[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法、以及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210207796.9
• 申請日: 2012-06-18
• 公開（公告）號: CN103515375A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳松
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：像素區(qū)、數(shù)據(jù)線端子區(qū)以及柵線端子區(qū)；

所述像素區(qū)包括：像素電極、TFT的柵極、TFT的源漏電極、用于將所述像素電極和TFT的漏極電連接的連接電極、以及公共電極，所述像素電極設(shè)置在基板的上表面，所述TFT的柵極和連接電極同層同材料，所述源漏電極與所述柵極之間形成有半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層與所述柵極之間形成有絕緣層，所述像素電極通過所述連接電極與所述TFT的漏極電連接，所述公共電極包括與所述源漏電極同層同材料的部分，且與所述源漏電極同層同材料的部分與所述像素電極之間依次形成有所述半導(dǎo)體層以及絕緣層；

所述數(shù)據(jù)線端子區(qū)包括絕緣層、半導(dǎo)體層、數(shù)據(jù)線、以及數(shù)據(jù)線連接端子，所述數(shù)據(jù)線與所述源漏電極同層同材料；

所述柵線端子區(qū)包括柵線、絕緣層、以及柵線連接端子，所述柵線與所述柵極同層同材料，所述柵線連接端子與所述源漏電極同層同材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括鈍化層，形成于所述像素區(qū)的最上層、所述數(shù)據(jù)線端子區(qū)的最上層除所述數(shù)據(jù)線連接端子外的部分、以及柵線端子區(qū)的最上層除所述柵線連接端子外的部分。

3.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

使用兩次多階調(diào)掩膜工藝和兩次光刻膠離地剝離處理制作陣列基板。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述兩次多階調(diào)掩膜工藝和兩次光刻膠離地剝離處理為：

在基板上依次形成透明薄膜層和柵金屬層；

在基板上形成光刻膠后，利用多階調(diào)掩膜工藝進(jìn)行第一次曝光，經(jīng)過顯影，使保留的光刻膠厚度分為3級；

對沒有光刻膠保留的柵金屬層和透明薄膜層進(jìn)行刻蝕；

對保留的光刻膠進(jìn)行第一次刻蝕，將此時光刻膠保留最薄處的光刻膠去除，同時使其余區(qū)域保留的光刻膠相應(yīng)變薄；

對去除的光刻膠保留的最薄區(qū)域?qū)?yīng)的柵金屬層進(jìn)行刻蝕；

對保留的光刻膠進(jìn)行第二次刻蝕，將此時光刻膠保留最薄處的光刻膠去除，同時使其余區(qū)域保留的光刻膠相應(yīng)變薄；

在基板上依次形成絕緣層和半導(dǎo)體層；

利用光刻膠離地剝離處理，將此時剩余的光刻膠離地剝離，使得沉積在剩余的光刻膠區(qū)域上的絕緣層和半導(dǎo)體層也同時被去除；

形成源漏金屬層；

在基板上涂覆光刻膠，利用多階調(diào)掩膜工藝進(jìn)行第二次曝光，再經(jīng)過顯影，使保留的光刻膠厚度分為3級；

對沒有光刻膠保留的區(qū)域的源漏金屬層和半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕；

對保留的光刻膠進(jìn)行刻蝕，將此時光刻膠保留最薄處的光刻膠去除，同時使其余區(qū)域保留的刻膠相應(yīng)變薄；

對去除了保留的光刻膠后區(qū)域的源漏金屬層和半導(dǎo)體層進(jìn)行刻蝕；

對保留的光刻膠進(jìn)行第二次刻蝕，將此時最薄處保留的光刻膠去除，同時使其余區(qū)域保留的光刻膠相應(yīng)變薄；

形成鈍化層；

利用光刻膠離地剝離處理，將剩余的光刻膠剝離，使得形成在剩余的光刻膠區(qū)域的鈍化層也同時被去除，將數(shù)據(jù)線端子區(qū)的數(shù)據(jù)線連接端子和柵線端子區(qū)的柵線連接端子暴露出來。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，第一次曝光顯影后，保留的光刻膠厚度所分的3級為：TFT的漏極電連接至像素電極處和柵線區(qū)域最厚，TFT柵極區(qū)域厚度次之，像素電極區(qū)域厚度最薄。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，第二次曝光顯影后，保留的光刻膠厚度所分的3級為：數(shù)據(jù)線區(qū)域和柵線區(qū)域最厚，TFT源漏極區(qū)域厚度次之，TFT源漏極間的溝道區(qū)域厚度最薄。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包含如權(quán)利要求1-2任一所述的陣列基板。