[發明專利]HVMOS器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201210193774.1
• 申請日: 2012-06-12
• 公開（公告）號: CN103208521A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 鐘淑維;游國豐
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種器件，包括：

半導體襯底；

第一高壓金屬氧化物半導體器件（HVMOS）和第二高壓金屬氧化物半導體器件，每一個都包括：

柵電極，位于所述半導體襯底上方，其中，所述第一HVMOS器件的所述柵電極和所述第二HVMOS器件的所述柵電極分別具有第一柵極長度和第二柵極長度，且所述第二柵極長度大于所述第一柵極長度；

第一阱區和第二阱區，分別為p型和n型，其中，所述第一阱區和所述第二阱區中的每一個都與所述柵電極的部分重疊；以及

本征區，位于所述第一阱區和所述第二阱區之間并且與所述第一阱區和所述第二阱區接觸，其中所述第一阱區和所述第二阱區的雜質濃度高于所述本征區的雜質濃度，其中，所述第一HVMOS器件的所述本征區和所述第二HVMOS器件的所述本征區分別具有第一本征區長度和第二本征區長度，并且其中，所述第二本征區長度大于所述第一本征區長度。

2.根據權利要求1所述的器件，其中，所述第一HVMOS器件和所述第二HVMOS器件是n型HVMOS器件。

3.根據權利要求1所述的器件，其中，所述第一HVMOS器件和所述第二HVMOS器件是p型HVMOS器件。

4.根據權利要求1所述的器件，其中，所述第二柵極長度和所述第一柵極長度之間的差基本上等于所述第二本征區長度和所述第一本征區長度之間的差。

5.根據權利要求1所述的器件，其中，所述第一HVMOS器件的所述柵電極和所述第一阱區具有第一重疊長度，以及所述第二HVMOS器件的所述柵電極和所述第一阱區具有第二重疊長度，所述第二重疊長度基本上等于所述第一重疊長度，并且其中，所述第一HVMOS器件的所述第一阱區與所述第一HVMOS器件的漏極區接觸，以及所述第二HVMOS器件的所述第一阱區與所述第二HVMOS器件的漏極區接觸。

6.根據權利要求1所述的器件，其中，所述第一HVMOS器件的所述柵電極和所述第一阱區具有第一重疊長度，以及所述第二HVMOS器件的所述柵電極和所述第一阱區具有第二重疊長度，所述第二重疊長度基本上等于所述第一重疊長度，并且其中，所述第一HVMOS器件的所述第一阱區與所述第一HVMOS器件的源極區接觸，以及所述第二HVMOS器件的所述第一阱區與所述第二HVMOS器件的源極區接觸。

7.根據權利要求1所述的器件，其中，所述第一HVMOS器件的所述柵電極和所述第二HVMOS器件的所述柵電極是金屬柵電極。

8.根據權利要求1所述的器件，進一步包括第三HVMOS器件，設置在所述半導體襯底的表面處，其中，所述第三HVMOS器件的柵電極長于所述第二HVMOS器件的所述柵電極，并且其中，所述第三HVMOS器件的第三本征區長于所述第二HVMOS器件的所述本征區。

9.一種器件，包括：

半導體襯底；

第一高壓金屬氧化物半導體（HVMOS）器件，包括：

第一柵電極，位于所述半導體襯底上方，并且具有第一柵極長度；

第一導電類型的第一源極區和第一漏極區，位于所述第一柵電極的兩側；

第二導電類型的第一阱區，所述第二導電類型與所述第一導電類型相反，其中，所述第一阱區從所述第一源極區延伸到所述第一柵電極下方；

第一導電類型的第二阱區，其中，所述第二阱區從所述第一漏極區延伸到所述第一柵電極下方；以及

第一本征區，位于所述第一阱區和所述第二阱區之間并且與所述第一阱區和所述第二阱區接觸，其中，所述第一本征區具有第一本征區長度；以及

第二HVMOS器件，包括：

第二柵電極，位于所述半導體襯底上方，并且具有第二柵極長度，所述第二柵極長度大于所述第一柵極長度；

所述第一導電類型的第二源極區和第二漏極區，位于所述第二柵電極的兩側；

所述第二導電類型的第三阱區，其中，所述第三阱區從所述第二源極區延伸到所述第二柵電極下方；

所述第一導電類型的第四阱區，其中，所述第四阱區從所述第二漏極區延伸到所述第二柵電極下方；以及

第二本征區，位于所述第三阱區和所述第四阱區之間，其中，所述第二本征區具有第二本征區長度，所述第二本征區長度大于所述第一本征區長度。

10.一種方法，包括：

將第一高壓金屬氧化物半導體（HVMOS）器件和第二高壓金屬氧化物半導體器件形成在半導體襯底上方，其中，形成所述第一HVMOS器件和所述第二HVMOS器件的步驟均包括：

將柵電極形成在所述半導體襯底上方，其中，所述第一HVMOS器件和第二HVMOS器件分別具有第一柵極長度和第二柵極長度，且所述第二柵極長度大于所述第一柵極長度；以及

實施注入，分別形成p型第一阱區和n型第二阱區，其中，所述第一阱區和所述第二阱區中的每一個都與所述柵電極的部分重疊，其中，位于所述第一阱區和所述第二阱區之間并且與所述第一阱區和所述第二阱區接觸的所述半導體襯底的區域形成本征區，其中，所述第一HVMOS器件的所述本征區和所述第二HVMOS器件的所述本征區分別具有第一本征區長度和第二本征區長度，且所述第二本征區長度大于所述第一本征區長度。