[發明專利]有機發光顯示裝置和制造有機發光顯示裝置的方法有效
| 申請號: | 201210204721.5 | 申請日: | 2012-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN102856348B | 公開(公告)日: | 2017-03-01 |
| 發明(設計)人: | 金永大;任章淳;李一正;李相奉 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司11018 | 代理人: | 羅正云,宋志強 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 制造 方法 | ||
相關申請的交叉引用
本申請要求2011年6月28日在韓國知識產權局(KIPO)提交的韓國專利申請No.2011-0062891的優先權,該申請的內容通過引用整體合并于此。
技術領域
本公開內容涉及有機發光顯示(OLED)裝置和制造有機發光顯示裝置的方法。更具體地,某些實施例涉及包括隔離物(spacer)和平面化圖案的有機發光顯示裝置和制造包括隔離物和平面化圖案的有機發光顯示裝置的方法。
背景技術
有機發光顯示(OLED)裝置通??砂ㄐ纬捎诨迳系谋∧ぞw管(TFT)、像素電極、發光結構以及公共電極。發光結構可包括產生白色光、紅色光、綠色光或藍色光的發射層(EL)。發光結構可另外包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)以及被OLED裝置領域的技術人員所知的其它特征。
有機發光結構一般可通過激光誘導熱成像(LITI)工藝來形成。在該工藝中,可在有機發光顯示裝置的像素電極上提供包括有機轉移層的供體基板,然后可通過激光的熱能將有機轉移層轉移到像素區。在這種情況下,形成為與像素區相鄰的接觸孔可能具有高度差,使得有機轉移層可能在像素區中不均勻地轉移。因此,有機發光顯示裝置中可能容易出現像素的缺陷。
發明內容
某些實施例提供一種有機發光顯示裝置,在像素沒有缺陷的情況下,該裝置具有提高的可靠性和增強的結構穩定性。
某些實施例提供一種制造有機發光顯示裝置的方法,在像素沒有缺陷的情況下,該裝置具有提高的可靠性和增強的結構穩定性。
根據一個方面,提供一種有機發光顯示裝置。在所述有機發光顯示裝置中,薄膜晶體管可設置于基板上。具有第一接觸孔至第三接觸孔的絕緣層間層可設置于所述基板上,以使薄膜晶體管部分地暴露。電連接所述薄膜晶體管的第一電極可設置于所述絕緣層間層上和所述第一接觸孔至所述第三接觸孔的側壁上。限定像素區的像素限定層可設置于所述絕緣層間層、所述第一電極的部分以及所述第一接觸孔至所述第三接觸孔的側壁上。發光結構可在所述像素區中設置于所述第一電極上。第二電極可設置于所述發光結構上。平面化圖案可設置于所述像素限定層上,并且可填滿所述第一接觸孔和所述第二接觸孔。隔離物可設置于所述像素限定層上,并且可填滿所述第三接觸孔。
所述隔離物的上表面可基本高于所述平面化圖案的上表面。
所述平面化圖案的上表面可與所述像素限定層的上表面基本共面。
所述隔離物和所述平面化圖案可包括共同的材料。
所述薄膜晶體管中的每一個均包括:設置于所述基板上的具有溝道區、源區和漏區的半導體圖案;位于所述半導體圖案上的柵極絕緣層;位于所述柵極絕緣層上的柵電極;電連接至所述源區的源電極;以及電連接至所述漏區的漏電極。
根據另一個方面,提供一種制造有機發光顯示裝置的方法。在該方法中,可在基板上形成薄膜晶體管??稍谒龌迳闲纬山^緣層間層,以覆蓋所述薄膜晶體管??尚纬赏ㄟ^所述絕緣層間層的使所述薄膜晶體管的電極暴露的第一接觸孔、第二接觸孔和第三接觸孔??稍谒鼋^緣層間層、所述第一接觸孔至所述第三接觸孔的側壁以及所述薄膜晶體管的被暴露的電極上形成第一電極。可在所述絕緣層間層上形成像素限定層,以使所述第一電極的部分暴露??稍谒鱿袼叵薅▽由闲纬傻谝黄矫婊瘓D案和第二平面化圖案,以分別填滿所述第一接觸孔和所述第二接觸孔。可在所述第一電極的被暴露的部分上形成發光結構。可在所述發光結構上形成第二電極。
可在所述像素限定層上形成平面化層,以填滿所述第一接觸孔和所述第二接觸孔,和然后可利用半色調掩膜圖案化所述平面化層,以形成分別填滿所述第一接觸孔和所述第二接觸孔的所述第一平面化圖案和所述第二平面化圖案。在這種情況下,可在所述像素限定層上形成所述平面化層,以填滿所述第三接觸孔,然后可圖案化所述平面化層,以形成可基本填滿所述第三接觸孔并且可突出于所述第三接觸孔上方的所述隔離物。
所述第一接觸孔中的所述第一平面化圖案和所述第二接觸孔中的所述第二平面化圖案可具有基本齊平的上表面。
所述隔離物的上表面可基本高于所述第一平面化圖案和所述第二平面化圖案的上表面。
可在所述像素限定層上形成平面化層,以填滿所述第一接觸孔至所述第三接觸孔,然后可利用半色調掩膜圖案化所述平面化層,以形成所述第一平面化圖案和所述第二平面化圖案以及形成所述隔離物。
所述平面化層可利用光敏材料形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





