[發明專利]一種低觸發電壓的可控硅靜電放電保護結構有效

申請號：	201210196986.5	申請日：	2012-06-14
公開（公告）號：	CN102693980A	公開（公告）日：	2012-09-26
發明（設計）人：	李飛鳴	申請（專利權）人：	上海貝嶺股份有限公司
主分類號：	H01L27/02	分類號：	H01L27/02
代理公司：	上海兆豐知識產權代理事務所(有限合伙) 31241	代理人：	章蔚強
地址：	200233 ***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種觸發電壓可控硅靜電放電保護結構
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【權利要求書】：

1.一種低觸發電壓的可控硅靜電放電保護結構，包括P型襯底，在該P型襯底上包括有相鄰的N阱和P阱，在所述的N阱內包括有第一N型注入區和第一P型注入區，在所述的P阱內包括有第二N型注入區、第三N型注入區和第二P型注入區，在所述第二N型注入區和第三N型注入區之間的表面包括有柵氧化層，在該柵氧化層的表面包括有多晶硅柵極，其中，所述第一N型注入區和第一P型注入區均與第一輸入端相連；所述第三N型注入區、第二P型注入區和多晶硅柵極均與第二輸入端相連；

其特征在于，所述可控硅靜電放電保護結構還包括一電阻，所述第二N型注入區通過該電阻與第一輸入端相連。

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