[發明專利]異質結太陽能電池及其制備方法

有效

• 申請號: 201210203828.8
• 申請日: 2012-06-20
• 公開（公告）號: CN102738290A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 鄭新和;吳淵淵;張東炎;李雪飛;陸書龍;楊輝
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L31/0735
• 分類號: H01L31/0735;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 孫佳胤;翟羽

1.一種異質結太陽能電池，包括一具有第一導電類型的第一薄膜，以及在第一薄膜表面依次設置的一有源區及一具有第二導電類型的第二薄膜，其特征在于，所述第一薄膜與有源區之間還包括一與第一薄膜相異質的具有第一導電類型的接觸層，第一薄膜、第二薄膜分別與有源區相異質，有源區為漸變層結構。

2.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池，其特征在于，進一步包括一襯底以及一電流擴展層，所述第一薄膜設置在襯底表面，所述電流擴展層設置在第二薄膜表面。

3.根據權利要求2所述的異質結太陽能電池，其特征在于，有源區的材料為In_xGa_1-xN，x的范圍為0至0.2，且有源區中x的按照遠離襯底方向從0.2漸變至0。

4.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池，其特征在于，所述接觸層的材料為InGaN或GaN。

5.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池，其特征在于，所述第一薄膜和第二薄膜的材料均為GaN。

6.根據權利要求2所述的異質結太陽能電池，其特征在于，進一步包括一緩沖層，置于襯底與第一薄膜之間。

7.一種權利要求1所述的異質結太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括步驟：1）在第一薄膜裸露表面生長與第一薄膜相異質且同導電類型的接觸層；2）在接觸層裸露表面外延生長具有漸變結構的有源區；3）在有源區裸露表面生長與有源區相異質的第二薄膜層，且第一薄膜與第二薄膜的導電類型相反。

8.根據權利要求7所述的異質結太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟1）之前進一步包括步驟：提供一襯底，在襯底表面生長第一薄膜；所述步驟3）之后進一步包括步驟：在第二薄膜裸露表面生長電流擴展層。

9.根據權利要求7所述的異質結太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述步驟2）中有源區的生長均采用組分線性變化生長或組分突變生長。

10.根據權利要求8所述的異質結太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述在襯底表面生長第一薄膜的步驟，進一步包括步驟：在襯底表面生長一緩沖層，后在緩沖層表面生長第一薄膜。