[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列基板制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210196506.5
• 申請(qǐng)日: 2012-06-15
• 公開（公告）號(hào): CN102779784A
• 公開（公告）日: 2012-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李喜峰;陳龍龍;張建華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77
• 代理公司: 上海上大專利事務(wù)所(普通合伙) 31205
• 代理人: 何文欣

技術(shù)領(lǐng)域

????本發(fā)明涉及一種有源顯示技術(shù)的制造方法，特別是涉及到一種薄膜晶體管陣列基板制造方法。

背景技術(shù)

薄膜晶體管的英文全稱為Thin?Film?Transistor，縮寫為TFT。?

????現(xiàn)有基于氧化物的薄膜晶體管有源矩陣采用如下的工藝制造流程制作：首先在清洗潔凈的TFT玻璃基板上濺射底柵金屬層，通過(guò)光刻工藝將底柵金屬層圖形化處理，得到底柵電極的圖形；接著在圖形化后的底柵金屬層之上淀積絕緣層；接著濺射金屬源漏電極層，圖形化處理后得到薄膜晶體管有源矩陣的源、漏電極；接著沉積氧化物有源電極層，圖形化處理得到有源層島結(jié)構(gòu)；接著沉積鈍化保護(hù)層，圖形化后干刻形成引線過(guò)孔；再沉積一層像素電極層，圖形化制作成像素電極結(jié)構(gòu)，薄膜晶體管有源矩陣制作工藝結(jié)束。現(xiàn)有基于氧化物的薄膜晶體管有源矩陣制作工藝，薄膜晶體管制程采用的是五層掩摸對(duì)準(zhǔn)工藝，制造工藝周期長(zhǎng)，同時(shí)光刻用掩摸加工、工藝材料等制造成本比較大。

????本發(fā)明采用的一種薄膜晶體管陣列基板制造方法，通過(guò)制造工藝的改善，實(shí)現(xiàn)了四掩摸對(duì)準(zhǔn)工藝來(lái)完成薄膜晶體管制程，利用此種方法不僅減少了工藝步驟縮短工藝制程時(shí)間，另一方面大量節(jié)約了生產(chǎn)制造成本，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了薄膜晶體管陣列基板的透明顯示制造。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是針對(duì)己有技術(shù)存在的缺陷，提供一種薄膜晶體管陣列基板制造方法，該工藝中薄膜晶體管有源矩陣層采用氧化物作為有源層，通過(guò)對(duì)工藝步驟的改善，可減少工藝步驟縮短工藝制程時(shí)間，同時(shí)大量節(jié)約生產(chǎn)制造成本。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

一種薄膜晶體管陣列基板制造方法，其特征在于，采用四層掩摸對(duì)準(zhǔn)工藝實(shí)現(xiàn)工藝制程，具體可分別采用第一制造方法與第二制造方法兩種工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)。

其中第一制造方法情況下，其制造工藝步驟如下：

1)?在清洗潔凈的玻璃基板之上濺射柵極金屬層，之后利用mask1曝光工藝，刻蝕得到柵極電極圖形；

2)?生長(zhǎng)絕緣層；

3)?濺射源漏電極層，利用mask2曝光工藝，濕法刻蝕后制得源漏電極圖形，同時(shí)，與源電極相連接的像素電極圖形同時(shí)制造完成；

4)?濺射氧化物有源層，利用mask3曝光工藝，采用濕法刻蝕制得有源層結(jié)構(gòu)圖形；

5)?CVD沉積鈍化保護(hù)層，利用mask4曝光工藝，用干法刻蝕方法刻蝕鈍化層結(jié)構(gòu)圖形。

至此，此種方法涉及的制造工藝步驟完成。

采用第二制造方法情況下，其制造工藝步驟如下：

1)?在清洗潔凈的玻璃基板之上濺射柵極金屬層，之后利用mask1曝光工藝，刻蝕之后得到柵極電極圖形；

2)?生長(zhǎng)絕緣層；

3)?濺射氧化物有源層，再用CVD沉積刻蝕阻擋層，利用mask3曝光工藝，首先用干法刻蝕刻蝕刻蝕阻擋層，再采用濕法刻蝕氧化物有源層制得有源層結(jié)構(gòu)圖形；

4)?濺射源漏電極層，利用mask2曝光工藝，濕法刻蝕后制得源漏電極圖形，同時(shí)，與源電極相連接的像素電極同時(shí)制造完成；

5)?CVD沉積鈍化保護(hù)層，利用mask4曝光工藝之后，用干法刻蝕方法刻蝕鈍化層結(jié)構(gòu)圖形。

至此，此種方法涉及的制造工藝步驟完成。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較，具有如下顯而易見的突出實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著優(yōu)點(diǎn)：

與現(xiàn)有基于氧化物的薄膜晶體管陣列基板相比，采用四層掩摸對(duì)準(zhǔn)工藝制造可明顯提高制程效率，并且可大量節(jié)省制造成本。

附圖說(shuō)明

圖1?薄膜晶體管陣列基板第一制造方法與第二制造方法工藝流程框圖

圖2A-圖2I??薄膜晶體管陣列基板第一制造方法工藝流程圖

圖3A-圖3J??薄膜晶體管陣列基板第二制造方法工藝流程圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明：

實(shí)施例1：

參見圖1、圖2A-圖2I，本基于氧化物的薄膜晶體管陣列基板四層掩摸對(duì)準(zhǔn)工藝第一制造方法制造工藝如下：

玻璃基板11選用TFT玻璃基板，首先對(duì)TFT玻璃基板進(jìn)行清洗，為后續(xù)膜結(jié)構(gòu)沉積質(zhì)量提供保證。玻璃基板清洗準(zhǔn)備完成之后，在玻璃基板11之上淀積多層膜層結(jié)構(gòu)。工藝步驟如下：