[發(fā)明專利]PCB逐層對位鐳射鉆孔的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210197329.2 | 申請日: | 2012-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN102711382A | 公開(公告)日: | 2012-10-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 胡翠兒;姚曉建 | 申請(專利權(quán))人: | 廣州美維電子有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/00 | 分類號: | H05K3/00;H05K3/40;B23K26/36 |
| 代理公司: | 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 湯喜友 |
| 地址: | 510663 廣東省廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | pcb 對位 鐳射 鉆孔 方法 | ||
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技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及印制電路板的制作方法,具體PCB逐層對位鐳射鉆盲孔的方法。
背景技術(shù)
目前印制電路板制作向高、精、密方向發(fā)展,受線路設(shè)計影響,盲孔底PAD(焊盤)設(shè)計趨小,同時,受制板層間偏移影響,使用傳統(tǒng)的X-RAY鉆靶(兩次外層圖形疊合),容易造成盲孔崩孔,以4層電路板為例,?
(1)設(shè)計的對位標(biāo)靶圖形(L02/L03)無偏移時,如圖1a所示,盲孔(L0102/L0403)對內(nèi)層PAD的無偏移或偏移量小,其中L02/L03是指在L02層電路板以及L03電路板上設(shè)計對位標(biāo)靶圖形,且二者的標(biāo)靶圖形疊合,L0102/L0403是至在L01和L02間制作盲孔,以及在L04和L03間制作盲孔;
(2)由于對位標(biāo)靶圖形疊合的層間對準(zhǔn)度較低,當(dāng)設(shè)計的標(biāo)靶圖形(L02/L03)偏移時,如圖1b所示,由于內(nèi)層PAD設(shè)計小,盲孔(L0102/L0403)對內(nèi)層PAD偏移甚至發(fā)生崩孔(即盲孔偏出底PAD)。
并且由圖1b可以看出,在PCB制作的過程中,壓合次數(shù)的增加對于盲孔對應(yīng)的底PAD圖形的對位精準(zhǔn)度增加難度,同時,盲孔底PAD設(shè)計越來越小,也增加了盲孔對底PAD的位置精度的難度,從而導(dǎo)致盲孔位置偏移增加。
發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明旨在提供一種可有效解決盲孔對內(nèi)層偏孔問題的PCB逐層對位鐳射鉆孔的方法。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
PCB逐層對位鐳射鉆孔的方法,其包括以下步驟:
在相對的次層電路板上制作標(biāo)靶;
將覆蓋在所述標(biāo)靶上的銅層去除,或者將覆蓋在所述標(biāo)靶上的銅層和樹脂層同時去除,顯露出標(biāo)靶進(jìn)行對位;
激光直接鉆盲孔。
作為改進(jìn),在不同的次層電路板上的標(biāo)靶錯位分布,錯位分布可增加標(biāo)靶與標(biāo)靶外圖形對比度,減小對位誤差。
作為顯露標(biāo)靶的第一種實施方式,所述將覆蓋在所述標(biāo)靶上的銅層和樹脂層去除的方法為:采用鐳射鉆孔機(jī)將標(biāo)靶上的銅層和樹脂層去除掉,露出該標(biāo)靶,同時鐳射鉆機(jī)上的CCD識別該標(biāo)靶并進(jìn)行補(bǔ)償定位。
作為顯露標(biāo)靶的第二種實施方式,所述將覆蓋在所述標(biāo)靶上的銅層去除的方法為:在外層電路板上與所述標(biāo)靶相對應(yīng)的位置設(shè)計開窗圖形;使用貼干膜或濕膜;曝光標(biāo)靶圖形,將所述標(biāo)靶圖形轉(zhuǎn)移到干膜或濕膜上;顯影;蝕刻;褪去所述干膜或濕膜;將所述標(biāo)靶上方銅層去除,顯露出該標(biāo)靶。
作為顯露標(biāo)靶的第三種實施方式,所述將覆蓋在所述標(biāo)靶上的銅層去除的方法為:采用機(jī)械鉆機(jī),利用鉆咀將標(biāo)靶上方銅層去除,顯露出標(biāo)靶。
作為顯露標(biāo)靶的第四種實施方式,所述將覆蓋在所述標(biāo)靶上的銅層和樹脂層去除的方法為:采用X-RAY鉆靶機(jī)根據(jù)相對的次層電路板上標(biāo)靶鉆出單層對位標(biāo)靶孔,顯露出標(biāo)靶。
優(yōu)選地,所述制作標(biāo)靶的方法為:在相對的次層電路板上貼干膜或濕膜;曝光標(biāo)靶圖形,將所述標(biāo)靶圖形轉(zhuǎn)移到干膜或濕膜上;顯影;蝕刻;褪去所述干膜或濕膜。
本發(fā)明所闡述的PCB逐層對位鐳射鉆孔的方法,與現(xiàn)有技術(shù)相比,其有益效果在于:本發(fā)明提供一種在印制電路板鐳射鉆孔工藝制作時,采用燒靶、蝕刻或刮銅的方法顯露出內(nèi)層標(biāo)靶進(jìn)行逐層對位,或X-RAY鉆靶機(jī)鉆單層標(biāo)靶,替代傳統(tǒng)的使用X-RAY鉆通靶(兩次外層圖形疊合)方法,可有效解決盲孔對內(nèi)層偏孔問題。
附圖說明
附圖1a、1b為現(xiàn)有鐳射鉆孔的對位標(biāo)靶的示意圖;
附圖2為本發(fā)明PCB逐層對位鐳射鉆孔的方法的流程圖;
附圖3a、3b、3c為本發(fā)明PCB逐層對位鐳射鉆孔的制作過程示意圖。
具體實施方式
下面,結(jié)合附圖以及具體實施方式,對本發(fā)明的PCB逐層對位鐳射鉆孔的方法做進(jìn)一步描述,以便于更清楚的理解本發(fā)明所要求保護(hù)的技術(shù)思想。
如圖2所示,PCB逐層對位鐳射鉆孔的方法,其包括以下步驟:
S01、在相對的次層電路板上制作標(biāo)靶;
這里相對的次層電路板是相對于本技術(shù)領(lǐng)域中的次層電路板而言的,本技術(shù)領(lǐng)域的次層電路板是指最外層電路板內(nèi)側(cè)的一層稱之為次層,例如在八層板中,第二層和第七層就稱之為次層,而在本發(fā)明中,相對的次層電路板是指除中心層以外的其他層電路板內(nèi)側(cè)的一層均稱之為相對的次層,同以八層板為例,其中第四層和第五層為中心層,第四層相對于第三層而言為相對的次層,第三層相對于第二層而言又稱之為相對的次層,同理,第五層相對于第六層而言為相對的次層,第六層有相對于第七層為相對的次層,如此遞推。
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