[發明專利]包含阻障件拋光停止層的集成電路及其制造方法

有效

• 申請號: 201210202572.9
• 申請日: 2012-06-15
• 公開（公告）號: CN102832166A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: E·R·弗特奈爾;C·彼得斯;J·海因里希
• 申請（專利權）人: 格羅方德半導體公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種用于制造集成電路的方法，包含：

在半導體裝置上方沉積層間介電層；

在該層間介電層上方沉積阻障件拋光終止層；

圖案化至少該阻障件拋光終止層及該層間介電層，以在其中創造多個蝕刻特征；

在該阻障件拋光終止層上方鍍覆進入該多個蝕刻特征的金屬，以產生上覆該阻障件拋光終止層的金屬過載、及在該層間介電層及阻障件拋光終止層中產生多個導電互連特征；以及

拋光該集成電路，以去除該金屬過載及暴露該阻障件拋光終止層。

2.根據權利要求1所述的方法，進一步包含在該阻障件拋光終止層上方沉積蓋層。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，圖案化包含圖案化至少該蓋層、該阻障件拋光終止層及該層間介電層，以在其中創造多個蝕刻特征；并且其中，拋光包含拋光該集成電路，以去除該金屬過載及該蓋層。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，沉積阻障件拋光終止層包含通過在拋光期間沉積材料以在該層間介電層上方形成阻障件拋光終止層，該材料的去除率小于該蓋層的去除率。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，拋光包含化學機械平坦化該集成電路，以去除該金屬過載及一部分該阻障件拋光終止層。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，化學機械平坦化包含化學機械平坦化該集成電路，以從該阻障件拋光終止層去除少于大約10納米厚度的該金屬過載。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，在該層間介電層上方沉積阻障件拋光終止層包含沉積厚度介于大約10納米至大約30納米的阻障件拋光終止層。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，沉積阻障件拋光終止層包含通過沉積材料以在該層間介電層上方形成阻障件拋光終止層，該材料選自由超低介電系數材料及含氧化物材料所組成的群組。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，沉積阻障件拋光終止層包含通過沉積材料以在該層間介電層上方形成阻障件拋光終止層，該材料的碳含量大于大約百萬分之150。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，沉積該阻障件拋光終止層包含通過沉積材料以在該層間介電層上方形成阻障件拋光終止層，該材料的碳含量小于大約百萬分之300。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，沉積阻障件拋光終止層包含利用包含甲基二乙氧基硅烷的前驅物材料以在該層間介電層上方形成阻障件拋光終止層。

12.根據權利要求8所述的方法，其中，在該層間介電層上方形成阻障件拋光終止層包含利用包含甲基二乙氧基硅烷的前驅物材料以在該層間介電層上方形成阻障件拋光終止層，該甲基二乙氧基硅烷以選擇的致孔劑加以沉積。

13.根據權利要求1所述的方法，進一步包含于拋光該集成電路以去除該金屬過載及暴露該阻障件拋光終止層后，在該阻障件拋光終止層上方形成蝕刻終止層。

14.一種制造集成電路的方法，包含：

提供部分制作的集成電路，該集成電路包含半導體裝置、上覆該半導體裝置的層間介電層、上覆該層間介電層的蓋層、及位于該層間介電層與該蓋層間的阻障件拋光終止層；

形成多個通過該蓋層、該阻障件拋光終止層及該層間介電層的接觸開孔；

在該蓋層上方鍍覆進入該多個接觸開孔的銅，以產生上覆該蓋層的銅過載、以及產生多個延伸通過該蓋層、該阻障件拋光終止層及該層間介電層的銅接觸；以及

對該部分制作的集成電路實施化學機械平坦化工藝，以去除該銅過載、該蓋層及一部分該阻障件拋光終止層，但保留大部分該阻障件拋光終止層及整個該層間介電層不被處理。

15.根據權利要求14所述的方法，其中，對該集成電路實施化學機械平坦化工藝包含：

使用第一拋光平臺去除該銅過載的整體；

使用第二拋光平臺清除該蓋層上方任何剩余銅過載；以及

使用第三拋光平臺去除該蓋層、一部分該銅接觸、及一部分阻障件拋光終止層。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，去除該蓋層、一部分該銅接觸、及一部分阻障件拋光終止層包含使用第三拋光平臺去除該蓋層、一部分該銅接觸、及從阻障件拋光終止層去除少于10納米厚度。