[發明專利]陣列基板及其制造方法、以及顯示裝置

有效

• 申請號: 201210207796.9
• 申請日: 2012-06-18
• 公開（公告）號: CN103515375A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 吳松
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

技術領域

本發明涉及顯示器制備領域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法、以及包括該陣列基板的顯示裝置。

背景技術

近年來顯示技術發展很快，平板顯示器以其完全不同的顯示和制造技術使之同傳統的視頻圖像顯示器有很大的差別。平板顯示器具有完全平面化、輕、薄、省電等特點符合未來圖像顯示器發展的必然趨勢。目前主要的平板顯示器包括:薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD)、等離子體顯示器(Plasma?display?panel)、有機發光二極管顯示器(Organic?light-emitting?diode?displays)等。

薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD）具有體積小、功耗低、無輻射等特點，近年來得到了迅速地發展，在當前的平板顯示器市場中占據了主導地位。目前，TFT-LCD在各種大中小尺寸的產品上得到了廣泛的應用，幾乎涵蓋了當今信息社會的主要電子產品，如液晶電視、高清晰度數字電視、電腦（臺式和筆記本）、手機、PDA、GPS、車載顯示、投影顯示、攝像機、數碼相機、電子手表、計算器、電子儀器、儀表、公共顯示和虛幻顯示等，是目前任何一種平板顯示和CRT無法企及的。

對于TFT-LCD來說，TFT陣列基板以及制造工藝決定了其產品性能、成品率和價格。尤其是構圖時的掩膜工藝復雜、成本極高，一個TFT陣列基板制備過程中使用的掩膜版數目（即構圖次數）就成了衡量制造工藝繁簡程度的重要標準。也因此，減少TFT陣列基板制造過程中使用掩膜及曝光的次數成了改進制造工藝的關鍵問題。

減少制備過程中掩膜使用次數有多種方法，目前最常用的有灰階調掩膜版（Gray?Tone?Mask，GTM）與半階調掩膜版（HalfTone?Mask，HTM）。利用這些技術，目前的TFT陣列基板制備過程中常用的Mask及曝光的次數為4次，即3次普通Mask及一次GTM或HTM。盡管已經將Mask及曝光次數減少到4次，但仍然存在著產能及設備利用率不高等缺陷。

發明內容

（一）要解決的技術問題

針對現有技術的缺點，本發明為了解決現有技術中陣列基板制備時利用掩膜版的次數較多的問題，提供了一種陣列基板及其制造方法、以及包括該陣列基板的顯示裝置。

（二）技術方案

為此解決上述技術問題，本發明具體采用如下方案進行：

首先，本發明提供一種陣列基板，所述陣列基板包括：像素區、數據線端子區以及柵線端子區；所述像素區包括：像素電極、TFT的柵極、TFT的源漏電極、連接電極、以及公共電極，所述像素電極設置在基板的上表面，所述TFT的柵極和連接電極同層同材料，所述源漏電極與所述柵極之間形成有半導體層，所述半導體層與所述柵極之間形成有絕緣層，所述像素電極通過所述連接電極與所述TFT的漏極電連接，所述公共電極包括與所述源漏電極同層同材料的部分，且與所述源漏電極同層同材料的部分與所述像素電極之間依次形成有所述半導體層以及絕緣層；所述數據線端子區包括絕緣層、半導體層、數據線、以及數據線連接端子，所述數據線與所述源漏電極同層同材料；所述柵線端子區包括柵線、絕緣層、以及柵線連接端子，所述柵線與所述柵極同層同材料，所述柵線連接端子與所述源漏電極同層同材料。

優選地，所述陣列基板還包括鈍化層，形成于所述像素區的最上層、所述數據線端子區的最上層除所述數據線連接端子外的部分、以及柵線端子區的最上層除所述柵線連接端子外的部分。

優選地，所述陣列基板包括至少一個像素區，每一所述像素區包括至少一個TFT，所述TFT設置在所述像素區的邊緣。

其次，本發明提供了一種陣列基板的制造方法，所述方法包括步驟：

使用兩次多階調掩膜工藝和兩次光刻膠離地剝離處理得到上述的陣列基板。

優選地，所述兩次多階調掩膜工藝和兩次光刻膠離地剝離處理為：

在基板上依次形成透明薄膜層和柵金屬層；

在基板上形成光刻膠后，利用多階調掩膜工藝進行第一次曝光，經過顯影，使保留的光刻膠厚度分為3級；

對沒有光刻膠保留的柵金屬層和透明薄膜層進行刻蝕；

對保留的光刻膠進行第一次刻蝕，將此時光刻膠保留最薄處的光刻膠去除，同時使其余區域保留的光刻膠相應變薄；

對去除的光刻膠保留的最薄區域對應的柵金屬層進行刻蝕；