[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示裝置和制造有機發(fā)光顯示裝置的方法

有效

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• 申請日: 2012-06-18
• 公開（公告）號: CN102856348B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設計）人: 金永大;任章淳;李一正;李相奉
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京德琦知識產(chǎn)權代理有限公司11018
• 代理人: 羅正云,宋志強

1.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括：

位于基板上的薄膜晶體管；

位于所述薄膜晶體管上的絕緣層間層，所述絕緣層間層具有第一接觸孔、第二接觸孔和第三接觸孔，其中所述第一接觸孔至所述第三接觸孔分別使所述薄膜晶體管部分地暴露；

設置于所述絕緣層間層上和所述第一接觸孔至所述第三接觸孔的側壁上的第一電極，所述第一電極電連接至所述薄膜晶體管；

設置于所述絕緣層間層上、所述第一電極的部分上以及所述第一接觸孔至所述第三接觸孔的側壁上的像素限定層，所述像素限定層限定像素區(qū)；

在所述像素區(qū)中位于所述第一電極上的發(fā)光結構；

位于所述發(fā)光結構上的第二電極；

位于所述像素限定層上的平面化圖案，所述平面化圖案填滿所述第一接觸孔和所述第二接觸孔；以及

位于所述像素限定層上的隔離物，所述隔離物填滿所述第三接觸孔。

2.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述隔離物的上表面高于所述平面化圖案的上表面。

3.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述平面化圖案的上表面與所述像素限定層的上表面共面。

4.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述隔離物和所述平面化圖案包括共同的材料。

5.根據(jù)權利要求1所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中所述薄膜晶體管中的每一個包括：

位于所述基板上的半導體圖案，所述半導體圖案具有溝道區(qū)、源區(qū)和漏區(qū)；

位于所述半導體圖案上的柵極絕緣層；

位于所述柵極絕緣層上的柵電極；

電連接至所述源區(qū)的源電極；以及

電連接至所述漏區(qū)的漏電極。

6.一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包括：

在基板上形成薄膜晶體管；

在所述基板上形成絕緣層間層，以覆蓋所述薄膜晶體管；

形成通過所述絕緣層間層的第一接觸孔、第二接觸孔和第三接觸孔，所述第一接觸孔至所述第三接觸孔分別使所述薄膜晶體管的電極部分地暴露；

在所述絕緣層間層、所述第一接觸孔至所述第三接觸孔的側壁以及所述薄膜晶體管的被暴露的電極上形成第一電極；

在所述絕緣層間層上形成像素限定層，以使所述第一電極的部分暴露；

在所述像素限定層上形成第一平面化圖案和第二平面化圖案，以分別填滿所述第一接觸孔和所述第二接觸孔；

在所述第一電極的被暴露的部分上形成發(fā)光結構；以及

在所述發(fā)光結構上形成第二電極。

7.根據(jù)權利要求6所述的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，其中形成所述第一平面化圖案和所述第二平面化圖案包括：

在所述像素限定層上形成平面化層，以填滿所述第一接觸孔和所述第二接觸孔；和

利用半色調掩膜圖案化所述平面化層，以形成所述第一平面化圖案和所述第二平面化圖案。

8.根據(jù)權利要求7所述的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述第一平面化圖案和所述第二平面化圖案具有齊平的上表面。

9.根據(jù)權利要求6所述的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，進一步包括形成隔離物，以填滿所述第三接觸孔，其中形成所述隔離物包括：

在所述像素限定層上形成所述平面化層，以填滿所述第三接觸孔；和

圖案化所述平面化層，以形成填滿所述第三接觸孔并突出于所述第三接觸孔上方的所述隔離物。

10.根據(jù)權利要求9所述的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述隔離物的上表面高于所述第一平面化圖案和所述第二平面化圖案的上表面。

11.根據(jù)權利要求9所述的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，其中形成所述第一平面化圖案和所述第二平面化圖案以及形成所述隔離物包括：

在所述像素限定層上形成所述平面化層，以填滿所述第一接觸孔至所述第三接觸孔；和

利用半色調掩膜圖案化所述平面化層，以在所述第一接觸孔和所述第二接觸孔中形成所述第一平面化圖案和所述第二平面化圖案，以及在所述第三接觸孔中形成所述隔離物。

12.根據(jù)權利要求11所述的制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述平面化層利用光敏材料形成。