[發明專利]半導體接合焊盤結構以及集成電路有效
| 申請號: | 201210191448.7 | 申請日: | 2012-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN102683313B | 公開(公告)日: | 2017-03-08 |
| 發明(設計)人: | 黎坡 | 申請(專利權)人: | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/488 | 分類號: | H01L23/488 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 接合 盤結 以及 集成電路 | ||
技術領域
本發明涉及半導體制造領域,更具體地說,本發明涉及一種半導體接合焊盤結構以及采用了該半導體接合焊盤結構的集成電路。
背景技術
半導體封裝是半導體制造領域的一項重要工藝。半導體封裝是指將通過測試的晶圓按照產品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程。封裝過程為:來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝后被切割為小的晶片,然后將切割好的晶片用粘合劑貼裝到相應的基板(引線框架)架的小島上,再利用超細的金屬(金錫銅鋁等)導線或者導電性樹脂將晶片的半導體接合焊盤(Bond?Pad)連接到基板的相應引腳,并構成所要求的電路;然后再對獨立的晶片用塑料外殼加以封裝保護,塑封之后還要進行一系列操作,封裝完成后進行成品測試最后入庫出貨。
圖1示意性地示出了根據現有技術的半導體接合焊盤結構100的一種示例。如圖1所示,根據現有技術的半導體接合焊盤結構100包括中心部分102以及外周部分101。其中,半導體接合焊盤結構100的外周部分101中形成有通孔A。半導體接合焊盤結構100的中心部分102上露出金屬薄膜(一般為鋁薄膜)。其中,外周部分101的表面上布置了鈍化層。對于半導體接合焊盤結構100的制造來說,半導體接合焊盤結構100一開始總體布置了一層鈍化層,此后去除了中心部分102上鈍化層,由此形成了僅僅外周部分101上布置了鈍化層的布置。
但是,圖1所示的半導體接合焊盤結構100的缺點在于,在對半導體接合焊盤結構100的中心部分102上進行壓焊時,金屬由于壓力而膨脹,從而朝兩邊擠壓,并往外撐開、裂開,由此造成焊盤缺陷。
圖2示意性地示出了根據現有技術的改進的半導體接合焊盤結構200的另一種示例。
根據現有技術的改進的半導體接合焊盤結構200包括中心部分202以及外周部分201。其中,在中心部分202的外周布置了凹槽B(圖2示出了在中心部分102的四周分別布置凹槽B的示例)。這些凹槽B在將金屬薄膜和金屬凸塊布置在半導體接合焊盤結構200的中心部分202上時可容納金屬的膨脹,即為金屬的膨脹留出空間,從而防止金屬薄膜和外周部分201上的鈍化層被撐開、裂開,從而防止焊盤缺陷。
但是,圖2所示的半導體接合焊盤結構200的缺點在于,開槽(凹槽B)后,下層的氟會揮發出來而腐蝕上層金屬表面,從而造成電路腐蝕以及其它故障,并且濕氣會通過凹槽B進入下層電路層,從而縮減了電路的使用壽命。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在上述缺陷,提供一種能夠防止由于氟會揮發出來而腐蝕上層金屬表面從而造成電路腐蝕、并且防止濕氣通過凹槽進入下層電路層的半導體接合焊盤結構以及采用了該半導體接合焊盤結構的集成電路。
根據本發明的第一方面,提供了一種半導體接合焊盤結構,其包括:中心部分以及外周部分;其中,所述中心部分為露出的金屬薄膜;所述外周部分的表面上布置了鈍化層,并且在所述外周部分中形成有通孔;并且,所述中心部分的外周布置了凹槽;并且,所述中心部分的每個凹槽外周均布置了凹槽鎢墻。
優選地,在上述半導體接合焊盤結構中,在所述半導體接合焊盤結構外周布置了外周鎢墻。
優選地,在上述半導體接合焊盤結構中,所護外周部分中形成有通孔矩陣。
優選地,在上述半導體接合焊盤結構中,金屬薄膜是鋁膜。
優選地,在上述半導體接合焊盤結構中,在半導體接合焊盤結構的中心部分的外周的四面均布置了凹槽。
根據本發明的第二方面,提供了一種采用了根據本發明的第一方面的半導體接合焊盤結構的集成電路。
根據本發明,由于凹槽被凹槽鎢墻以及上下金屬層包圍,所以從下層揮發出的氟被阻擋,從而不會腐蝕上層金屬表面,從而不會造成電路腐蝕。其次,本發明實施例的結構利用凹槽鎢墻將凹槽包圍起來,從而通過凹槽鎢墻來阻擋水汽進入下層結構,從而提高了防水性能,延長了電路的使用壽命。
附圖說明
結合附圖,并通過參考下面的詳細描述,將會更容易地對本發明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優點和特征,其中:
圖1示意性地示出了根據現有技術的半導體接合焊盤結構的一種示例。
圖2示意性地示出了根據現有技術的改進的半導體接合焊盤結構的另一種示例。
圖3示意性地示出了根據本發明實施例的半導體接合焊盤結構。
需要說明的是,附圖用于說明本發明,而非限制本發明。注意,表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且,附圖中,相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。
具體實施方式
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華虹宏力半導體制造有限公司,未經上海華虹宏力半導體制造有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210191448.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





