[發明專利]成膜方法和成膜裝置

有效

• 申請號: 201210199232.5
• 申請日: 2012-06-14
• 公開（公告）號: CN102828163A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 鈴木啟介;門永健太郎;森良孝
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/34
• 分類號: C23C16/34;C23C16/36;C23C16/455;H01L21/205
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 苗堃;金世煜

1.一種成膜方法，其特征在于，是向收納被處理體且可抽真空的處理容器內供給含硼氣體、氮化氣體、硅烷系氣體和烴氣體，在所述被處理體的表面形成含有硼、氮、硅和碳的薄膜的成膜方法，具有：

第1工序，進行1次以上交替間歇地供給所述含硼氣體和所述氮化氣體的循環而形成BN膜，和

第2工序，進行1次以上間歇地供給所述硅烷系氣體、所述烴氣體和所述氮化氣體的循環而形成SiCN膜。

2.根據權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述第2工序中，所述硅烷系氣體、所述烴氣體和所述氮化氣體在相互不同的時刻供給。

3.根據權利要求2所述的成膜方法，其特征在于，所述第2工序中，所述硅烷系氣體最先供給。

4.根據權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述第2工序中，所述硅烷系氣體最先供給，并且所述烴氣體和所述氮化氣體中任一者的氣體與所述硅烷系氣體同時供給。

5.根據權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述第1工序中，具有一邊進行所述含硼氣體的供給一邊使所述處理容器內的排氣停止的保持期間。

6.根據權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，在所述各氣體的時間上相鄰的供給期間之間，進行排除所述處理容器內的殘留氣體的吹掃工序。

7.根據權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，進行1次以上由所述第1工序和所述第2工序組成的循環。

8.根據權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，在所述第1工序和所述第2工序之間進行中間工序，該中間工序是進行1次以上交替供給所述硅烷系氣體和所述氮化氣體的循環而形成SiN膜。

9.根據權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述各工序的工藝溫度在500～700℃的范圍內。

10.根據權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述第1工序內的循環數x和所述第2工序內的循環數y的關系滿足“1/2≤x/y≤2”的關系式。

11.根據權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述含硼氣體為選自BCl₃、B₂H₆、BF₃、B（CH₃）₃、TEB、TDMAB、TMAB中的1種以上的氣體。

12.根據權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述氮化氣體為選自氨NH₃、氮N₂、一氧化二氮N₂O、一氧化氮NO中的1種以上的氣體。

13.根據權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述硅烷系氣體為選自二氯硅烷DCS、六氯乙硅烷HCD、甲硅烷SiH₄、乙硅烷Si₂H₆、六甲基二硅氮烷HMDS、四氯硅烷TCS、二甲硅烷基胺DSA、三甲硅烷基胺TSA、雙叔丁基氨基硅烷BTBAS、二異丙基氨基硅烷DIPAS中的1種以上的氣體。

14.根據權利要求1所述的成膜方法，其特征在于，所述烴氣體為選自乙炔、乙烯、甲烷、乙烷、丙烷、丁烷中的1種以上的氣體。

15.一種成膜裝置，其特征在于，是用于對被處理體形成規定的薄膜的成膜裝置，具備：

可抽真空的縱型筒狀的處理容器、

多段地保持所述被處理體且可在所述處理容器內插拔的保持單元、

設置在所述處理容器外周的加熱單元、

向所述處理容器內供給硅烷系氣體的硅烷系氣體供給單元、

向所述處理容器內供給氮化氣體的氮化氣體供給單元、

向所述處理容器內供給含硼氣體的含硼氣體供給單元、

向所述處理容器內供給烴氣體的烴氣體供給單元、和

進行控制以使得權利要求1所述的成膜方法得以執行的控制單元。