[發明專利]用于操作存儲器以及處理存儲單元的方法有效
| 申請號: | 201210193022.5 | 申請日: | 2012-06-07 |
| 公開(公告)號: | CN102820064B | 公開(公告)日: | 2017-07-14 |
| 發明(設計)人: | S·K·奇拉帕加里;G·伯德;陳振鋼 | 申請(專利權)人: | 馬維爾國際貿易有限公司 |
| 主分類號: | G11C29/42 | 分類號: | G11C29/42 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所11256 | 代理人: | 酆迅,楊移 |
| 地址: | 巴巴多斯*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 識別 減輕 存儲器 系統 中的 錯誤 | ||
相關申請的交叉引用
本公開要求2011年6月7日提交的美國臨時專利申請No.61/494,333以及2011年6月16日提交的美國臨時專利申請No.61/497,907的優先權,整個公開在此通過引用的方式包含其全部內容。
技術領域
本公開的各實施方式涉及存儲器系統領域,并且更具體地涉及存儲器系統中的硬錯誤。
背景技術
在此出于一般地呈現本公開的上下文的目的而提供了背景技術描述。在該背景技術部分中所描述的當前署名的發明人的工作以及本說明書中的并未以其他方式被判定為申請日時的現有技術的各方面,均不表示明確地或隱含地被承認為相對于本公開的現有技術。
存儲器系統(例如,閃存系統)通常包括解碼器以對從存儲器讀取的數據進行解碼。解碼器例如使用迭代軟解碼算法。例如,解碼器使用糾錯碼(ECC),諸如低密度奇偶校驗(LDPC)碼、Reed–Solomon(RS)碼、Turbo碼,等等。
存儲器系統中的錯誤可以包括硬錯誤和軟錯誤。用于存儲單元的對數似然比(LLR)與存儲單元中的數據比特等于1或0的概率相關聯。由于存儲單元中的硬錯誤,用于存儲單元的LLR的估計的誤差例如與由于軟錯誤的LLR的估計的誤差相比通常是顯著的。由于與硬錯誤相關聯的LLR的估計的顯著誤差,軟解碼算法(例如,LDPC碼)的性能在要解碼的數據中存在硬錯誤時顯著地惡化,即便是數據中僅存在有限數量的硬錯誤時也是如此。軟解碼算法的性能即便是在數據中的硬錯誤率相對較低時也會顯著地惡化。
發明內容
在各種實施方式中,提供了一種方法,包括:估計用于存儲器的多個存儲單元的第一組對數似然比(LLR)值;基于第一組LLR值,執行第一糾錯碼(ECC)解碼操作;響應于確定第一ECC解碼操作失敗,通過調整第一組LLR值生成用于該多個存儲單元的第二組LLR值;以及基于第二組LLR值,執行第二ECC解碼操作。
本公開還提供了一種用于操作包括多個字線(word line)的存儲器的方法,其中該多個字線中的每一個包括M個存儲單元,其中M是整數,其中存儲器進一步包括M個位線(bit line),其中該M個位線中的每一個與該多個字線中的每一個中的該M個存儲單元中的對應的存儲單元相關聯,并且其中該方法包括:在解碼來自該多個字線的子集中的每一個的讀取數據的同時,針對至少第一數量的字線中的每一個識別該M個存儲單元中的第K個存儲單元具有錯誤;以及響應于第一數量大于閾值,確定該M個位線中的第K個位線有故障。
本公開還提供了一種用于處理存儲器中的存儲單元的方法,其中存儲器包括存儲單元,其中存儲單元配置為存儲至少第一比特和第二比特,該方法包括:通過將第一比特的第一值校正為第二值來解碼與第一比特相關聯的讀取數據,其中第二值對應于存儲單元的N個閾值電壓范圍;未能解碼與第二比特相關聯的讀取數據;以及響應于未能解碼與第二比特相關聯的讀取數據,基于(i)與第一比特相關聯的讀取數據和(ii)與第二比特相關聯的讀取數據,識別與第二比特相關聯的第一閾值電壓范圍,確定第一閾值電壓范圍是否既不鄰近該N個閾值電壓范圍中的至少一個也不包括在該N個閾值電壓范圍中的至少一個內,以及基于該確定處理存儲單元。
附圖說明
通過結合附圖的以下詳細描述,將很容易理解實施方式。實施方式在附圖的各圖中以示例的方式而不是以限制的方式示出。
圖1示意性地圖示了存儲器系統的示例。
圖2圖示了存儲器的存儲塊的一部分。
圖3圖示了用于對存儲在存儲器中的數據進行ECC解碼的方法的示例。
圖4圖示了用于調節所估計的LLR以減輕存儲器的一個或多個存儲單元中的硬錯誤的影響的方法的示例。
圖5圖示了描繪對所估計的LLR的調整的各種曲線圖的示例。
圖6圖示了2比特/單元存儲單元的閾值電壓分布的示例。
圖7至圖9圖示了施加于存儲單元的參考電壓。
圖10圖示了用于識別存儲器中的阻塞單元(stuck cell)的方法的示例。
圖11圖示了存儲器的存儲塊的一部分的多個存儲單元,其中該多個存儲單元中的某些被錯誤地編程。
圖12圖示了用于識別存儲器中的有故障的位線的方法的示例。
具體實施方式
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