[發明專利]結晶裝置、結晶方法以及熱處理系統

有效

• 申請號: 201210209914.X
• 申請日: 2012-06-19
• 公開（公告）號: CN102839420B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 鄭珉在;李基龍;鄭胤謨;李東炫;李吉遠
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B28/02
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司11204
• 代理人: 余朦,劉錚

技術領域

實施方式涉及結晶裝置、結晶方法以及熱處理系統。

背景技術

結晶裝置是用于將非晶形的待處理對象（例如非晶硅）轉換為結晶對象（例如多晶硅）的裝置。常規的結晶裝置利用激光或熱使待處理對象結晶。

利用熱的結晶裝置包括利用電阻產生熱量的熱線（hot?wire）。結晶裝置通過利用熱線將待處理對象加熱到預定溫度，以進行待處理對象的結晶。

如果結晶裝置僅包括熱線，那么熱處理的溫度曲線包括溫度升高時間段、溫度保持時間段以及溫度降低時間段。因此，待處理對象的結晶效率不能顯著地改善。

以上在背景技術部分中公開的信息僅用于加強對所描述技術的背景的理解，因此其可包含沒有形成該國本領域技術人員已知的現有技術的信息。

發明內容

一個或多個實施方式可提供一種結晶裝置，包括：接納單元，支承待處理對象；第一加熱單元，鄰近于所述接納單元，所述第一加熱單元配置為在第一時間段中將所述待處理對象加熱至第一溫度；以及第二加熱單元，鄰近于所述第一加熱單元，所述第二加熱單元配置為在第二時間段中將所述待處理對象加熱至比所述第一溫度高的第二溫度，所述第二時間段比所述第一時間段短。

所述第一加熱單元可包括多個第一加熱單元，所述第二加熱單元可包括多個第二加熱單元。所述多個第一加熱單元和所述多個第二加熱單元可交替地設置。

所述第一加熱單元可以是加熱線，所述加熱線配置為利用電阻產生熱量，以及所述第二加熱單元可被配置為利用燈產生熱量。所述燈可包括紅外線燈、紫外線燈以及弧光燈中的一種。

所述接納單元、所述第一加熱單元以及所述第二加熱單元可設置在腔室中。

所述第一溫度可在100°C到750°C的范圍內。

一個或多個實施方式可提供一種熱處理系統，包括：裝載單元，用于將支承待處理對象的接納單元裝載于其上；多個熱處理裝置，連接在一起并且排列為在與所述接納單元被轉移的方向對應的方向上延伸，以用于進行熱處理；以及如上所述的結晶裝置，所述結晶裝置設置在所述多個熱處理裝置中的相鄰的熱處理裝置之間。

一個或多個實施方式可提供一種結晶方法，包括：在第一時間段中，在第一溫度處加熱待處理對象；以及在第二時間段中，在比所述第一溫度高的第二溫度處加熱所述待處理對象，所述第二時間段比所述第一時間段短，并且所述第二時間段包含在所述第一時間段中。

所述第一時間段可包括：溫度升高時間段，在所述溫度升高時間段中，所述待處理對象的溫度升高至所述第一溫度，溫度保持時間段，在所述溫度保持時間段中，所述待處理對象的溫度被保持在所述第一溫度，以及溫度降低時間段，在所述溫度降低時間段中，所述待處理對象的溫度從所述第一溫度降低，并且所述第二時間段可處于所述溫度保持時間段和所述溫度降低時間段中的至少一個時間段內。

根據本發明的上述示例性實施方式中的一個實施方式，提供了使待處理對象的結晶效率得到提高的結晶裝置、結晶方法以及熱處理系統。

附圖說明

圖1示出了根據第一示例性實施方式的結晶裝置的示意圖；

圖2示出了圖1中所示的熱處理器的示意圖；

圖3示出了根據第二示例性實施方式的結晶方法的流程圖；

圖4示出了在根據第二示例性實施方式的結晶方法中的熱處理的溫度曲線的視圖；

圖5A示出了根據第三示例性實施方式的熱處理系統的示意圖；

圖5B示出了在第三示例性實施方式的熱處理系統所使用的結晶方法中的熱處理的溫度曲線的視圖。

具體實施方式

將在下文中參照附圖更全面地描述示例性實施方式。本領域技術人員應該理解，所描述的實施方式可以以各種不同的方式修改，所有的修改都不偏離本發明的精神或范圍。

沒有涉及實施方式的部分的描述被省略，并且在整個說明書中相同的參考標號指示相同的元件。

此外，對于第一實施方式之外的實施方式，將僅描述與第一實施方式中的那些元件不同的元件。

在附圖中，為了更好地理解并易于描述，近似地示出了每個元件的尺寸和厚度。因此，尺寸和厚度不受附圖的限制。

在附圖中，為了清晰起見，層、膜、板、區等的厚度均被夸大。此外，在附圖中，為了更好地理解并易于描述，一些層和區域的厚度被夸大。應該理解，當例如層、膜、區或襯底的元件被稱為“在”另一元件“上”時，其能夠直接在另一元件上或者還可存在插入的元件。