[發明專利]金屬硬掩膜層制備方法以及半導體制造方法有效
| 申請號： | 201210208994.7 | 申請日： | 2012-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN102832167A | 公開（公告）日： | 2012-12-19 |
| 發明（設計）人： | 徐強 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 硬掩膜層 制備 方法 以及 半導體 制造 | ||
1.一種金屬硬掩膜層制備方法，其特征在于包括：
提供基底；
在基底上形成金屬硬掩膜層；以及
對所述金屬硬掩膜層進行紫外光照射處理。
2.根據權利要求1所述的金屬硬掩膜層制備方法，其特征在于，所述金屬硬掩膜層是氮化鈦層。
3.一種銅互連形成方法，其特征在于包括：
提供基底；
在基底上淀積阻擋薄膜；
在所述阻擋薄膜上淀積介質薄膜；
在所述介質薄膜上淀積金屬硬掩膜層；
對所述金屬硬掩膜層進行紫外光照射處理；
在所述金屬硬掩膜層上淀積硬掩膜覆蓋層；
執行單大馬士革刻蝕工藝和/或雙大馬士革刻蝕工藝以刻蝕所述介質薄膜、所述硬掩膜以及所述硬掩膜覆蓋層，從而暴露多孔介質薄膜的至少一部分孔。
4.根據權利要求3所述的銅互連形成方法，其特征在于，所述金屬硬掩膜層是氮化鈦膜層。
5.根據權利要求3或4所述的銅互連形成方法，其特征在于，在所述在所述介質薄膜上淀積金屬硬掩膜層的步驟中，采用金屬有機化合物化學氣相淀積形成所述金屬硬掩膜層。
6.根據權利要求3或4所述的銅互連形成方法，其特征在于，所述金屬硬掩膜層的厚度范圍為100-1000A。
7.根據權利要求3或4所述的銅互連形成方法，其特征在于，在所述對所述金屬硬掩膜層進行紫外光照射處理的步驟中。
8.根據權利要求3或4所述的銅互連形成方法，其特征在于，紫外光照射處理中采用的紫外光照射的波長范圍為320-400nm，照射溫度范圍為300-500C，照射時間為2-7分鐘。
9.根據權利要求3或4所述的銅互連形成方法，其特征在于還包括：執行多層?金屬互聯中的Cu阻擋層和/或晶種層的淀積；以及
形成銅層。
10.一種采用了根據權利要求1或2之一所述的金屬硬掩膜層制備方法的半導體器件制造方法。?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力微電子有限公司，未經上海華力微電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210208994.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：油缸裝置的制造方法
- 下一篇：一種治療痛痹的中藥滴丸及其制備方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
