[發明專利]一種磨粒/氧化鎳核殼結構的復合磨粒及其制備方法和應用有效
| 申請號: | 201210209689.X | 申請日: | 2012-06-21 |
| 公開(公告)號: | CN102719219A | 公開(公告)日: | 2012-10-10 |
| 發明(設計)人: | 朱永偉;唐曉驍;墨洪磊;劉蘊鋒;李軍;李標;付杰;左敦穩 | 申請(專利權)人: | 南京航空航天大學 |
| 主分類號: | C09K3/14 | 分類號: | C09K3/14 |
| 代理公司: | 南京天華專利代理有限責任公司 32218 | 代理人: | 瞿網蘭;傅婷婷 |
| 地址: | 210016 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氧化 鎳核殼 結構 復合 及其 制備 方法 應用 | ||
技術領域
本發明屬于磨料加工技術領域,涉及一種磨粒/氧化鎳核殼結構的復合磨粒及其制備方法和應用。
背景技術
在精密超精密加工領域,磨料加工的應用最為廣泛,磨料加工是目前光學零部件和半導體工業的主要加工手段。固結磨料加工是基于二體磨損機制的一種加工手段,與基于三體磨損機制的傳統游離磨料加工相比,平面化所需的材料去除量大大減小。因此,固結磨料加工具有較高的加工效率,同時減少了加工廢液的處理成本及其對環境的污染。固結磨料加工時,當磨粒受到較強烈沖擊作用時,會從基體脫落,從而降低了磨料利用率和磨具的使用壽命。而且,脫落的磨粒會對工件表面產生劃傷,降低工件的表面質量。因此,磨粒的無序脫落問題困擾了固結磨料加工(研磨拋光)技術的廣泛應用。
針對磨粒脫落問題,國內外普遍采用表面鍍覆“毛刺”鎳或銅來提高基體對磨粒把持力的方法。GE公司(現名Diamond?Innovations)的RVG系列,前蘇聯(現烏克蘭)的ACO(AC2)系列,一般是鍍30%、50%或55%的銅或鎳,采用的方法一般為化學鍍或電鍍法。從制備角度來看:化學鍍法存在著鍍層厚度有限,鍍覆過程較慢,鍍液易分解、易產生游離鎳等缺點。電鍍法只適用于金屬粉末,對非金屬粉末需在其表面涂覆一層導電膜,增加了工藝復雜性。從使用角度來看:磨粒表層的鎳層或銅層必然會降低磨粒的鋒利性,限制了其在研磨與拋光領域的應用;另外,鍍覆鎳層或銅層的磨粒無法應用于陶瓷基體,應用領域受到限制。
目前,尚未發現通過在磨粒(如)金剛石表面包覆氧化鎳來提高基體與磨料結合力的報道。
發明內容
本發明的目的是針對現有技術的上述不足,提供一種磨粒/氧化鎳核殼結構的復合磨粒。
本發明的另一目的是提供磨粒/氧化鎳核殼結構的復合磨粒的制備方法。
本發明的又一目的是提供磨粒/氧化鎳核殼結構的復合磨粒的應用。
本發明的目的可通過如下技術方案實現:
一種磨粒/氧化鎳核殼結構的復合磨粒,所述的復合磨粒內核選自可作為磨粒的金剛石、碳化物、氧化物或硼化物中的一種或多種,外殼為氧化鎳包覆層。磨粒的包覆層布滿網格狀孔隙,有利于基體的滲入,提高其結合強度。
其中,所述的內核優選金剛石、立方氮化硼、碳化硅、碳化硼、氧化鋁、氧化硅中的一種或多種,其粒徑為5nm~500μm;所述的包覆層氧化鎳質量為復合磨粒質量的1~52%。
所述的磨粒/氧化鎳核殼結構的復合磨粒優選主要通過如下步驟制備得到:
(1)將預處理后的內核粉體加入到pH值為8~12的緩沖液中,配制成質量分數為5~15%的懸浮液,超聲分散1h后,升溫至50~80℃;
(2)將包覆物前驅體配制成0.05~0.4mol/L的溶液,逐滴加入到到步驟(1)制備的內核質量分數為5~15%的懸浮液中并劇烈攪拌,保持溶液pH值穩定;
(3)將上一步反應物離心,沉淀溶于酒精,超聲分散后經120℃烘干24h,300~500℃熱處理1h以上,得到所述的磨粒/氧化鎳核殼結構復合磨粒。
其中,所述的緩沖液根據包覆體系所需pH值選擇三乙醇胺、碳酸鈉、氫氧化鈉、氨水、硼酸、醋酸、三羥甲基甲胺、醋酸鈉、氯化銨、磷酸氫鈉中的一種或幾種用水配制而成。
所述的包覆物前驅體優選NiCl2、Ni(NO3)2、NiSO4、NiCO3中的一種或幾種的組合。
本發明所述的磨粒/氧化鎳核殼結構的復合磨粒的制備方法,包含如下步驟:
(1)將預處理后的內核粉體加入到pH值為8~12的緩沖液中,配制成質量分數為5~15%的懸浮液,超聲分散1h后,升溫至50~80℃;
(2)將包覆物前驅體配制成0.05~0.4mol/L的溶液,逐滴加入到到步驟(1)制備的內核質量分數為5~15%的懸浮液中并劇烈攪拌,保持溶液pH值穩定;
(3)將上一步反應物離心,沉淀溶于酒精,超聲分散后經120℃烘干24h,300~500℃熱處理1h以上,得到所述的磨粒/氧化鎳核殼結構復合磨粒;
其中所述的包覆物前驅體為NiCl2、Ni(NO3)2、NiSO4、NiCO3中的一種或幾種的組合。
所述的內核優選金剛石、立方氮化硼、碳化硅、碳化硼、氧化鋁、氧化硅中的一種或多種,其粒徑為5nm~500μm。
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