[發(fā)明專利]在基底中制作多個溝槽的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210195844.7
• 申請日: 2012-06-14
• 公開（公告）號: CN103489773A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳逸男;徐文吉;葉紹文;劉獻文
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/306
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;張志杰

1.一種在基底中制作多個溝槽的方法，包括：

提供一基底；

于該基底上形成一第一掩模層，該第一掩模層具有至少一第一開口以及至少一第二開口，其中該第二開口大于該第一開口，且該第一開口與該第二開口皆暴露出該基底；

形成一覆蓋該第二開口的第二掩模層；

以該第一掩模層與該第二掩模層為掩模進行一第一蝕刻工藝，以于該第一開口下方的該基底中形成一第一溝槽；

移除該第二掩模層；

形成一覆蓋該第一開口的第三掩模層；

以該第一掩模層與該第三掩模層為掩模進行一第二蝕刻工藝，以于該第二開口下方的該基底中形成一第二溝槽；以及

移除該第三掩模層。

2.如權(quán)利要求1所述的在基底中制作多個溝槽的方法，其中該第二掩模層與該第三掩模層的形成順序為先形成該第二掩模層，并且在移除該第二掩模層之后才形成該第三掩模層。

3.如權(quán)利要求1所述的在基底中制作多個溝槽的方法，其中該第二掩模層與該第三掩模層的形成順序為先形成該第三掩模層，并且在移除該第三掩模層之后才形成該第二掩模層。

4.如權(quán)利要求1所述的在基底中制作多個溝槽的方法，其中該第二掩模層填滿該第二開口。

5.如權(quán)利要求1所述的在基底中制作多個溝槽的方法，其中該第三掩模層填滿該第一開口。

6.如權(quán)利要求1所述的在基底中制作多個溝槽的方法，其中形成該第二掩模層的方法包括：

于該基底與該第一掩模層上全面形成一感光材料層，該感光材料層填滿該第一開口與該第二開口；

進行一光刻工藝，以移除該感光材料層的位于該第一開口中的部分。

7.如權(quán)利要求1所述的在基底中制作多個溝槽的方法，其中形成該第三掩模層的方法包括：

于該基底與該第一掩模層上全面形成一感光材料層，該感光材料層填滿該第一開口與該第二開口；

進行一光刻工藝，以移除該感光材料層的位于該第二開口中的部分。

8.如權(quán)利要求1所述的在基底中制作多個溝槽的方法，其中該第一掩模層的制作方法包括：

于該基底上形成一緩沖層；

于該緩沖層上形成一第一掩模材料層；

于該第一掩模材料層上形成一第二掩模材料層；

于該第二掩模材料層上形成一圖案化光阻層；

以該圖案化光阻層為掩模進行一第一蝕刻工藝，以蝕刻該第二掩模材料層而形成一第二圖案化掩模層；

移除該圖案化光阻層；

以該第二圖案化掩模層為掩模進行一第二蝕刻工藝，蝕刻該第一掩模材料層與該緩沖層，以形成貫穿該第一掩模材料層與該緩沖層的該第二開口與該第一開口；以及

移除該第二圖案化掩模層。

9.如權(quán)利要求10所述的在基底中制作多個溝槽的方法，其中該緩沖層的材質(zhì)包括有機或無機的抗反射材料，該第一掩模材料層的材質(zhì)包括金屬、硼硅酸玻璃、或硅化鈦，該第二掩模材料層的材質(zhì)包括氮化物。

10.如權(quán)利要求1所述的在基底中制作多個溝槽的方法，其中該第一蝕刻工藝與該第二蝕刻工藝皆為干式蝕刻工藝。

11.如權(quán)利要求1所述的在基底中制作多個溝槽的方法，其中該些第一溝槽與該第二溝槽的深度大抵相同。

12.如權(quán)利要求1所述的在基底中制作多個溝槽的方法，還包括：

在形成該些第一溝槽與該第二溝槽之后，移除該第一掩模層。