[發明專利]半導體集成電路

有效

• 申請號: 201210197785.7
• 申請日: 2012-06-15
• 公開（公告）號: CN102902293A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 尹相植
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;郭放

1.一種半導體集成電路，包括：

第一焊盤，所述第一焊盤被配置成接收第一電壓；

第二焊盤，所述第二焊盤被配置成接收第二電壓；

內部電壓發生電路，所述內部電壓發生電路被配置成在測試模式期間響應于所述第二電壓而產生具有與所述第一電壓相同的電壓電平的第三電壓；以及

內部電路，所述內部電路被配置成在正常模式期間使用所述第一電壓和所述第二電壓來執行正常操作，而在所述測試模式期間使用所述第二電壓和所述第三電壓來執行測試操作。

2.如權利要求1所述的半導體集成電路，其中，所述內部電壓發生電路包括泵浦電路，所述泵浦電路響應于測試模式信號而產生電壓電平高于所述第二電壓的所述第三電壓。

3.如權利要求1所述的半導體集成電路，其中，所述內部電壓發生電路包括降壓變換器型電路，所述降壓變換器型電路響應于測試模式信號而產生電壓電平低于所述第二電壓的所述第三電壓。

4.如權利要求3所述的半導體集成電路，其中，所述內部電壓發生電路包括：

第一分壓器，所述第一分壓器被配置成通過以第一分壓比將所述第二電壓分壓而產生參考電壓；

第二分壓器，所述第二分壓器被配置成通過以第二分壓比將所述第三電壓分壓而產生反饋電壓；

比較器，所述比較器被配置成響應于所述測試模式信號而比較所述反饋電壓與所述參考電壓；以及

驅動器，所述驅動器被配置成響應于所述比較器的輸出信號而將所述第二電壓提供給所述第三電壓的端子。

5.一種半導體集成電路，包括：

第一焊盤，所述第一焊盤被配置成接收第一電壓；

第二焊盤，所述第二焊盤被配置成接收具有高于所述第一電壓的電壓電平的第二電壓；

內部電壓發生電路，所述內部電壓發生電路被配置成響應于所述第二電壓而產生第三電壓，其中，所述第三電壓在正常模式期間具有低于所述第一電壓的電壓電平而在測試模式期間具有與所述第一電壓相同的電壓電平；以及

內部電路，所述內部電路被配置成在所述正常模式期間使用所述第一電壓至所述第三電壓來執行正常操作，而在所述測試模式期間使用所述第二電壓和所述第三電壓來執行測試操作。

6.如權利要求5所述的半導體集成電路，其中，所述第一電壓和所述第三電壓的端子相互電連接。

7.如權利要求5所述的半導體集成電路，其中，所述內部電壓發生電路包括：

第一分壓器，所述第一分壓器被配置成響應于測試模式信號，通過在所述正常模式期間以第一分壓比將所述第二電壓分壓和在所述測試模式期間以第二分壓比將所述第二電壓分壓來產生參考電壓；

第二分壓器，所述第二分壓器被配置成通過以第三分壓比將所述第三電壓分壓而產生反饋電壓；

比較器，所述比較器被配置成比較所述反饋電壓與所述參考電壓；以及

驅動器，所述驅動器被配置成響應于所述比較器的輸出信號而將所述第二電壓提供給所述第三電壓的端子。

8.如權利要求7所述的半導體集成電路，其中，所述第一分壓器包括電阻響應于所述測試模式信號而變化的可變電阻器。

9.如權利要求7所述的半導體集成電路，其中，所述第一分壓器包括：

可變電阻器，所述可變電路器被設置在所述第二電壓與所述參考電壓的端子之間，其中，所述可變電阻器的電阻值被配置成響應于所述測試模式信號而變化；以及

第一電阻器，所述第一電阻器設置在所述參考電壓的端子與接地電壓的端子之間。

10.如權利要求9所述的半導體集成電路，其中，所述可變電阻器包括：

第二電阻器和第三電阻器，所述第二電阻器和第三電阻器串聯耦接在所述第二電壓的端子與所述參考電壓的端子之間；以及

旁路單元，所述旁路單元被設置成與所述第二電阻器并聯，并且被配置成響應于所述測試模式信號而用作所述第二電阻器的旁路。

11.如權利要求10所述的半導體集成電路，其中，所述旁路單元包括晶體管，所述晶體管包括用于接收所述測試模式信號的柵極、以及分別與所述第二電壓的端子和所述第二電阻器與所述第三電阻器之間的節點耦接的源極和漏極。