[發明專利]半導體用粘接膜、復合片及使用它們的半導體芯片的制造方法

無效

• 申請號: 201210191649.7
• 申請日: 2008-03-31
• 公開（公告）號: CN102709201A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 中村祐樹;北勝勉;片山陽二;畠山惠一
• 申請（專利權）人: 日立化成工業株式會社
• 主分類號: H01L21/58
• 分類號: H01L21/58;H01L21/683;H01L21/78;H01L23/29;C09J7/00;C09J179/08;C08G73/10
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種半導體用粘接薄膜在半導體芯片的制造方法中的應用，

所述半導體用粘接薄膜含有聚酰亞胺樹脂，并且能夠在100℃以下貼附于半導體晶片，所述聚酰亞胺樹脂能夠利用以總體的50質量％以上的比例含有由下述化學式(I)表示的4，4’-氧雙鄰苯二甲酸酐的四羧酸二酐與以總體的30質量％以上的比例含有由下述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺的反應來得到，

式(II)中，R表示碳數為1～5的烷基、碳數為1～5的烷氧基、苯基或苯氧基，同一分子中的多個R可以相同或不同，n及m分別獨立地表示1～3的整數，

所述半導體芯片的制造方法包括準備層疊體的工序，將半導體晶片、所述半導體用粘接薄膜以及切割膠帶依次層疊，按照將所述半導體晶片分割為多個半導體芯片，并且將所述半導體用粘接薄膜的厚度方向的至少一部分不切斷而保留的方式，從所述半導體晶片側形成切槽；

通過將所述切割膠帶沿著使所述多個半導體芯片相互分離的方向拉伸，而將所述半導體用粘接薄膜沿著所述切槽分割的工序。

2.根據權利要求1所述的半導體用粘接薄膜在半導體芯片的制造方法中的應用，其中，

所述聚酰亞胺樹脂的玻璃化溫度為30℃以上、80℃以下。

3.根據權利要求1或2所述的半導體用粘接薄膜在半導體芯片的制造方法中的應用，其中，

所述半導體用粘接薄膜還含有熱固化性成分及填充劑，

所述填充劑的含量相對于該半導體用粘接薄膜的質量小于30質量％。

4.根據權利要求1或2所述的半導體用粘接薄膜在半導體芯片的制造方法中的應用，其中，

所述二胺以總體的70質量％以上的比例含有由上述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺。

5.根據權利要求3所述的半導體用粘接薄膜在半導體芯片的制造方法中的應用，其中，

所述二胺以總體的70質量％以上的比例含有由上述通式(II)表示的硅氧烷二胺的二胺。