[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件及其制法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210192571.0
• 申請日: 2012-06-12
• 公開（公告）號: CN103426855A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蕭惟中;林俊賢;白裕呈;洪良易;孫銘成;唐紹祖;蔡瀛洲;藍(lán)章益
• 申請（專利權(quán)）人: 矽品精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/683
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝件及其制法，特別是關(guān)于一種提升可靠度的半導(dǎo)體封裝件及其制法。

背景技術(shù)

隨著行動裝置于電子產(chǎn)業(yè)中的蓬勃發(fā)展，電子產(chǎn)品也逐漸邁向薄型化的趨勢，而半導(dǎo)體封裝件的高度包括用以包覆芯片的封裝膠體的厚度、基板厚度及錫球高度。為了滿足半導(dǎo)體封裝件微型化(miniaturization)的封裝需求，降低封裝基板厚度已成為半導(dǎo)體封裝件微型化其中一個重要的發(fā)展方向。

早期半導(dǎo)體封裝件的制法中，是以具有核心層的封裝基板提升整體結(jié)構(gòu)的剛性，以利于后續(xù)置晶與封裝工藝。然而，因封裝基板具有核心層，所以該封裝基板的厚度增加，導(dǎo)致整體封裝結(jié)構(gòu)的高度增加，而難以符合微小化的需求。

因此，遂發(fā)展出無核心層(coreless)的封裝基板，以達(dá)到微小化的需求。請參閱第7795071號美國專利或如圖1A至圖1C所示現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件1的制法的剖面示意圖。

如圖1A所示，于一承載件(圖略)上形成一無核心層(coreless)的封裝基板1a，再移除該承載件。該封裝基板1a包含一絕緣保護(hù)層14與一埋設(shè)于該絕緣保護(hù)層14中的線路層13，該線路層13的下表面與該絕緣保護(hù)層14的表面齊平，且該絕緣保護(hù)層14具有開孔140，以令該線路層13的部分上表面外露于該些開孔140。

如圖1B所示，置放至少一芯片17于該絕緣保護(hù)層14下側(cè)，且該芯片17借由導(dǎo)電凸塊170電性連接該線路層13。

如圖1C所示，形成一表面處理層12于該開孔140中的線路層13上。

然而，現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝件1的制法中，依該封裝基板1a的薄型化設(shè)計，雖可省去核心層的材料成本及形成開孔140的制作時間，但該封裝基板1a的厚度越薄，其剛性越小，所以隨著薄化的需求，該封裝基板1a已不具有足夠的剛性作承載之用，致使于后續(xù)置晶或封裝工藝時，該封裝基板1a容易碎裂，導(dǎo)致產(chǎn)品的良率不佳，而影響產(chǎn)品的可靠度。

此外，當(dāng)移除承載件后，薄型化的封裝基板1a容易發(fā)生翹曲，致使該線路層13與絕緣保護(hù)層14間發(fā)生脫層的問題，因而需將封裝基板1a作廢，以致材料成本的浪費。

因此，如何克服上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問題，實已成目前亟欲解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝件及其制法，以使該封裝基板可朝薄型化作設(shè)計，且不會發(fā)生碎裂或翹曲的情況。

本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件包括：封裝基板，其包含絕緣保護(hù)層與埋設(shè)于該絕緣保護(hù)層中的線路層，該線路層具有相對的第一表面與第二表面，且該線路層包含第一子線路層、第二子線路層與第三子線路層，其中，該線路層的第一表面外露于該絕緣保護(hù)層，又該絕緣保護(hù)層具有至少一開孔，以令該線路層的部份第二表面外露于該開孔；芯片，其設(shè)于該封裝基板上，且電性連接該線路層的第一表面；以及封裝膠體，其形成于該封裝基板上，且包覆該芯片，并外露該開孔。

本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體封裝件的制法，其包括：形成線路層于第一承載板上，該線路層具有相對的第一表面與第二表面，且該線路層的第一表面與該第一承載板結(jié)合；形成絕緣保護(hù)層于該第一承載板與該線路層上，且于該絕緣保護(hù)層上形成有至少一開孔，以令該線路層的部份第二表面外露于該開孔；結(jié)合第二承載板于該絕緣保護(hù)層上；移除該第一承載板，以外露該線路層的第一表面與該絕緣保護(hù)層；置放芯片于該絕緣保護(hù)層上，且電性連接該芯片與線路層的第一表面；形成封裝膠體于該絕緣保護(hù)層與該線路層的第一表面上，以包覆該芯片；以及移除該第二承載板。

前述的制法中，形成該第一及第二承載板的材質(zhì)可為玻璃纖維板(FR4)、玻璃或金屬。

前述的制法中，該線路層還包括第一子線路層、第二子線路層與第三子線路層。

前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，該線路層的第一表面可齊平于該絕緣保護(hù)層的表面。

前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，該絕緣保護(hù)層可為防焊層或封裝膠材。

另外，前述的半導(dǎo)體封裝件及其制法中，依該線路層的材質(zhì)結(jié)構(gòu)，選擇性形成表面處理層或金屬層。

例如，該第一子線路層為金或銀，該第二子線路層為鎳，且該第三子線路層為銅，所以該線路層的第二表面上形成有表面處理層，且該表面處理層的材質(zhì)為金或銀。

或者，該第一子線路層為金，該第二子線路層為鎳，且該第三子線路層為鈀，所以該線路層的第二表面上形成有金屬層，該金屬層的材質(zhì)為銅，且選擇性形成表面處理層于該金屬層上，且該表面處理層的材質(zhì)為錫、銀、鎳、鈀、金、焊錫、無鉛焊錫或其組合的其中一者。