)包括集成電路部分。

7.如前述權利要求1所述的工藝，其中，分離步驟通過在至少200℃的溫度進行退火來提供能量。

8.如權利要求2所述的工藝，其中，引入原子物質的步驟以1×10¹⁵離子/cm²至1×10¹⁷離子/cm²之間的劑量和5keV至500keV之間的能量將所述操作基板(1，2)的區域暴露于原子物質注入。

9.如權利要求2所述的工藝，其中，引入原子物質的步驟通過使操作表面與將通過化學擴散滲入操作晶圓的化學物質接觸將原子物質擴散到所述操作基板中。

10.如權利要求8和9中的任一項所述的工藝，其中，引入原子物質的步驟包括：

-在物質引入之前，在所述操作基板中產生限制層；以及

-在物質引入之后，將所述操作基板暴露于至少200℃的溫度以促進引入的物質朝向所述限制層的移動。

11.如前述權利要求1所述的工藝，其中，連接步驟將所述操作基板(1，2)接合到所述載具基板(3)。

12.如權利要求11所述的工藝，其中，通過分子粘附實現所述連接步驟。

13.如權利要求1所述的工藝，其中，所述犧牲層(2)是多晶硅層。

14.如權利要求1所述的工藝，其中，所述晶種基板(1)是：

-單晶基板；或者

-非晶或多晶基板；或者

-陶瓷；或者

-金屬。