[發(fā)明專利]存儲裝置與控制存儲裝置的方法

有效

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• 申請日: 2012-06-19
• 公開（公告）號: CN102842338A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王嘉維
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12
• 代理公司: 北京萬慧達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11111
• 代理人: 于淼;張一軍

1.一種存儲裝置，包含有：

一第一存儲單元，其至少被一第一字符線所控制;

一第一輔助電路，耦接至一輔助位線且被該第一字符線所控制，該第一輔助電路儲存一預(yù)定數(shù)據(jù)值；以及

一控制電路，其根據(jù)該輔助位線之一位線電壓來控制該第一字符線之一第一字符線電壓。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其中該位線電壓來自于儲存在該第一輔助電路中的該預(yù)定數(shù)據(jù)值。

3.如權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其中該第一字符線是一寫入字符線。

4.如權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其中該預(yù)定數(shù)據(jù)值為0。

5.如權(quán)利要求1所述的存儲裝置，其中該控制電路包含有：

一追蹤電路，其用于追蹤該輔助位線的該位線電壓的變化，以產(chǎn)生一第一調(diào)整信號來控制該第一字符線的該第一字符線電壓。

6.如權(quán)利要求5所述的存儲裝置，其中該追蹤電路包含有：

一第一晶體管，具有一控制端耦接至該輔助位線、一第一連接端耦接至該第一字符線以輸出該第一調(diào)整信號，以及一第二連接端耦接至一第一供應(yīng)電壓。

7.如權(quán)利要求6所述的存儲裝置，其中該第一晶體管是一N型場效晶體管。

8.如權(quán)利要求6所述的存儲裝置，其中該追蹤電路另包含有：

一第二晶體管，具有一控制端以及一第一連接端均耦接至該第一字符線以輸出該第一調(diào)整信號，以及一第二連接端耦接至該第一晶體管的該第一連接端。

9.如權(quán)利要求8所述的存儲裝置，其中該第一晶體管以及該第二晶體管均為N型場效晶體管。

10.如權(quán)利要求6所述的存儲裝置，另包含有：

一反向器，具有一輸入端以及一輸出端，該輸入端用于接收一輸入信號，該輸出端耦接至該第一字符線并根據(jù)該輸入信號以產(chǎn)生該第一字符線電壓；

其中該追蹤電路另包含：

一第二晶體管，具有一控制端以及一第一連接端，該控制端耦接至該第一晶體管的該控制端，該第一連接端耦接至一第二供應(yīng)電壓；以及

一第三晶體管，具有一控制端、一第一連接端以及一第二連接端，該控制端耦接至該反向器的該輸入端，該第一連接端耦接至該反向器的該輸出端以輸出該第一調(diào)整信號，該第二連接端耦接至該第二晶體管之一第二連接端。

11.如權(quán)利要求10所述的存儲裝置，其中該第一晶體管系一N型場效晶體管，以及該第二晶體管以及該第三晶體管均為P型場效晶體管。

12.如權(quán)利要求5所述的存儲裝置，另包含有：

一第二存儲單元，其至少被一第二字符線所控制；以及

一第二輔助電路，耦接至該輔助位線且被該第二字符線所控制，該第二輔助電路儲存該預(yù)定數(shù)據(jù)值；

其中該追蹤電路另用于追蹤該輔助位線的該位線電壓的變化，以產(chǎn)生一第二調(diào)整信號來控制該第二字符線的第二字符線電壓。

13.如權(quán)利要求12所述的存儲裝置，其中該追蹤電路包含有：

一第一晶體管，具有一控制端耦接至該輔助位線、一第一連接端，以及一第二連接端耦接至一第一供應(yīng)電壓：

一第二晶體管，具有一控制端以及一第一連接端均耦接至該第一字符線以輸出該第一調(diào)整信號，以及一第二連接端耦接至該第一晶體管的該第一連接端；以及

一第三晶體管，具有一控制端以及一第一連接端均耦接至該第二字符線以輸出該第二調(diào)整信號，以及一第二連接端耦接至該第一晶體管的該第一連接端。

14.如權(quán)利要求13所述的存儲裝置，其中該第一晶體管、該第二晶體管以及該第三晶體管均為N型場效晶體管。