[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體封裝件及其制法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210192571.0
• 申請(qǐng)日: 2012-06-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103426855A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蕭惟中;林俊賢;白裕呈;洪良易;孫銘成;唐紹祖;蔡瀛洲;藍(lán)章益
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 矽品精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/498
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/498;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/683
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽(yáng)

1.一種半導(dǎo)體封裝件，其包括：

封裝基板，其包含絕緣保護(hù)層與埋設(shè)于該絕緣保護(hù)層中的線路層，該線路層具有相對(duì)的第一表面與第二表面，且該線路層包含第一子線路層、第二子線路層與第三子線路層，其中，該線路層的第一表面外露于該絕緣保護(hù)層，又該絕緣保護(hù)層具有至少一開(kāi)孔，以令該線路層的部份第二表面外露于該開(kāi)孔；

芯片，其設(shè)于該封裝基板上，且電性連接該線路層的第一表面；以及

封裝膠體，其形成于該封裝基板上，且包覆該芯片，并外露該開(kāi)孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該線路層的第一表面齊平于該絕緣保護(hù)層的表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該第一子線路層為金或銀，該第二子線路層為鎳，且該第三子線路層為銅。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該線路層的第二表面上形成有表面處理層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該表面處理層的材質(zhì)為金或銀。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該第一子線路層為金，該第二子線路層為鎳，且該第三子線路層為鈀。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該線路層的第二表面上形成有金屬層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該金屬層的材質(zhì)為銅。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該金屬層上形成有表面處理層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該表面處理層的材質(zhì)為錫、銀、鎳、鈀、金、焊錫、無(wú)鉛焊錫或其組合的其中一者。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該絕緣保護(hù)層為防焊層或封裝膠材。

12.一種半導(dǎo)體封裝件的制法，其包括：

形成線路層于第一承載板上，該線路層具有相對(duì)的第一表面與第二表面，且該線路層的第一表面與該第一承載板結(jié)合；

形成絕緣保護(hù)層于該第一承載板與該線路層上，且于該絕緣保護(hù)層上形成有至少一開(kāi)孔，以令該線路層的部份第二表面外露于該開(kāi)孔；

結(jié)合第二承載板于該絕緣保護(hù)層上；

移除該第一承載板，以外露該線路層的第一表面與該絕緣保護(hù)層；

置放芯片于該絕緣保護(hù)層上，且電性連接該芯片與線路層的第一表面；

形成封裝膠體于該絕緣保護(hù)層與該線路層的第一表面上，以包覆該芯片；以及

移除該第二承載板。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，形成該第一承載板及第二承載板的材質(zhì)為玻璃纖維板、玻璃或金屬。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該線路層的第一表面齊平于該絕緣保護(hù)層的表面。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該線路層還包括第一子線路層、第二子線路層與第三子線路層。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該第一子線路層為金或銀，該第二子線路層為鎳，且該第三子線路層為銅。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成表面處理層于該開(kāi)孔中的線路層的第二表面上。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該表面處理層的材質(zhì)為金或銀。

19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該第一子線路層為金，該第二子線路層為鎳，且該第三子線路層為鈀。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成金屬層于該線路層上。

21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該金屬層的材質(zhì)為銅。

22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體封裝件的制法，其特征在于，該制法還包括形成表面處理層于該金屬層上。