[發(fā)明專利]鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極氧化物

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210206726.1
• 申請(qǐng)日: 2012-06-18
• 公開（公告）號(hào): CN103094089A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃俊程;陳能國(guó);萬(wàn)幸仁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;H01L21/283
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

提供包括至少兩個(gè)隔離部件的襯底；

在所述襯底的上方以及所述至少兩個(gè)隔離部件之間形成鰭型襯底；

在所述鰭型襯底的上方形成硅襯墊；以及

氧化所述硅襯墊以在所述鰭型襯底的上方形成氧化硅襯墊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述硅襯墊包括：沉積非晶硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述硅襯墊包括：以大約400攝氏度和大約600攝氏度之間的溫度將非晶硅沉積至大約5埃和大約50埃之間的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述硅襯墊包括：選擇性地形成硅的外延層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述硅襯墊包括：以大約600攝氏度和大約800攝氏度之間的溫度選擇性地將硅的外延層形成為大約5埃和大約50埃之間的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，氧化所述硅襯墊包括：通過大約700攝氏度和大約1100攝氏度之間溫度的熱氧化來(lái)氧化所述硅襯墊。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在所述鰭型襯底下方的所述襯底中形成鰭型襯底緩沖區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在所述氧化硅襯墊的上方形成柵電極。

9.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

提供包括多個(gè)隔離部件的襯底；

在所述襯底的上方形成多個(gè)鰭型襯底，所述多個(gè)鰭型襯底的每一個(gè)都形成在所述多個(gè)隔離部件的兩個(gè)隔離部件之間；

在所述多個(gè)鰭型襯底的每一個(gè)的上方形成硅襯墊；

氧化所述硅襯墊以在所述多個(gè)鰭型襯底的每一個(gè)的上方形成氧化硅襯墊；以及

在所述氧化硅襯墊的上方形成柵電極。

10.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底，包括至少兩個(gè)隔離部件；

鰭型襯底，設(shè)置在所述襯底的上方以及所述至少兩個(gè)隔離部件之間；

氧化硅襯墊，設(shè)置在所述鰭型襯底的上方，其中，所述氧化硅襯墊由設(shè)置在所述鰭型襯底上方的硅襯墊的熱氧化來(lái)形成；以及

柵電極，設(shè)置在所述氧化硅襯墊的上方。