[發明專利]一種半導體裝置及其形成方法

無效

• 申請號: 201210206464.9
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN103515320A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 隋運奇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238;H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種半導體裝置的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成多個柵極結構；

在每個柵極結構兩側形成側墻，相鄰兩個柵極結構間的相鄰兩個側墻之間為凹槽，所述凹槽具有自上而下的漸窄側壁。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，在每個柵極結構兩側形成側墻的工藝包括如下步驟：

形成第一材料層，所述第一材料層覆蓋所述襯底及柵極結構；

刻蝕所述第一材料層形成第一側墻；

形成第二材料層，所述第二材料層覆蓋所述襯底、第一側墻及柵極結構；

刻蝕所述第二材料層，形成第二側墻。

3.如權利要求2所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，所述第一側墻的厚度為50~200埃。

4.如權利要求2所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，所述第一側墻的高度低于所述柵極結構的高度。

5.如權利要求2所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，所述第二側墻的厚度為50~200埃。

6.如權利要求2所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，所述第二側墻的高度等于所述柵極結構的高度。

7.如權利要求2所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，所述第一材料層為經原子層沉積工藝形成的氮化硅層。

8.如權利要求2所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，所述第二材料層為經原子層沉積工藝形成的氮化硅層。

9.如權利要求7或8所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，形成第一材料層及第二材料層的工藝條件均為：壓強5~10Torr，溫度500~600℃，功率100~200W。

10.如權利要求7或8所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，所述原子層沉積工藝的反應氣體均包括SiH₂Cl₂、NH₃、N₂。

11.如權利要求10所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，所述反應氣體流量為50~1000sccm。

12.如權利要求2所述的半導體裝置的形成方法，其特征在于，還包括：在形成第二側墻后，形成應力頂蓋層，所述應力頂蓋層覆蓋所述襯底、第二側墻及柵極結構。

13.一種如權利要求1至12中任一項的半導體裝置的形成方法所形成的半導體裝置，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底上具有多個柵極結構；

緊靠所述柵極結構的側墻，相鄰兩個柵極結構間的相鄰兩個側墻之間為凹槽，所述凹槽具有自上而下的漸窄側壁。